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大塑性变形对粉末冶金法制备Ag/SnO2材料性能的影响 被引量:3
1
作者 张志伟 陈敬超 +2 位作者 潘勇 张昆华 管伟明 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期3-6,共4页
用粉末冶金法制备Ag/SnO2材料,考察了Ag/SnO2材料在大塑性变形过程中的组织均匀化及性能变化情况。经SEM分析表明,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,聚集区的SnO2颗粒逐渐分散并均匀分布。经过性能测试和XRD分析,Ag/SnO2复合材料经过大... 用粉末冶金法制备Ag/SnO2材料,考察了Ag/SnO2材料在大塑性变形过程中的组织均匀化及性能变化情况。经SEM分析表明,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,聚集区的SnO2颗粒逐渐分散并均匀分布。经过性能测试和XRD分析,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,材料的抗拉强度升高,塑性改善,亚晶粒尺寸减小,使材料更容易加工;电导率随真应变呈先上升后下降的趋势。 展开更多
关键词 ag/sno2材料 大塑性变形 粉末冶金 性能分析
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La、Bi共掺杂Ag/SnO2触头材料导电性能的理论分析 被引量:13
2
作者 康慧玲 王景芹 张颖 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期463-468,共6页
通过CASTEP软件计算了La、Bi共掺杂SnO2的电子结构和导电性能,分析了晶格常数、能带结构、态密度和电荷布局。分析结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料,共掺杂后晶胞体积增加,La的5p和Bi的6s、6p电子态进入导带部分,使导带... 通过CASTEP软件计算了La、Bi共掺杂SnO2的电子结构和导电性能,分析了晶格常数、能带结构、态密度和电荷布局。分析结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料,共掺杂后晶胞体积增加,La的5p和Bi的6s、6p电子态进入导带部分,使导带底向低能端移动,费米能级进入价带顶,带隙变小,载流子只需较小的能量就可以从价带跃迁至导带,与La,Bi单掺杂相比,SnO2的导电性进一步增强。该仿真结果与已有的实验结果相互验证,为获得导电性优良的Ag/SnO2触头材料提供了理论支持。 展开更多
关键词 ag/sno2 第一性原理 共掺杂 导电性
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成型工艺对Ag/SnO2电接触材料物理及力学性能的影响 被引量:5
3
作者 郑晓华 王贵葱 +2 位作者 张玲洁 陈晓 杨芳儿 《热加工工艺》 北大核心 2020年第14期75-78,共4页
以化学共沉淀法合成的SnO2粉体为原料,采用机械合金化技术制备Ag/SnO2复合粉体,并采用不同工艺组合制成Ag/SnO2电接触材料,对工艺条件进行了优化,分析并对比了材料的物理及力学性能。结果表明:所制备的Ag/SnO2复合粉体由Ag、SnO2两相组... 以化学共沉淀法合成的SnO2粉体为原料,采用机械合金化技术制备Ag/SnO2复合粉体,并采用不同工艺组合制成Ag/SnO2电接触材料,对工艺条件进行了优化,分析并对比了材料的物理及力学性能。结果表明:所制备的Ag/SnO2复合粉体由Ag、SnO2两相组成,不含其它杂相;相比单道次冷压、单道次热压以及冷压-冷压组合3种工艺,采用冷压-热压组合工艺制备的Ag/SnO2电接触材料在硬度、电导率以及相对密度方面具有明显优势,电阻率达到最低值2.43μΩ·cm,相对密度最高(97.78%),韧性最佳。 展开更多
关键词 ag/sno2 电接触材料 机械合金化 烧结 微观组织
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Ag/SnO_2电接触材料的研究进展 被引量:15
4
作者 张德林 林晨光 +2 位作者 王家君 李明 崔舜 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期459-463,470,共6页
综述了Ag/SnO2电接触材料的研究进展,分别从材料的特性、添加剂的影响、制备方法及加工工艺等几个方面进行总结,阐述了Ag/SnO2电接触材料的发展现状,并介绍了纳米技术在该领域的应用状况,探讨了制备技术的改进对Ag/SnO2电接触材料性能... 综述了Ag/SnO2电接触材料的研究进展,分别从材料的特性、添加剂的影响、制备方法及加工工艺等几个方面进行总结,阐述了Ag/SnO2电接触材料的发展现状,并介绍了纳米技术在该领域的应用状况,探讨了制备技术的改进对Ag/SnO2电接触材料性能的影响。 展开更多
关键词 电接触材料 添加剂 纳米ag/sno2粉末 制备方法 纳米技术
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制备工艺对Ag/SnO_2材料力学性能的影响 被引量:7
5
作者 张志伟 陈敬超 +2 位作者 张昆华 冯晶 郭荣鑫 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期562-565,共4页
采用粉末冶金和反应合成两种工艺制备了Ag/SnO2电接触材料,分析了两种工艺对显微组织的影响,发现反应合成法制备的Ag/SnO2材料经热挤压后,SnO2颗粒呈纤维状排列,颗粒细小,分散均匀,与基体浸润良好。断裂拉伸测试和分析表明,粉末冶金法... 采用粉末冶金和反应合成两种工艺制备了Ag/SnO2电接触材料,分析了两种工艺对显微组织的影响,发现反应合成法制备的Ag/SnO2材料经热挤压后,SnO2颗粒呈纤维状排列,颗粒细小,分散均匀,与基体浸润良好。断裂拉伸测试和分析表明,粉末冶金法制备的Ag/SnO2材料的拉伸断口形貌由许多互相连接的撕裂棱和韧窝组成,表现为韧断;而反应合成法制备的断口形貌韧窝更加细小,显示出近脆性断裂特征。最后比较了两种方法制备的Ag/SnO2材料的抗拉强度、延伸率、硬度等力学性能。 展开更多
关键词 粉末冶金 反应合成 力学性能 ag/sno2材料
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SnO_2表面改性对Ag/SnO_2复合粉末烧结组织及性能的影响 被引量:10
6
作者 倪孟良 凌国平 刘远廷 《贵金属》 CAS CSCD 2006年第3期7-12,21,共7页
采用沉积法和蒸发法分别对SnO2粉末进行WO3、Bi2O3+CuO表面改性处理,并用化学镀方法制备Ag/SnO2复合粉末。通过粉末冶金的方法对Ag/SnO2复合粉末进行烧结实验,并通过光学显微镜、扫描电镜观察烧结体的金相组织及复合粉末的形貌,对SnO2... 采用沉积法和蒸发法分别对SnO2粉末进行WO3、Bi2O3+CuO表面改性处理,并用化学镀方法制备Ag/SnO2复合粉末。通过粉末冶金的方法对Ag/SnO2复合粉末进行烧结实验,并通过光学显微镜、扫描电镜观察烧结体的金相组织及复合粉末的形貌,对SnO2表面改性方法及添加剂种类对Ag/SnO2烧结性能和组织的影响进行了研究。结果表明:沉积法改性使烧结体组织中的SnO2分布更均匀,且能明显提高烧结体Ag/SnO2的致密度。Bi2O3+CuO改性可消除SnO2的网络状分布,而WO3改性则显著改善电弧侵蚀后的表面组织。 展开更多
关键词 金属材料 电接触材料 ag/sno2 表面改性 化学镀银
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SnO_2颗粒大小对Ag/SnO_2(10)材料组织与性能的影响 被引量:3
7
作者 陈永泰 谢明 +4 位作者 陈家林 杨有才 刘满门 张吉明 王塞北 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2016年第B11期40-43,共4页
采用机械混粉、冷等静压成形、烧结、热挤压、轧制、拉拔、中间热处理等工艺集成的粉末冶金方法制备了3种含有不同平均粒径的SnO_2的Ag/SnO_2(10),探讨了SnO_2颗粒大小对Ag/SnO2(10)显微组织、密度、力学性能和电学性能的影响。结果表明... 采用机械混粉、冷等静压成形、烧结、热挤压、轧制、拉拔、中间热处理等工艺集成的粉末冶金方法制备了3种含有不同平均粒径的SnO_2的Ag/SnO_2(10),探讨了SnO_2颗粒大小对Ag/SnO2(10)显微组织、密度、力学性能和电学性能的影响。结果表明,SnO_2粉末越细,表面活性越高,越容易团聚。脆性相SnO_2在加工过程中有破碎现象。随着SnO_2颗粒尺寸的减少,材料的密度、抗拉强度、硬度和电阻率逐渐上升。 展开更多
关键词 ag/sno2(10) sno2颗粒大小 组织 物理性能 电学性能
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大塑性变形对Ag/SnO_2材料显微组织与性能的影响 被引量:1
8
作者 张志伟 陈敬超 +2 位作者 潘勇 张昆华 管伟明 《贵金属》 CAS CSCD 2007年第4期12-16,共5页
对两种制备工艺制备的SnO2质量分数为5%的Ag/SnO2复合材料进行了不同应变程度的挤压,研究了组织形貌,发现对于反应合成制备的Ag/SnO2材料经过较大真实应变挤压后纤维状组织消失,SnO2颗粒更加弥散。比较了两种方法制备的Ag/SnO2材料的电... 对两种制备工艺制备的SnO2质量分数为5%的Ag/SnO2复合材料进行了不同应变程度的挤压,研究了组织形貌,发现对于反应合成制备的Ag/SnO2材料经过较大真实应变挤压后纤维状组织消失,SnO2颗粒更加弥散。比较了两种方法制备的Ag/SnO2材料的电导率、抗拉强度及延伸率,及质量分数对其的性能的影响。发现经过较大的真实应变挤压,3种性能都得到了很好改善。 展开更多
关键词 金属材料 复合材料 ag/sno2 反应合成 粉末冶金 大塑性变形
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SnO_2、Ag/SnO_2微球的制备及其光催化性能研究 被引量:2
9
作者 张丽惠 孙开莲 韦致远 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期672-676,共5页
在SnCl_2-H_2C_2O_4-PVP(聚乙烯吡络烷酮)-H_2O的水热体系中,180℃下反应10 h制备了粒径约为900 nm的四方结构的SnO_2微球。以SnO_2微球为基底,通过光还原法,制备了Ag/SnO_2复合微球。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对产物进行... 在SnCl_2-H_2C_2O_4-PVP(聚乙烯吡络烷酮)-H_2O的水热体系中,180℃下反应10 h制备了粒径约为900 nm的四方结构的SnO_2微球。以SnO_2微球为基底,通过光还原法,制备了Ag/SnO_2复合微球。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对产物进行结构表征,并提出了可能的化学反应。以酸性大红为例,研究了SnO_2微球和Ag/SnO_2复合物的光催化性能,结果表明,SnO_2微球和Ag/SnO_2复合物对酸性大红的降解均有一定的光催化效果,而且,Ag的复合可以有效提高SnO_2微球的光催化活性。 展开更多
关键词 sno2微球 ag/sno2复合物 光催化性能
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氧氩比对SnO_2/Ag/SnO_2透明导电膜光电性能的影响 被引量:4
10
作者 于仕辉 丁玲红 +1 位作者 薛闯 张伟风 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1086-1089,共4页
在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:... 在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1∶14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω.cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400~800nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1∶14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq. 展开更多
关键词 磁控溅射 sno2/ag/sno2 氧氩比 透明导电薄膜
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Ag-SnO_2复合材料的热压缩变形行为 被引量:8
11
作者 许灿辉 易丹青 +4 位作者 曹适意 刘会群 吴春萍 孙顺平 刘润勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2091-2098,共8页
采用Gleeble?1500热模拟实验机对Ag-SnO2(10%,质量分数)复合材料进行高温压缩变形实验,分析该材料在变形温度为750~900℃、应变速率为0.01~1 s?1条件下的流变应力变化规律;采用透射电镜(TEM)观察Ag-SnO2(10%)复合材料热压缩变... 采用Gleeble?1500热模拟实验机对Ag-SnO2(10%,质量分数)复合材料进行高温压缩变形实验,分析该材料在变形温度为750~900℃、应变速率为0.01~1 s?1条件下的流变应力变化规律;采用透射电镜(TEM)观察Ag-SnO2(10%)复合材料热压缩变形后的显微组织。采用双曲正弦确定了该材料的变形激活能,建立了以Zener-Hollomon参数描述的高温塑性变形本构模型,并验证了本构模型的准确性。结果表明:变形温度和应变速率均对流变应力有显著影响,流变应力随变形温度升高而减小,随应变速率的增加而增大。动态再结晶和孪晶共同作用是Ag-SnO2复合材料热压缩变形的主要变形机制,随应变速率增加,孪晶数量增多,并形成了二次孪晶。 展开更多
关键词 ag-sno2复合材料 热压缩变形 本构方程 显微组织
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Fe掺杂纳米复合Ag-SnO_2电接触材料耐电压性能 被引量:10
12
作者 王俊勃 胡大方 +2 位作者 杨敏鸽 张燕 丁秉钧 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期24-28,共5页
利用化学共沉淀和常压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO2和Fe掺杂Ag-SnO2触头合金,对合金触头进行了耐电压实验和SEM形貌观察。实验结果发现制备的触头合金呈现纳米第二相弥散均匀分布在Ag基体中。纳米复合电接触材料耐电压强度分布比商... 利用化学共沉淀和常压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO2和Fe掺杂Ag-SnO2触头合金,对合金触头进行了耐电压实验和SEM形貌观察。实验结果发现制备的触头合金呈现纳米第二相弥散均匀分布在Ag基体中。纳米复合电接触材料耐电压强度分布比商业用AgSnO2In2O3集中,但平均耐电压强度比商用低9.8%~29.7%。放电后,纳米复合电接触材料表面蚀坑凸凹起伏程度小,烧蚀轻微。 展开更多
关键词 化学共沉淀 常压烧结 Fe掺杂sno2 纳米复合ag-sno2电接触合金 耐电压强度
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Fe掺杂对Ag-SnO_2电接触涂层组织和性能的影响 被引量:3
13
作者 付翀 刘宁 +3 位作者 郭天福 张宇慧 王俊勃 杨敏鸽 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期25-28,共4页
利用等离子喷涂技术在Cu基体表面制备Ag-SnO_2和Ag-(SnFe)O_2两种涂层材料,测试两种涂层的硬度、电阻率等物理性能,并对涂层样品进行电性能试验,测量涂层的电弧烧蚀速率,进一步通过扫描电镜对涂层样品电弧烧蚀前后的形貌进行观察和分析... 利用等离子喷涂技术在Cu基体表面制备Ag-SnO_2和Ag-(SnFe)O_2两种涂层材料,测试两种涂层的硬度、电阻率等物理性能,并对涂层样品进行电性能试验,测量涂层的电弧烧蚀速率,进一步通过扫描电镜对涂层样品电弧烧蚀前后的形貌进行观察和分析。结果表明,与无掺杂的Ag-SnO_2涂层相比,Ag-(SnFe)O_2涂层组织更加均匀致密,电弧寿命长而电弧截流值低,电弧烧蚀速率低,涂层表面发生的局部熔化和液态Ag集中喷溅的现象明显减轻。 展开更多
关键词 等离子喷涂 掺杂 ag-sno2 电性能
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复挤压对Ag-SnO2触点材料显微组织和性能的影响 被引量:13
14
作者 张国庆 尹志民 +2 位作者 武海军 万吉高 张昆华 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期67-71,共5页
测试Ag-SnO2触点材料的加工性能和力学性能,借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和透射电镜(TEM)研究Ag-SnO2触点材料经过不同次数挤压后显微组织的变化,观察和分析材料中SnO2颗粒的分布及尺寸变化,得出Ag-SnO2触点材料性能与显微组织之... 测试Ag-SnO2触点材料的加工性能和力学性能,借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和透射电镜(TEM)研究Ag-SnO2触点材料经过不同次数挤压后显微组织的变化,观察和分析材料中SnO2颗粒的分布及尺寸变化,得出Ag-SnO2触点材料性能与显微组织之间的关系。累积大塑性变形加工能够对Ag-SnO2触点材料的显微组织起到均匀化和弥散强化作用,从而使Ag-SnO2触点材料的抗拉强度随挤压次数的增加而降低,伸长率随挤压次数的增加而提高。 展开更多
关键词 ag-sno2触点材料 复挤压 显微组织 力学性能
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滤纸模板法制备Ag-SnO_2电接触材料 被引量:4
15
作者 付翀 仇润红 +3 位作者 张宇慧 刘宁 王俊勃 侯锦丽 《有色金属工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期35-39,共5页
首先以纳米SnO_2粉体和Ag NO3为原料,滤纸为模板,通过浸渍、煅烧制备了Ag-SnO_2复合粉体,然后利用Ag-SnO_2粉体为原料,采用压制、烧结工艺制备了Ag-SnO_2电接触合金。进一步通过XRD和SEM等分析手段对所制备的复合粉体和合金样品进行表征... 首先以纳米SnO_2粉体和Ag NO3为原料,滤纸为模板,通过浸渍、煅烧制备了Ag-SnO_2复合粉体,然后利用Ag-SnO_2粉体为原料,采用压制、烧结工艺制备了Ag-SnO_2电接触合金。进一步通过XRD和SEM等分析手段对所制备的复合粉体和合金样品进行表征,并借助TG-DSC对滤纸前躯体的分解过程进行分析,同时研究了不同纳米SnO_2含量对Ag-SnO_2电接触合金组织和性能的影响。结果表明,所制备的Ag-SnO_2复合粉体由四方相金红石型结构的SnO_2和立方相的银组成,模板去除干净,无杂质引入。由于滤纸模板的引入使得SnO_2颗粒弥散分布于银基体中。随着SnO_2含量的增加,Ag-SnO_2电接触合金的硬度有上升趋势,但高氧化物含量也导致模板的分散效果变差,使得合金的电导率和致密度逐渐降低。 展开更多
关键词 ag-sno2 电接触材料 无灰定量滤纸 模板法
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CTAB作用下纳米复合材料Ag/ZnO-SnO_2的制备与光催化降解罗丹明B 被引量:4
16
作者 李莉 禚娜 +3 位作者 高宇 赵月红 李恩帅 赵立杰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1264-1270,共7页
在模板剂溴化十六烷基三甲基胺(CTAB)作用下,采用溶胶-凝胶法再结合程序升温溶剂热法制备了纳米复合材料Ag/ZnO-SnO2(CTAB),其中Ag,Zn,Sn摩尔比为0.1∶2∶1.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子... 在模板剂溴化十六烷基三甲基胺(CTAB)作用下,采用溶胶-凝胶法再结合程序升温溶剂热法制备了纳米复合材料Ag/ZnO-SnO2(CTAB),其中Ag,Zn,Sn摩尔比为0.1∶2∶1.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜配合X射线能量色散谱(SEM-EDS)和N2吸附-脱附测定等方法对复合材料的组成、结构及形貌等进行了表征.结果表明,该复合材料具有纤锌矿和金红石结构,Ag以单质形式存在.与未经CTAB作用的样品相比,Ag/ZnO-SnO2(CTAB)颗粒分布更均匀,且呈现规则的纳米棒状结构.复合材料在紫外光和可见光作用下对罗丹明B(RhB)的光催化降解结果显示,样品Ag/ZnO-SnO2(CTAB)的光催化活性明显高于Ag/ZnO-SnO2、ZnO-SnO2、ZnO和商用P-25. 展开更多
关键词 溴化十六烷基三甲基胺 溶胶-凝胶法 ag/ZnO—sno2 光催化 罗丹明B
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表面等离子共振Ag-SnO_2复合膜光学传感器 被引量:2
17
作者 符运良 孔令光 +1 位作者 傅军 袁一方 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期250-252,256,共4页
为了研究CuO的不同掺杂浓度对表面等离子共振角的影响,提出一种新型的棱镜耦合法Ag-SnO2(掺杂CuO)复合膜表面等离子共振光学传感器结构。采用射频反应溅射法在清洗处理后的金红石棱镜上依次制备Ag膜(50nm),SnO2膜(50nm),CuO和SnO2膜(50n... 为了研究CuO的不同掺杂浓度对表面等离子共振角的影响,提出一种新型的棱镜耦合法Ag-SnO2(掺杂CuO)复合膜表面等离子共振光学传感器结构。采用射频反应溅射法在清洗处理后的金红石棱镜上依次制备Ag膜(50nm),SnO2膜(50nm),CuO和SnO2膜(50nm)4层膜结构,CuO的厚度依其不同的掺杂体积分数的不同而不同,经过退火实现SnO2薄膜的掺杂得到复合膜。以He-Ne激光632.8nm为入射激励光源,通过采用表面等离子共振实验方法,CuO的掺杂体积分数分别为0,0.01和0.05时,得到共振角分别为59.61°,60.52°和61.3°的结果。结果表明,CuO掺杂的体积分数越大,表面等离子共振的共振角越大。 展开更多
关键词 薄膜 ag-sno2复合膜 表面等离子共振 共振角 介电常数
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Ag/SnO_2材料挤压变形过程中的性能研究 被引量:1
18
作者 张志伟 沈喜海 +3 位作者 张卫国 邵丽君 王月辉 廉琪 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期102-104,109,共4页
采用反应合成法制备了Ag/SnO2材料,研究了Ag/SnO2材料的强化机制。经SEM分析表明,反应合成法制备的Ag/SnO2材料经过剧烈塑性变形后,类纤维组织逐渐消失,SnO2颗粒逐渐弥散到Ag基体中;反应合成制备的材料的强化机制主要是类纤维强化。
关键词 ag/sno_2材料 大塑性变形 反应合成法 类纤维强化
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Bi2O3含量对Ag-SnO2触点材料性能的影响 被引量:2
19
作者 陈勇 李合琴 +1 位作者 冯旭强 石松礼 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期63-68,95,共7页
采用复压复烧工艺制备了不同Bi2O3含量的Ag-10SnO2-Bi2O3触点材料,并对其组织结构、密度、硬度、电阻率、抗电化学腐蚀和抗电弧腐蚀性能进行了测试和分析。结果表明,随着Bi2O3含量的增加,Ag-10SnO2-Bi2O3触点材料硬度升高,电导率下降,... 采用复压复烧工艺制备了不同Bi2O3含量的Ag-10SnO2-Bi2O3触点材料,并对其组织结构、密度、硬度、电阻率、抗电化学腐蚀和抗电弧腐蚀性能进行了测试和分析。结果表明,随着Bi2O3含量的增加,Ag-10SnO2-Bi2O3触点材料硬度升高,电导率下降,化学腐蚀抗力上升。触头电弧侵蚀面积与腐蚀孔洞的数量密切相关,孔洞数量增加会导致触头强度下降,扩大了配对触头的接触面积,导致电弧侵蚀面积扩大。当添加1%Bi2O3时,触头电弧侵蚀区和喷溅区面积最小,孔洞数量最少,触头性能优良。 展开更多
关键词 BI2O3 ag-sno2触点材料 继电器触点 电弧侵蚀
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表面等离子共振Ag-SnO_2薄膜光化学气体传感器 被引量:1
20
作者 符运良 袁一方 +1 位作者 傅军 李天略 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第1期54-55,59,共3页
提出一种新型的Ag-SnO2复合膜H2S光化学表面等离子共振(SPR)气体传感器结构。结构中使用一只金红石材料作成的棱镜作为耦合棱镜,在棱镜的底边采用射频溅射技术制作Ag-SnO2复合膜(CuO为掺杂质),Ag膜和SnO2膜的厚度分别为50 nm和100 nm,... 提出一种新型的Ag-SnO2复合膜H2S光化学表面等离子共振(SPR)气体传感器结构。结构中使用一只金红石材料作成的棱镜作为耦合棱镜,在棱镜的底边采用射频溅射技术制作Ag-SnO2复合膜(CuO为掺杂质),Ag膜和SnO2膜的厚度分别为50 nm和100 nm,在复合膜上设置待测气体的样品池。在白光入射激励下,复合膜的分界面发生SPR现象。实验结果表明:SPR的波长与H2S气体的体积分数基本呈线性关系。 展开更多
关键词 表面等离子共振 ag-sno2复合膜 共振波长 H2S气体体积分数
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