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浓度对Al掺杂TiO_2电子结构影响的第一性原理计算
被引量：
8
1
作者
田景芝
张苹
+2 位作者
荆涛
邓启刚
阚伟
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期349-352,357,共5页
运用第一性原理超软赝势方法计算了不同Al掺杂浓度对TiO2能带结构、分波态密度、光吸收谱图的影响。计算结果表明:Al原子进入TiO2晶格后,晶胞体积减小;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度减小,吸收带边红移越来越明显;不同掺杂浓度下,虽然Al...
运用第一性原理超软赝势方法计算了不同Al掺杂浓度对TiO2能带结构、分波态密度、光吸收谱图的影响。计算结果表明:Al原子进入TiO2晶格后,晶胞体积减小;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度减小,吸收带边红移越来越明显;不同掺杂浓度下,虽然Al的3s和3p轨道对导带和价带贡献较小,但对TiO2可见光吸收能力大有改善;在波长为100~280nm处,Al掺杂TiO2的紫外光吸收能力有所降低,波长为450~1000nm时,TiO2的可见光吸收能力明显增强。对比四种不同掺杂浓度下TiO2的光催化活性,发现浓度为9%左右时催化效果更好一些。
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关键词
TIO2
al掺杂浓度
电子结构
第一性原理
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职称材料
种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响
被引量：
5
2
作者
彭寿
汤永康
+5 位作者
王芸
金良茂
甘治平
王东
王萍萍
操芳芳
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期543-549,共7页
本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫...
本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响。结果表明：经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%以上。Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响。无种子层时,掺杂浓度为0.50at%的AZO薄膜在5%H2、95%N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166Ω/□,电阻率约为1.99×10-3Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm。
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关键词
al掺杂浓度
种子层
铝
掺杂
氧化锌薄膜
光电性能
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职称材料
题名
浓度对Al掺杂TiO_2电子结构影响的第一性原理计算
被引量：
8
1
作者
田景芝
张苹
荆涛
邓启刚
阚伟
机构
齐齐哈尔大学化学与化学工程学院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期349-352,357,共5页
基金
黑龙江省自然科学基金资助项目(QC2010121)
文摘
运用第一性原理超软赝势方法计算了不同Al掺杂浓度对TiO2能带结构、分波态密度、光吸收谱图的影响。计算结果表明:Al原子进入TiO2晶格后,晶胞体积减小;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度减小,吸收带边红移越来越明显;不同掺杂浓度下,虽然Al的3s和3p轨道对导带和价带贡献较小,但对TiO2可见光吸收能力大有改善;在波长为100~280nm处,Al掺杂TiO2的紫外光吸收能力有所降低,波长为450~1000nm时,TiO2的可见光吸收能力明显增强。对比四种不同掺杂浓度下TiO2的光催化活性,发现浓度为9%左右时催化效果更好一些。
关键词
TIO2
al掺杂浓度
电子结构
第一性原理
Keywords
TiO2
al
doping concentration
electronic structure
first-principles
分类号
O614.411 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响
被引量：
5
2
作者
彭寿
汤永康
王芸
金良茂
甘治平
王东
王萍萍
操芳芳
机构
蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期543-549,共7页
基金
国家"973"计划(2012CB724608)
安徽省自然科学基金(1408085MKL67)
安徽省科技攻关计划项目(1301021015)
文摘
本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响。结果表明：经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%以上。Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响。无种子层时,掺杂浓度为0.50at%的AZO薄膜在5%H2、95%N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166Ω/□,电阻率约为1.99×10-3Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm。
关键词
al掺杂浓度
种子层
铝
掺杂
氧化锌薄膜
光电性能
Keywords
al
doping concentration
seed layer
al
uminum doped zinc oxide films
electro-optic
al
properties
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
浓度对Al掺杂TiO_2电子结构影响的第一性原理计算
田景芝
张苹
荆涛
邓启刚
阚伟
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014
8
在线阅读
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职称材料
2
种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响
彭寿
汤永康
王芸
金良茂
甘治平
王东
王萍萍
操芳芳
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
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职称材料
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