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Al/Si比对SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃结构和性能的影响 被引量:4
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作者 叶时迁 何峰 +3 位作者 陈剑 杨虎 刘小青 谢峻林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3913-3919,共7页
SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO... SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO_4]和硅氧四面体[SiO_4]相互连接而成。随着Al/Si比的增加,[AlO_4]含量保持不变,[AlO_6]含量逐渐增加。DSC分析表明,本系统玻璃的玻璃转变点T_g、成核温度T_x均随Al/Si比的增大而提高,玻璃的析晶倾向变强烈。热膨胀分析表明玻璃的热膨胀系数随Al/Si比的增大呈现先增大后减小的趋势。物理及机械性能测试结果如下:随Al/Si比的增大,密度、弹性模量均随之不断增大;而弯曲强度和维氏硬度则是持续降低。 展开更多
关键词 siO2-al2O3-MgO玻璃 玻璃结构 玻璃性能 al/si比
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锂离子电池用非晶态Si/Al/Si薄膜负极材料 被引量:3
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作者 宋英杰 张宏芳 +4 位作者 伏萍萍 杨化滨 周作祥 吴孟涛 黄来和 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期573-577,共5页
采用磁控溅射法在铜箔集流体上沉积了具有'三明治'结构的Si/Al/Si三层薄膜.高分辨率透射电镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)分析结果表明,该薄膜为非晶态.扫描电镜(SEM)和能量散射X射线能谱(EDS)结果表明,该薄膜总厚度约为4.0μm... 采用磁控溅射法在铜箔集流体上沉积了具有'三明治'结构的Si/Al/Si三层薄膜.高分辨率透射电镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)分析结果表明,该薄膜为非晶态.扫描电镜(SEM)和能量散射X射线能谱(EDS)结果表明,该薄膜总厚度约为4.0μm,循环100周后体积膨胀率为225%.在1.5~0.005V(vs.Li+/Li)和0.1mA/cm2条件下,该薄膜电极前5周衰减较快,而后趋于平缓.首次放锂量为0.88mA.h/cm2,循环5周后,放锂量为0.71mA.h/cm2,100周后的放锂量仍能保持在0.61mA.h/cm2.研究结果表明,Al的加入有效地抑制了Si膜的体积膨胀,使之具有良好的循环寿命.交流阻抗结果表明,随着循环次数的增加,极化电阻首先从46.9Ω.cm2(第1周)降低到36.2Ω.cm2(第50周),而后又升高到47.3Ω.cm2(第100周).Al的加入提高了Si膜的导电性,有效地降低了其极化电阻,改善了Si膜的电压滞后现象. 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 磁控溅射 si/al/si薄膜
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金属Al/Si结合Al2O3-C滑板的使用损毁分析 被引量:6
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作者 石凯 钟香崇 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期827-831,842,共6页
用XRD、SEM、EDS和化学分析法对金属Al/Si结合Al2O3-C滑板用后的残砖进行了分析,用后滑板的结构可分为原砖带和工作带两部分。原砖带的主要变化特征为:从低温到高温Al、Si逐渐原位反应生成碳化物和氮化物,使滑板由金属结合转变为非氧化... 用XRD、SEM、EDS和化学分析法对金属Al/Si结合Al2O3-C滑板用后的残砖进行了分析,用后滑板的结构可分为原砖带和工作带两部分。原砖带的主要变化特征为:从低温到高温Al、Si逐渐原位反应生成碳化物和氮化物,使滑板由金属结合转变为非氧化物结合,提高了滑板的高温强度和抗热震性;工作带的主要变化特征为:非氧化物逐渐被氧化,使高温强度降低。金属Al/Si结合Al2O3-C滑板使用损毁过程为:工作带中的非氧化物首先被氧化,氧化后结构疏松,强度降低,在铸孔处由高温钢水冲刷引起铸孔扩大,在滑动面处因机械摩擦造成滑动面拉毛。 展开更多
关键词 金属al/si结合 al2O3-C滑板 损毁分析 氧化
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煤矸石碳热还原氮化制备Sialon的研究 被引量:5
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作者 李刚 戴铁军 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期14-18,共5页
采用河北开滦地区的煤矸石为原料,加入一定量的碳和TiO2作为添加剂,通过碳热还原氮化法制备出了β-Sialon材料,并且β-Sialon为主晶相。实验结果经X射线衍射分析测定了反应生成物的物相组成,分析研究了C含量和Al2O3/SiO2的比例对产物组... 采用河北开滦地区的煤矸石为原料,加入一定量的碳和TiO2作为添加剂,通过碳热还原氮化法制备出了β-Sialon材料,并且β-Sialon为主晶相。实验结果经X射线衍射分析测定了反应生成物的物相组成,分析研究了C含量和Al2O3/SiO2的比例对产物组分的影响。研究结果表明,过量加入C,不利于β-Sialon相的生成或导致其有分解的趋势;适当过量加入Al2O3,有助于β-Sialon相的形成。对β-Sialon形成过程的分析表明,在实际生产工艺中可以通过控制CO的含量来控制β-Sialon生成反应进行的速度。 展开更多
关键词 煤矸石 Β-sialON 碳热还原氮化法 C含量 al/si
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铜、镁复合添加对雷达电子封装用Al/50%Si材料组织和性能的影响 被引量:1
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作者 吕梦琴 陈斯文 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第8期86-90,共5页
采用热压烧结制备Al/50%Si复合材料。利用金相显微镜和扫描电子显微镜观察复合材料的微观组织。研究复合添加0.5%~4%Cu和0.5%Mg对材料显微组织、力学性能和热物理性能的影响。结果表明:复合材料组织均匀细小,致密度高,综合性能好,当Cu... 采用热压烧结制备Al/50%Si复合材料。利用金相显微镜和扫描电子显微镜观察复合材料的微观组织。研究复合添加0.5%~4%Cu和0.5%Mg对材料显微组织、力学性能和热物理性能的影响。结果表明:复合材料组织均匀细小,致密度高,综合性能好,当Cu添加量不超过1%,Mg添加量为0.5%时,Si颗粒没有粗化;当Cu添加量达到2%,Mg添加量为0.5%时,Si颗粒逐渐粗化。添加1%Cu和0.5%Mg后Al/50%Si复合材料的相对密度从98.5%上升到99.9%,抗拉强度和抗弯强度可分别达到293 MPa和412 MPa,热膨胀系数和热导率分别为11.0×10-6/K和138 W/(m·K),完全满足高性能雷达用电子封装材料的性能要求。 展开更多
关键词 al/si复合材料 微合金化 微观组织 力学性能 热物理性能
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NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe界面的影响
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作者 朱轩民 张静 +4 位作者 马雪丽 李晓婷 闫江 李永亮 王文武 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期444-448,463,共6页
研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在... 研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在300和400℃下对Al_2O_3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物(SiN_xO_y)和锗氮化物(GeN_xO_y)的界面层。通过X射线光电子能谱(XPS)分析表面的物质成分,结果表明NH_3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显。 展开更多
关键词 siGE 界面钝化 NH3等离子体 al2O3/siGe/si 选择性
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Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响
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作者 方芳 L.C.Wang S.S.Lau 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期111-113,126,共4页
利用电子束蒸发依次将Pd,Si和Al淀积在掺杂浓度为2×10^(13)cm^(-3)的n型GaAs上,可以得到非合金、低阻的欧姆接触。比接触电阻率约为5×10^(-6)·cm^2。但经过高温(410℃),长时间热退火后,样品的表面会出现明显不平整,比接... 利用电子束蒸发依次将Pd,Si和Al淀积在掺杂浓度为2×10^(13)cm^(-3)的n型GaAs上,可以得到非合金、低阻的欧姆接触。比接触电阻率约为5×10^(-6)·cm^2。但经过高温(410℃),长时间热退火后,样品的表面会出现明显不平整,比接触电阻率会明显增加,在Al和Si/Pd之间加入一层Ti作为扩散势垒会使欧姆接触的热稳定性变好。但只有在Al和Ti之间的反应没有完全耗尽Ti时,扩散势垒才起作用。 展开更多
关键词 欧姆接触 热稳定 钛扩散 al/si/Pd
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接触反应钎焊中间层材料的选择原则——接触反应共晶液相产生的方向性 被引量:7
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作者 董占贵 钱乙余 +1 位作者 马鑫 石素琴 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期241-244,共4页
以Al/Cu ,Al/Si接触反应偶为例 ,研究了不同基体与反应材料组合下 ,共晶液相的产生及其铺展行为。结果表明 :Al/Cu ,Al/Si接触反应偶中共晶液相的产生具有明显的方向性—优先在Al侧产生 ,这是扩散偶之间的互扩散系数不等所造成的必然结... 以Al/Cu ,Al/Si接触反应偶为例 ,研究了不同基体与反应材料组合下 ,共晶液相的产生及其铺展行为。结果表明 :Al/Cu ,Al/Si接触反应偶中共晶液相的产生具有明显的方向性—优先在Al侧产生 ,这是扩散偶之间的互扩散系数不等所造成的必然结果。而在接触反应钎焊的中间层材料选择过程中 。 展开更多
关键词 接触反应钎焊 al/CU 接触反应偶 共晶反应 中间层选择 液相合金 al/si
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ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文) 被引量:5
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作者 叶志镇 李蓓 +2 位作者 黄靖云 袁国栋 赵炳辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期283-286,共4页
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样... 采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 al/si(100)衬底 基特基势垒
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利用高频磁场制备自生梯度复合材料的熔体温度选择 被引量:4
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作者 李赤枫 王俊 +2 位作者 疏达 李克 孙宝德 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期973-978,共6页
研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺。对于Al/Mg2Si/Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明:Al+Mg2Si二元共晶区(555~595℃)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的... 研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺。对于Al/Mg2Si/Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明:Al+Mg2Si二元共晶区(555~595℃)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的增强颗粒容易被外加电磁阿基米德力分离。高频磁场施加温度过高或过低,均不易使增强颗粒产生梯度分布效果。 展开更多
关键词 自生梯度复合材料 高频磁场 过共晶 al/Mg2si/si合金
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C3A掺量对C3A-C3S浆体微结构的影响 被引量:1
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作者 丁庆军 金宏程 +3 位作者 张高展 杨军 鄢鹏 周鹏 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第3期717-723,共7页
采用X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)、29Si核磁共振(29Si Nuclear Magnetic Resonance,29Si NMR)、27Al核磁共振(27Al Nuclear Magnetic Resonance,27Al NMR)和BET氮吸附等方法研究了标准养护条件下C3A掺量对C3S-C3A复合浆体微结构... 采用X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)、29Si核磁共振(29Si Nuclear Magnetic Resonance,29Si NMR)、27Al核磁共振(27Al Nuclear Magnetic Resonance,27Al NMR)和BET氮吸附等方法研究了标准养护条件下C3A掺量对C3S-C3A复合浆体微结构的影响。结果表明:C3A的加入可以促进C3S-C3A复合浆体的水化,释放的Al^3+可以进入C-S-H凝胶硅氧链上的桥硅氧四面体位置,形成Al掺杂C-S-H凝胶;随C3A掺量增大,复合浆体中C-S-H凝胶的Al[4]/Si和MCL增大;随养护龄期增大,Al掺杂C-S-H凝胶硅氧链上的Al[4]逐渐脱出,进入浆体并转化为Al[6],导致相同C3A掺量下的复合浆体中Al[4]相对含量下降,Al[6]相对含量增长;C3A的加入在降低复合浆体平均孔径的同时,也提高了浆体的孔隙率。 展开更多
关键词 C3S C3A 微结构 C-S-H凝胶 al4/si
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