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高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征（英文）
被引量：
3
1
作者
乔彦彬
陈燕宁
+1 位作者
赵东艳
张海峰
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-13,35,共5页
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级...
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.
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关键词
半导体
技术
热耦合特征
红外热成像技术
有限元
高功率808
nm
algaas/gaas基半导体激光器巴条
在线阅读
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职称材料
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
2
作者
张素梅
石家纬
+1 位作者
赵世舜
胡贵军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期267-271,共5页
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半...
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。
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关键词
高功率
半导体
激光器
远结
单量子阱
algaas/
gaas
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职称材料
题名
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征（英文）
被引量：
3
1
作者
乔彦彬
陈燕宁
赵东艳
张海峰
机构
北京南瑞智芯微电子科技有限公司
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-13,35,共5页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(61376077)
the Beijing Natural Science Foundation of China(4132022)
文摘
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.
关键词
半导体
技术
热耦合特征
红外热成像技术
有限元
高功率808
nm
algaas/gaas基半导体激光器巴条
Keywords
semiconductor technology
thermal crosstalk characteristics
infrared thermography
finite element method
high-power 808 nm
algaas/
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
2
作者
张素梅
石家纬
赵世舜
胡贵军
机构
吉林大学电子科学与工程学院
集成光电子学国家重点联合实验室
吉林大学数学学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期267-271,共5页
基金
教育部博士点基金资助项目
文摘
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。
关键词
高功率
半导体
激光器
远结
单量子阱
algaas/
gaas
Keywords
high-power semiconductor laser
remote junction
single quantum well (SQW)
algaas/
gaas
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征（英文）
乔彦彬
陈燕宁
赵东艳
张海峰
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
张素梅
石家纬
赵世舜
胡贵军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
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