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主动磁轴承开关功率放大器的设计被引量：4: 1; 作者祝长生蔡晓峰蔡晓清《机电工程》 CAS 2004年第11期29-33,共5页; 分析了各种调制技术的优缺点 ,介绍了 ,电磁轴承功率放大器的组成、原理、设计要求和调制技术 ,设计了一款基于DSP的开关功率放大器 ,并给出了实验结果。和传统的功放相比 ,该开关功率放大器可以显著地减少功耗和体积 ,简化线路 ,增强... 展开更多; 关键词开关功率放大器调制技术功放功耗 DSP 线路体积主动磁轴承电磁轴承设计要求; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si_(3)N_(4)覆铜基板的界面空洞控制技术被引量：4: 2; 作者张义政张崤君 +4 位作者张金利吴亚光刘旭鲍禹希张腾《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期572-577,共6页; 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si_(3)N_(4)覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si_(3)N_(4)陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si_(3)N_(4)覆铜基板的焊料层,其中的活性组分T... 展开更多; 关键词 SiC基功率模块 Si_(3)N_(4)覆铜基板活性金属焊接(amb)工艺 AG-CU-TI 空洞率; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_(2)O_(3)/Cu的界面微观结构及封接性能被引量：3: 3; 作者范彬彬赵林 +2 位作者谢志鹏康丁华刘溪海《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2022年第1期241-248,共8页; 采用活化Mo-Mn法和活性金属钎焊(AMB)工艺对Al_(2)O_(3)陶瓷进行金属化处理,分别研究了两种金属化工艺的界面形貌、新相的形成及显微结构的演变,并测试了Al_(2)O_(3)/Cu的力学性能和气密性。研究表明:采用活化Mo-Mn法的封接界面处出现... 展开更多; 关键词陶瓷-金属封接 Al_(2)O_(3)/Cu界面活化Mo-Mn法 amb工艺金属化封接性能; 在线阅读下载PDF 职称材料