检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料被引量：1: 1; 作者胡国新孙殿照 +5 位作者王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期316-318,共3页; 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线... 展开更多; 关键词 RF-MBE 二维电子材料 algan/gan 半导体材料分子束处延生长氮化镓铝镓氮三元合金; 在线阅读下载PDF 职称材料

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究被引量：1: 2; 作者何亮张晓荣 +5 位作者倪毅强罗睿宏李柳暗陈建国张佰君刘扬《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期26-37,共12页; 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si... 展开更多; 关键词 6英寸Si衬底 algan/gan功率电子材料 CMOS工艺 ganMIS-HEMT器件常关型; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaN/GaN HEMT: 3; 作者夏元治吴春艳 +2 位作者周世刚钱君涵于永强《合肥工业大学学报(自然科学版)》北大核心 2025年第10期1352-1356,共5页; 凹槽栅是实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的常见技术,但随着栅下AlGaN的刻蚀,极化效应减弱,二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)浓度降低,电流密度显著降低。文章提出在凹... 展开更多; 关键词 algan/gan高电子迁移率晶体管(HEMT) 凹槽栅超晶格(SL) 功率器件仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析被引量：8: 4; 作者王冲郝跃张进城《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期234-236,共3页; 以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 1... 展开更多; 关键词微波功率器件 algan/gan 高电子迁移率晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展被引量：6: 5; 作者张明兰杨瑞霞 +2 位作者王晓亮胡国新高志《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期417-422,共6页; 作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手,详细介绍了改善器件击穿特性... 展开更多; 关键词 algan/gan高电子迁移率晶体管电力电子器件化合物半导体材料异质结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制被引量：4: 6; 作者张力江默江辉 +3 位作者崔玉兴付兴昌李献杰张彤《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期437-442,共6页; 基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm^2/（V·s）,方块电阻为350Ω,电阻均匀性为3%。... 展开更多; 关键词 algan/gan高电子迁移率晶体管(HEMT) L波段大功率高效率场板; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸Si衬底上高质量AlGaN/GaN HEMT结构的生长: 7; 作者陈振周名兵付羿《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期301-304,共4页; 在8英寸（1英寸=2.54 cm）的Si衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长了高质量、无龟裂的GaN薄膜和Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构。通过调节应力调控层的结构,厚度为5μm的GaN膜层翘曲度低于50μm。采用X射线衍射（... 展开更多; 关键词 algan/gan异质结构高电子迁移率晶体管(HEMT) SI衬底应力调控层功率器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

相控阵和雷达技术的突破(英文) 被引量：6: 8; 作者 Brookner 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2006年第10期1-4,共4页; 许多人认为雷达是一个成熟的领域,不会发生任何新的变化,这种看法存在很久了,没有比这个看法更错误的了。当我1950年参与到雷达领域的时候,我也有过同样的看法,例如,我认为麻省理工学院的雷达丛书已经是包罗万象了,不需要增加任何新的... 展开更多; 关键词雷达有源相控阵 MMIC MEMS T/R组件相控阵 AESA 电扫 GaAs gan SiC CMOS 数字波束形成自适应阵列旁瓣对消器超宽带天线金属材料电子管真空电子器件回旋管磁控管速调管行波管微波功率组件 MPM 功率放大组件 SBX GBR—P; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料被引量：1: 1; 作者胡国新孙殿照王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英; 机构中国科学院半导体所材料中心; 出处《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期316-318,共3页; 文摘用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6arcmin .;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730cm2 /Vs ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 12 cm-2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0mS/mm (栅长 1微米 ) ,截止频率达 13 .2 5GHz(栅长 0 .5微米 ) ,可在 30; 关键词 RF-MBE 二维电子材料 algan/gan 半导体材料分子束处延生长氮化镓铝镓氮三元合金; Keywords RF-MBE 2DEG HFET algan/gan; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究被引量：1: 2; 作者何亮张晓荣倪毅强罗睿宏李柳暗陈建国张佰君刘扬; 机构中山大学电子与信息工程学院江苏华功半导体有限公司深圳方正微电子有限公司; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期26-37,共12页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400202) 国家自然科学基金-广东省联合基金资助项目(U1601210) +4 种基金珠海市宽禁带半导体电力电子技术重点实验室资助项目(20167612042080001); 文摘氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。; 关键词 6英寸Si衬底 algan/gan功率电子材料 CMOS工艺 ganMIS-HEMT器件常关型; Keywords 6-inch Si substrate algan/gan HEMT power electronic materials CMOS process gan MIS-HEMT devices normally-off; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaN/GaN HEMT: 3; 作者夏元治吴春艳周世刚钱君涵于永强; 机构合肥工业大学微电子学院; 出处《合肥工业大学学报(自然科学版)》北大核心 2025年第10期1352-1356,共5页; 基金安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。; 文摘凹槽栅是实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的常见技术,但随着栅下AlGaN的刻蚀,极化效应减弱,二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)浓度降低,电流密度显著降低。文章提出在凹槽栅金属-绝缘层-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构栅下叠加4 nm GaN和1 nm AlN超晶格(superlattice,SL)结构,通过在AlGaN与GaN之间引入一层超晶格层、增加一层二维电子气沟道来提高电流密度,并利用Silvaco TCAD软件系统仿真凹槽深度、栅介质以及超晶格层对器件电流密度的影响。仿真结果表明:使用5 nm HfO_(2)栅介质层并增加一层超晶格层(4 nm GaN+1 nm AlN)的AlGaN/GaN SL-MISHEMT,阈值电压V_(th)为0.14 V,电流密度I_(ds)达到1014 mA/mm(V ds=10 V,V_(gs)=10 V);与常规AlGaN/GaN HEMT(V_(th)=-3.16 V)相比,器件阈值电压增加了3.28 V;与无超晶格层的AlGaN/GaN MISHEMT相比,电流密度提高了24%。; 关键词 algan/gan高电子迁移率晶体管(HEMT) 凹槽栅超晶格(SL) 功率器件仿真; Keywords algan/gan high electron mobility transistor(HEMT) recessed gate superlattice(SL) power device simulation; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析被引量：8: 4; 作者王冲郝跃张进城; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期234-236,共3页; 基金国家重大基础研究项目(973)资助项目(2002CB311904) 国家部委预研资助项目(41308060106); 文摘以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度.; 关键词微波功率器件 algan/gan 高电子迁移率晶体管; Keywords Current voltage characteristics Gadolinium compounds Microwave devices Sapphire Substrates; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展被引量：6: 5; 作者张明兰杨瑞霞王晓亮胡国新高志; 机构河北工业大学信息工程学院中国科学院半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期417-422,共6页; 基金国家自然科学基金青年科学基金(60806004); 文摘作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手,详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题。最后,对该项研究面临的问题及未来的发展趋势做了展望。; 关键词 algan/gan高电子迁移率晶体管电力电子器件化合物半导体材料异质结构; Keywords algan/gan HEMT power electronic device compound semiconductor material heterostructure; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制被引量：4: 6; 作者张力江默江辉崔玉兴付兴昌李献杰张彤; 机构东南大学电子科学与技术学院中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期437-442,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400303); 文摘基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm^2/（V·s）,方块电阻为350Ω,电阻均匀性为3%。通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率。采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压。优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力。采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗。最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT器件。直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V。微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81%,功率增益大于13 d B。; 关键词 algan/gan高电子迁移率晶体管(HEMT) L波段大功率高效率场板; Keywords algan/gan high electron mobility transistor （HEMT） L-band high power high efficiency field plate; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸Si衬底上高质量AlGaN/GaN HEMT结构的生长: 7; 作者陈振周名兵付羿; 机构晶能光电(江西)有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期301-304,共4页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402900); 文摘在8英寸（1英寸=2.54 cm）的Si衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长了高质量、无龟裂的GaN薄膜和Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构。通过调节应力调控层的结构,厚度为5μm的GaN膜层翘曲度低于50μm。采用X射线衍射（XRD）对GaN薄膜的（002）和（102）衍射峰进行扫描,其半峰全宽（FWHM）分别为182和291 arcsec。透射电子显微镜（TEM）截面图显示GaN外延层的位错密度达到了3.5×107/cm^2,证实了在大尺寸Si衬底上可以制作高质量的GaN薄膜。Al GaN/GaN HEMT结构的二维电子气浓度和载流子迁移率分别为9.29×10^12/cm^2和2 230 cm^2/（V·s）。基于这些半绝缘Al GaN/GaN HEMT结构所制作的功率电子器件的输出电流可达20 A,横向击穿电压可达1 200 V。; 关键词 algan/gan异质结构高电子迁移率晶体管(HEMT) SI衬底应力调控层功率器件; Keywords algan/gan heterostructure high electron mobility transistor （HEMT） Si substrate stress control layer power device; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名相控阵和雷达技术的突破(英文) 被引量：6: 8; 作者 Brookner; 机构雷声公司; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2006年第10期1-4,共4页; 文摘许多人认为雷达是一个成熟的领域,不会发生任何新的变化,这种看法存在很久了,没有比这个看法更错误的了。当我1950年参与到雷达领域的时候,我也有过同样的看法,例如,我认为麻省理工学院的雷达丛书已经是包罗万象了,不需要增加任何新的内容。然而我是多么的错啊,从那时起雷达技术领域中已经发生了许多令人眼花嘹乱的发展,雷达一直受益于Moore′s定律和许多新的技术上的成果,例如,MMICGaAsT/R组件和相控阵组件。现在雷达技术发展得更快了,在这篇文章里,我将给出某些最近突破的例子,所要提到的主题在图1中示出。; 关键词雷达有源相控阵 MMIC MEMS T/R组件相控阵 AESA 电扫 GaAs gan SiC CMOS 数字波束形成自适应阵列旁瓣对消器超宽带天线金属材料电子管真空电子器件回旋管磁控管速调管行波管微波功率组件 MPM 功率放大组件 SBX GBR—P; Keywords Radar, active-phased arrays MMIC MEMS T/R module phased array AESA electronic scanning GaAs gan SiC SiGe CMOS, digital beam forming adaptive arrays sidelobe canceler Uhra-Wideband Antenna metal materials tube Vacuum Electron Device gyroklystron gyrotwystron magnetron klystron traveling wave tube TWT microwave power modules MPM power amplifier module （PAM） SBX GBR-P; 分类号 TN958.92 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料	胡国新孙殿照王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英	《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究	何亮张晓荣倪毅强罗睿宏李柳暗陈建国张佰君刘扬	《电源学报》 CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaN/GaN HEMT	夏元治吴春艳周世刚钱君涵于永强	《合肥工业大学学报(自然科学版)》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析	王冲郝跃张进城	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	8	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展	张明兰杨瑞霞王晓亮胡国新高志	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制	张力江默江辉崔玉兴付兴昌李献杰张彤	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	8英寸Si衬底上高质量AlGaN/GaN HEMT结构的生长	陈振周名兵付羿	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	相控阵和雷达技术的突破(英文)	Brookner	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2006	6	在线阅读下载PDF 职称材料