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单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究 被引量:6
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作者 岳之浩 沈鸿烈 +3 位作者 蒋晔 陈伟龙 唐群涛 商威 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16056-16060,共5页
采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2 浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律.采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测... 采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2 浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律.采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测试,最终采用陷光模型对黑硅微结构与其反射率的关系进行了深入分析.发现当腐蚀液为7.8 mol/LHF和0.6mol/LH2O2 混合液、腐蚀温度为20 ℃以及腐蚀时间为90s时,所制备黑硅的腐蚀深度为900nm,其表面平均反射率为0.98% (400-900nm). 展开更多
关键词 ag辅助化学腐蚀法 单晶硅 微结构 反射率
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