CTAB作用下纳米复合材料Ag/ZnO-SnO_2的制备与光催化降解罗丹明B 被引量：4

1

作者 李莉 禚娜 +3 位作者 高宇 赵月红 李恩帅 赵立杰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1264-1270,共7页

在模板剂溴化十六烷基三甲基胺(CTAB)作用下,采用溶胶-凝胶法再结合程序升温溶剂热法制备了纳米复合材料Ag/ZnO-SnO2(CTAB),其中Ag,Zn,Sn摩尔比为0.1∶2∶1.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子... 在模板剂溴化十六烷基三甲基胺(CTAB)作用下,采用溶胶-凝胶法再结合程序升温溶剂热法制备了纳米复合材料Ag/ZnO-SnO2(CTAB),其中Ag,Zn,Sn摩尔比为0.1∶2∶1.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜配合X射线能量色散谱(SEM-EDS)和N2吸附-脱附测定等方法对复合材料的组成、结构及形貌等进行了表征.结果表明,该复合材料具有纤锌矿和金红石结构,Ag以单质形式存在.与未经CTAB作用的样品相比,Ag/ZnO-SnO2(CTAB)颗粒分布更均匀,且呈现规则的纳米棒状结构.复合材料在紫外光和可见光作用下对罗丹明B(RhB)的光催化降解结果显示,样品Ag/ZnO-SnO2(CTAB)的光催化活性明显高于Ag/ZnO-SnO2、ZnO-SnO2、ZnO和商用P-25. 展开更多

关键词 溴化十六烷基三甲基胺 溶胶-凝胶法 ag/zno—sno2 光催化 罗丹明B

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木质素模板法制备纳米花状炭负载Ag-ZnO及其光催化CO_(2)转化

2

作者 安必惠 陈浩杰 +2 位作者 张莉莉 马金霞 王志国 《林产化学与工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期20-26,共7页

以碱木质素(AL)为模板,制备纳米级碱木质素负载氧化锌(ZnO/AL)复合材料,并在此基础上负载银纳米粒子(AgNPs),后经高温煅烧制备纳米花状炭负载银-氧化锌(Ag-ZnO/C)复合材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD... 以碱木质素(AL)为模板,制备纳米级碱木质素负载氧化锌(ZnO/AL)复合材料,并在此基础上负载银纳米粒子(AgNPs),后经高温煅烧制备纳米花状炭负载银-氧化锌(Ag-ZnO/C)复合材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等技术对复合材料进行了表征,并评估其光催化转化CO_(2)的能力。研究结果表明:以木质素为模板时,ZnO/AL在后续煅烧过程中依然可维持纳米花的形貌结构,并且木质素能够原位还原银离子为AgNPs使其均匀负载于ZnO花片层上。能量色散X射线(EDX)分析表明:Ag-ZnO/C复合材料主要由C(14.7%)、O(14.4%)、Zn(34.1%)和Ag(18.0%)元素组成,结合TEM、XRD及XPS分析,证明了Ag-ZnO/C复合材料已经成功制备。比较了Ag^(+)/Zn^(2+)物质的量比分别为1∶2(Ag_(0.1)-ZnO 0.2/C)和1∶10(Ag_(0.1)-ZnO_(1.0)/C)时复合材料光催化转化CO_(2)的能力,光电流响应及阻抗谱测试结果表明:Ag_(0.1)-ZnO_(1.0)/C的光电流强度较高,电阻较小,光催化活性更优。Ag_(0.1)-ZnO_(1.0)/C光催化CO_(2)转化,CH 4一直持续偏低,反应10 h时CO的产率可达114.9μmol/g。 展开更多

关键词 木质素 ag-zno纳米花 CO_(2)转化

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Ag/SnO_2电接触材料的研究进展 被引量：15

3

作者 张德林 林晨光 +2 位作者 王家君 李明 崔舜 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期459-463,470,共6页

综述了Ag/SnO2电接触材料的研究进展,分别从材料的特性、添加剂的影响、制备方法及加工工艺等几个方面进行总结,阐述了Ag/SnO2电接触材料的发展现状,并介绍了纳米技术在该领域的应用状况,探讨了制备技术的改进对Ag/SnO2电接触材料性能... 综述了Ag/SnO2电接触材料的研究进展,分别从材料的特性、添加剂的影响、制备方法及加工工艺等几个方面进行总结,阐述了Ag/SnO2电接触材料的发展现状,并介绍了纳米技术在该领域的应用状况,探讨了制备技术的改进对Ag/SnO2电接触材料性能的影响。 展开更多

关键词 电接触材料 添加剂 纳米ag/sno2粉末 制备方法 纳米技术

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制备工艺对Ag/SnO_2材料力学性能的影响 被引量：7

4

作者 张志伟 陈敬超 +2 位作者 张昆华 冯晶 郭荣鑫 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期562-565,共4页

采用粉末冶金和反应合成两种工艺制备了Ag/SnO2电接触材料,分析了两种工艺对显微组织的影响,发现反应合成法制备的Ag/SnO2材料经热挤压后,SnO2颗粒呈纤维状排列,颗粒细小,分散均匀,与基体浸润良好。断裂拉伸测试和分析表明,粉末冶金法... 采用粉末冶金和反应合成两种工艺制备了Ag/SnO2电接触材料,分析了两种工艺对显微组织的影响,发现反应合成法制备的Ag/SnO2材料经热挤压后,SnO2颗粒呈纤维状排列,颗粒细小,分散均匀,与基体浸润良好。断裂拉伸测试和分析表明,粉末冶金法制备的Ag/SnO2材料的拉伸断口形貌由许多互相连接的撕裂棱和韧窝组成,表现为韧断;而反应合成法制备的断口形貌韧窝更加细小,显示出近脆性断裂特征。最后比较了两种方法制备的Ag/SnO2材料的抗拉强度、延伸率、硬度等力学性能。 展开更多

关键词 粉末冶金 反应合成 力学性能 ag/sno2材料

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CTAB辅助合成纳米复合材料Ag/ZnO-TiO_2及其紫外光催化性能 被引量：10

5

作者 禚娜 李莉 +3 位作者 高宇 路露 黄贤丹 王丽丽 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第5期991-998,共8页

在模板剂溴化十六烷基三甲基胺(CTAB)的辅助作用下,按nAg∶nZn∶nTi=0.1∶2∶1的物质的量的比,采用溶胶-凝胶再结合程序升温溶剂热法制备了一系列纳米复合材料Ag/ZnO-TiO2(CTAB),并经X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis/D... 在模板剂溴化十六烷基三甲基胺(CTAB)的辅助作用下,按nAg∶nZn∶nTi=0.1∶2∶1的物质的量的比,采用溶胶-凝胶再结合程序升温溶剂热法制备了一系列纳米复合材料Ag/ZnO-TiO2(CTAB),并经X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis/DRS)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜配合X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)和N2吸附-脱附测定等测试手段对不同温度(500、600、700℃)和不同时间(5、7 h)下煅烧得到各产物的组成、结构及形貌等进行了表征。结果表明,该系列复合材料不仅含有ZnO纤锌矿和TiO2锐钛矿结构,同时有部分Zn2TiO4生成,其Ag还以单质形式存在。在CTAB作用下改变煅烧温度和时间可使各产物分别呈现纳米线、纳米球等多种形态,且颗粒分布较均匀。上述各复合材料在紫外光作用下对罗丹明B(RB)的光催化降解结果显示,样品煅烧温度和煅烧时间不同,其活性会发生明显的变化。 展开更多

关键词 溴化十六烷基三甲基胺 溶胶-凝胶 ag zno TIO2 光催化 罗丹明B

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SnO_2颗粒大小对Ag/SnO_2(10)材料组织与性能的影响 被引量：3

6

作者 陈永泰 谢明 +4 位作者 陈家林 杨有才 刘满门 张吉明 王塞北 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2016年第B11期40-43,共4页

采用机械混粉、冷等静压成形、烧结、热挤压、轧制、拉拔、中间热处理等工艺集成的粉末冶金方法制备了3种含有不同平均粒径的SnO_2的Ag/SnO_2(10),探讨了SnO_2颗粒大小对Ag/SnO2(10)显微组织、密度、力学性能和电学性能的影响。结果表明... 采用机械混粉、冷等静压成形、烧结、热挤压、轧制、拉拔、中间热处理等工艺集成的粉末冶金方法制备了3种含有不同平均粒径的SnO_2的Ag/SnO_2(10),探讨了SnO_2颗粒大小对Ag/SnO2(10)显微组织、密度、力学性能和电学性能的影响。结果表明,SnO_2粉末越细,表面活性越高,越容易团聚。脆性相SnO_2在加工过程中有破碎现象。随着SnO_2颗粒尺寸的减少,材料的密度、抗拉强度、硬度和电阻率逐渐上升。 展开更多

关键词 ag/sno2(10) sno2颗粒大小 组织 物理性能 电学性能

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纳米SnO_2/ZnO复合氧化物的制备及制备条件对光催化性能的影响 被引量：8

7

作者 周秉明 申利春 曹建新 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期705-709,共5页

以SnCl4·5H2O、ZnSO4·7H2O、NH3·H2O为原料,采用共沉淀法制备出纳米SnO2/ZnO复合光催化剂,以降解甲基橙为模型反应,考察了不同条件制备的复合氧化物的光催化活性,并用TEM、XRD测试手段对其进行了表征。结果表明,ZnO复合S... 以SnCl4·5H2O、ZnSO4·7H2O、NH3·H2O为原料,采用共沉淀法制备出纳米SnO2/ZnO复合光催化剂,以降解甲基橙为模型反应,考察了不同条件制备的复合氧化物的光催化活性,并用TEM、XRD测试手段对其进行了表征。结果表明,ZnO复合SnO2后,光催化活性明显提高,但是焙烧温度超过900℃后,其光催化活性又大大降低。 展开更多

关键词 sno2/zno 共沉淀 光催化 甲基橙

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SnO_2表面改性对Ag/SnO_2复合粉末烧结组织及性能的影响 被引量：10

8

作者 倪孟良 凌国平 刘远廷 《贵金属》 CAS CSCD 2006年第3期7-12,21,共7页

采用沉积法和蒸发法分别对SnO2粉末进行WO3、Bi2O3+CuO表面改性处理,并用化学镀方法制备Ag/SnO2复合粉末。通过粉末冶金的方法对Ag/SnO2复合粉末进行烧结实验,并通过光学显微镜、扫描电镜观察烧结体的金相组织及复合粉末的形貌,对SnO2... 采用沉积法和蒸发法分别对SnO2粉末进行WO3、Bi2O3+CuO表面改性处理,并用化学镀方法制备Ag/SnO2复合粉末。通过粉末冶金的方法对Ag/SnO2复合粉末进行烧结实验,并通过光学显微镜、扫描电镜观察烧结体的金相组织及复合粉末的形貌,对SnO2表面改性方法及添加剂种类对Ag/SnO2烧结性能和组织的影响进行了研究。结果表明:沉积法改性使烧结体组织中的SnO2分布更均匀,且能明显提高烧结体Ag/SnO2的致密度。Bi2O3+CuO改性可消除SnO2的网络状分布,而WO3改性则显著改善电弧侵蚀后的表面组织。 展开更多

关键词 金属材料 电接触材料 ag/sno2 表面改性 化学镀银

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低温烧结纳米掺杂Ag-SnO_2电接触合金放电性能研究 被引量：4

9

作者 王俊勃 刘松涛 +3 位作者 杨敏鸽 贺辛亥 付翀 丁秉钧 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期24064-24069,共6页

利用化学共沉淀、高能球磨技术及热压烧结等方法制备出Fe掺杂纳米复合Ag-SnO2电接触合金,测定了纳米复合电接触合金密度、硬度、电阻率、耐电压强度、耐烧蚀性等基本物理性能,运用扫描电镜(SEM)对电性能测试前后组织进行观察分析。结果... 利用化学共沉淀、高能球磨技术及热压烧结等方法制备出Fe掺杂纳米复合Ag-SnO2电接触合金,测定了纳米复合电接触合金密度、硬度、电阻率、耐电压强度、耐烧蚀性等基本物理性能,运用扫描电镜(SEM)对电性能测试前后组织进行观察分析。结果发现,Fe元素的加入,细化了纳米SnO2;Fe掺杂含量越多,纳米氧化物粒度越小,纳米复合电接触合金组织也越细小均匀,纳米复合电接触材料硬度、电阻率、平均耐电压强度和电弧寿命上升,截流值降低;且Fe掺杂对纳米复合电接触合金电弧烧蚀速率有明显影响。 展开更多

关键词 化学共沉淀 FE掺杂 纳米sno2 ag基电接触材料 放电性能

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复合纳米ZnO-SnO_2粉体的电合成及光催化性能的研究 被引量：6

10

作者 陈绮虹 高赛男 袁高清 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期24-26,共3页

采用改进的电化学法制备了ZnO-SnO2纳米复合氧化物粉体,通过XRD、FT-IR、TEM等测试手段,对产物的物相组成、粒径大小、形貌等进行了表征;并考察了该纳米复合粉体的光催化活性。结果表明,得到的产物(氧化锌与氧化锡的复合物)颗粒分布均... 采用改进的电化学法制备了ZnO-SnO2纳米复合氧化物粉体,通过XRD、FT-IR、TEM等测试手段,对产物的物相组成、粒径大小、形貌等进行了表征;并考察了该纳米复合粉体的光催化活性。结果表明,得到的产物(氧化锌与氧化锡的复合物)颗粒分布均匀、平均粒径约为30～50nm;该复合氧化物对甲基橙及亚甲基蓝溶液的光催化降解明显优于单纯的ZnO或SnO2;前驱体的焙烧温度以及ZnO和SnO2的复合摩尔比对ZnO-SnO2的光催化活性有较大的影响。 展开更多

关键词 复合氧化物 电合成 zno—sno2 光催化降解 甲基橙

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纳米ZnO/SnO_2粉体的制备及其光催化性能的研究 被引量：8

11

作者 黄新友 邓悦欢 李晓毅 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2010年第4期586-590,共5页

以SnCl4.5H2O、ZnNO3.6H2O、HCl、NaOH为原料,采用共沉淀法制备出纳米ZnO/SnO2纳米复合催化剂粉体,以降解甲基橙溶液反应为模型,考察了不同比例ZnO/SnO2纳米粉体的光催化活性,探讨了煅烧温度对催化剂催化活性的影响。并用差热失重分析仪... 以SnCl4.5H2O、ZnNO3.6H2O、HCl、NaOH为原料,采用共沉淀法制备出纳米ZnO/SnO2纳米复合催化剂粉体,以降解甲基橙溶液反应为模型,考察了不同比例ZnO/SnO2纳米粉体的光催化活性,探讨了煅烧温度对催化剂催化活性的影响。并用差热失重分析仪(TG/DSC)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)测试手段对其进行了表征。结果表明:ZnO复合SnO2后,光催化活性明显提高,其中以ZnO/SnO2在ZnO:SnO2=4:1的情况下复合催化剂光催化性能最优;热处理温度在650℃保温时间2h所得到的复合催化剂催化性能最好。 展开更多

关键词 纳米zno/sno2粉体 光催化 共沉淀 甲基橙

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ZnO/SnO_2复合透明导电膜性能的研究 被引量：3

12

作者 高哲 卢景霄 +3 位作者 陈庆东 刘玉芬 王子健 陈永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期417-421,共5页

采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要。研究了快速热退火(RTA)对... 采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要。研究了快速热退火(RTA)对薄膜的结构及光电性能的影响,发现400℃退火能够改善薄膜的光学性能。 展开更多

关键词 zno/sno2复合膜 快速热退火(RTA) 氢轰击 透过率

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热处理温度对Fe掺杂纳米ZnO/SnO_2催化剂粉体的光催化性能的影响 被引量：2

13

作者 黄新友 邓悦欢 +2 位作者 李晓毅 高春华 陈志刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期364-367,371,共5页

以SnCl4.5H2O、ZnNO3.6H2O、HCl、NaOH、FeCl3.6H2O为原料,采用共沉淀法制备Fe掺杂纳米ZnO/SnO2复合催化剂粉体,以溶液降解甲基橙反应为模型,借助透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测试仪等研究了热处理温度对0.2wt%Fe-Zn4Sn1(ZnO/SnO2=4/1... 以SnCl4.5H2O、ZnNO3.6H2O、HCl、NaOH、FeCl3.6H2O为原料,采用共沉淀法制备Fe掺杂纳米ZnO/SnO2复合催化剂粉体,以溶液降解甲基橙反应为模型,借助透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测试仪等研究了热处理温度对0.2wt%Fe-Zn4Sn1(ZnO/SnO2=4/1(物质的量比))复合催化剂(简为:FZS)粉体催化活性和结构的影响。结果表明:随着热处理温度的升高,光催化活性先升高后降低,热处理温度为650℃时所得的FZS粉体的光催化活性达到最高,对甲基橙的降解率为89.63%(紫外光照50 min)。随着热处理温度升高,FZS粉体的粒径逐渐增大,分散性仍然较好。当热处理温度达到750℃时,随着热处理温度的升高,FZS粉体团聚现象明显,比表面积急剧减小,使得光催化活性降低。在热处理温度高于850℃时,样品中出现Zn2SnO4晶体,也使得光催化活性降低。 展开更多

关键词 纳米zno/sno2 光催化 热处理温度 共沉淀

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直接Z型Zn2SnO4-xNx/ZnO1-yNy异质结光催化剂的制备及机理 被引量：2

14

作者 王敏 谈国强 +6 位作者 张丹 李斌 王颖 党明月 任慧君 夏傲 刘运 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1551-1560,共10页

采用微波溶剂热法成功制备直接Z型Zn2SnO4-xNx/ZnO1-yNy核壳结构异质结光催化剂。2种物质不同的功函数改变了其表面电荷密度,并在界面处形成内建电场,导致其从传统的Ⅰ型镶嵌异质结转变为Ⅱ型异质结,再转变为Z型异质结构。N杂质原子替代... 采用微波溶剂热法成功制备直接Z型Zn2SnO4-xNx/ZnO1-yNy核壳结构异质结光催化剂。2种物质不同的功函数改变了其表面电荷密度,并在界面处形成内建电场,导致其从传统的Ⅰ型镶嵌异质结转变为Ⅱ型异质结,再转变为Z型异质结构。N杂质原子替代O原子进入Zn2SnO4和ZnO的晶格,在两者的价带(VB)顶部形成双杂质能级。核壳结构的Z型异质结光催化剂对罗丹明B的降解速率为纯相Zn2SnO4-xNx的1.40~1.43倍,同时具有良好的循环稳定性,且可以降解亚甲基蓝、甲基橙、水杨酸等污染物。Z型异质结的形成使其光生电子-空穴对具有较强的氧化还原能力,而双杂质能级的存在可以拓宽其光响应范围并提高载流子的分离效率。因此,Zn2SnO4-xNx/ZnO1-yNy异质结光催化剂高的光催化活性归因于Z型异质结和双杂质能级的协同作用。 展开更多

关键词 光催化 氮掺杂 Z型 Zn2sno4-xNx zno1-yNy

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ZnO对Ag/SiO_2催化剂银的分散作用及对吲哚合成稳定性的影响 被引量：4

15

作者 石雷 孙仁安 +1 位作者 蔡天锡 王新平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期108-110,113,共4页

将 Zn O助剂加到由苯胺和乙二醇一步合成吲哚的 Ag/ Si O2 催化剂中 ,发现 Zn O助剂能大大提高催化剂的稳定性 .XRD和 TEM表征首次得到 :Zn O是结构型助剂 ,它能使银很好地分散在 Si O2 表面上 ,并可有效地抑制反应过程中银粒子的烧结 .

关键词 zno ag/SiO2 催化剂 银 分散作用 吲哚 合成 稳定性 催化性能 二氧化硅 氧化锌

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一种新型Ag-SnO_2触头材料的制备及对性能的影响 被引量：4

16

作者 周兆锋 甘卫平 林炳 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2004年第3期22-24,共3页

采用化学共沉淀法和粉末热锻相结合的工艺,研制出新型的Ag-SnO2触头材料,并对其组织结构进行了观察分析,同时还测试了材料的密度、硬度、电阻率等物理性能。

关键词 ag—sno2触头材料 化学共沉淀 粉末热锻

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大塑性变形对粉末冶金法制备Ag/SnO2材料性能的影响 被引量：3

17

作者 张志伟 陈敬超 +2 位作者 潘勇 张昆华 管伟明 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期3-6,共4页

用粉末冶金法制备Ag/SnO2材料,考察了Ag/SnO2材料在大塑性变形过程中的组织均匀化及性能变化情况。经SEM分析表明,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,聚集区的SnO2颗粒逐渐分散并均匀分布。经过性能测试和XRD分析,Ag/SnO2复合材料经过大... 用粉末冶金法制备Ag/SnO2材料,考察了Ag/SnO2材料在大塑性变形过程中的组织均匀化及性能变化情况。经SEM分析表明,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,聚集区的SnO2颗粒逐渐分散并均匀分布。经过性能测试和XRD分析,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,材料的抗拉强度升高,塑性改善,亚晶粒尺寸减小,使材料更容易加工;电导率随真应变呈先上升后下降的趋势。 展开更多

关键词 ag/sno2材料 大塑性变形 粉末冶金 性能分析

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SnO_2∶ZnO 薄膜乙醇气敏光纤传感技术 被引量：2

18

作者 郑顺旋 郭斯淦 余永安 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期271-276,共6页

本文提出了一种新的气敏光学薄膜,其基质为二氧化锡,掺杂质为氧化锌。试验了它对乙醇的气敏特性,获得良好的效果。

关键词 sno2:zno薄膜 乙醇 气敏传感技术

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电泳沉积法制备ZnO/SnO_2复合薄膜及其光催化性能研究 被引量：1

19

作者 赵丽 范佳杰 +2 位作者 余家国 翟鹏程 王世敏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1211-1214,共4页

在导电玻璃FTO基底上,利用电泳沉积技术成功制备了ZnO/SnO2复合薄膜,并对样品进行了SEM和XRD表征,并以降解罗丹明B为模型反应,考察不同条件下制备的复合薄膜的光催化活性。结果表明电泳沉积时间为20min时,可得到表面致密均匀的ZnO薄膜,... 在导电玻璃FTO基底上,利用电泳沉积技术成功制备了ZnO/SnO2复合薄膜,并对样品进行了SEM和XRD表征,并以降解罗丹明B为模型反应,考察不同条件下制备的复合薄膜的光催化活性。结果表明电泳沉积时间为20min时,可得到表面致密均匀的ZnO薄膜,膜厚为0.5μm,且随着电泳沉积时间的延长,薄膜的光催化速率不断增加,沉积时间为20min时,光催化速率达到最大(0.016min-1),如此优异的光催化性能可能是由于异质结构光催化剂ZnO/SnO2减小光生电子-空穴的复合几率,提高了复合催化剂的光催化效率。此外,还研究了热处理温度对ZnO/SnO2复合薄膜光催化效率的影响,结果发现在300℃热处理的光催化薄膜对罗丹明B的降解率最好,活性最高。 展开更多

关键词 zno/sno2复合薄膜 电泳沉积 光催化性能

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稀土Dy掺杂对ZnO,CdO和SnO_2薄膜性能的影响 被引量：2

20

作者 韩菲 李健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期936-942,共7页

用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性,使薄膜表面的致密性变好。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳... 用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性,使薄膜表面的致密性变好。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳掺Dy原子数分数为5%,5%和3%。掺Dy后Cd O,ZnO和SnO2薄膜的导电类型均为n型,电阻值降低约一个数量级。Dy掺杂使得薄膜的致密性增加而导致光透过率降低。制备的薄膜都是直接带隙半导体,相应的光学带隙:Cd O约2.232 eV,CdO∶Dy(Dy原子数分数5%)的略增为2.241 e V,ZnO薄膜约为3.31 eV;ZnO∶Dy(Dy原子数分数5%)约3.25 eV,SnO2薄膜约3.07 eV,SnO2∶Dy(Dy原子数分数3%)约3.03 eV。 展开更多

关键词 热蒸发 CDO zno sno2 薄膜 稀土Dy掺杂 热处理

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