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AlSb多晶薄膜材料的性能研究 被引量：8
1
作者 宋慧瑾 贺剑雄 +3 位作者 武莉莉 郑家贵 冯良桓 雷智 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期517-520,共4页
采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜.通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能.分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比... 采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜.通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能.分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比,其中NAl∶NSb为47.2∶52.8,580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高;测试结果表明,退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体,载流子浓度为1019cm-1,吸收系数为104,而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化.这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压. 展开更多
关键词 alsb 退火 多晶薄膜 共蒸发
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AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究 被引量：3
2
作者 贺剑雄 武莉莉 +5 位作者 郑家贵 夏庚培 冯良桓 张静全 李卫 黎兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期173-176,共4页
采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有S... 采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤。通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施。 展开更多
关键词 alsb 薄膜 退火 磁控溅射法
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闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理 被引量：3
3
作者 颜剑 苏玉长 +1 位作者 苏继桃 卢普涛 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1380-1387,共8页
利用第一原理赝势平面波计算方法研究具有闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理。通过计算不同嵌锂相Lix(AlSb)(0≤x≤2)或Li2+yAl1-ySb(0≤y≤1)的形成能(ΔE),并结合相应的热力学原理便可得出当Li嵌入AlSb时的电压—比容量曲线图,由此进一步确... 利用第一原理赝势平面波计算方法研究具有闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理。通过计算不同嵌锂相Lix(AlSb)(0≤x≤2)或Li2+yAl1-ySb(0≤y≤1)的形成能(ΔE),并结合相应的热力学原理便可得出当Li嵌入AlSb时的电压—比容量曲线图,由此进一步确认了锂在嵌入AlSb的结构时,首先是占据AlSb中的间隙位置,然后随着Li嵌入量的增加,可以逐步取代AlSb中的Al位置从而形成Li3Sb相。通过分析Li嵌入AlSb前后的能带结构及态密度图可以发现,AlSb的导电性能首先随Li嵌入量的增加而增加,当Li占据AlSb全部间隙位置后达到峰值,当Li进一步替代Al时导电性能随之降低。 展开更多
关键词 alsb 闪锌矿结构 第一原理 赝势平面波 锂离子电池
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联邦门户中基于WSRP和ALSB的portlet协作研究 被引量：1
4
作者 马将 聂瑞华 +2 位作者 罗辉琼 林怀恭 黄序鑫 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2010年第2期425-427,431,共4页
在研究联邦门户框架的基础上,比较了WSRP2.0规范中的portlet协作方法,提出一种基于WSRP和ALSB的可扩展的跨门户portlet协作框架。该协作方式一方面提高了portlet的可重用性,并最大限度的保持了联邦门户内各个门户的独立性;另一方面增强... 在研究联邦门户框架的基础上,比较了WSRP2.0规范中的portlet协作方法,提出一种基于WSRP和ALSB的可扩展的跨门户portlet协作框架。该协作方式一方面提高了portlet的可重用性,并最大限度的保持了联邦门户内各个门户的独立性;另一方面增强了portlet协作的自由度,可以很快适应多变的业务需求,从而实现了联邦门户环境下更高层次的应用集成与交互。 展开更多
关键词 联邦门户 WSRP portlet服务 portlet协作 alsb
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Cu、Zn掺杂对AlSb电子结构和光学性质的影响 被引量：1
5
作者 包秀丽 张可言 +1 位作者 李春霞 冉扬强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1451-1457,共7页
运用密度泛函平面波赝势方法和广义梯度近似,对替代式掺杂Cu和Zn的闪锌矿AlSb的超晶胞晶体结构、电子结构和光学性质进行了计算。分析了其电子态分布和结构的关系,给出了掺杂前后AlSb体系的复介电常数和复折射函数。结果表明,掺有Cu和Zn... 运用密度泛函平面波赝势方法和广义梯度近似,对替代式掺杂Cu和Zn的闪锌矿AlSb的超晶胞晶体结构、电子结构和光学性质进行了计算。分析了其电子态分布和结构的关系,给出了掺杂前后AlSb体系的复介电常数和复折射函数。结果表明,掺有Cu和Zn的AlSb晶体空穴密度增大,会明显提高材料的电导率;两种掺杂体系光学带隙均变窄;通过分析掺杂前后AlSb晶体的复介电常数和复折射函数,解释了体系的发光机制。 展开更多
关键词 alsb 电子结构 光学性质 第一性原理
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采用AlSb缓冲层生长2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 被引量：2
6
作者 尤明慧 高欣 +4 位作者 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1716-1718,共3页
针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个... 针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3μm附近。 展开更多
关键词 alsb缓冲层 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱 中红外 锑化物
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InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）
7
作者 张静 吕红亮 +3 位作者 倪海桥 牛智川 张义门 张玉明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期679-682,687,共5页
为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM... 为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用. 展开更多
关键词 欧姆接触 快速热退火 InAs/alsb异质结
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InAs/AlSb/GaSb量子阱中的双色光吸收 被引量：1
8
作者 张仲义 秦素英 魏相飞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期930-935,共6页
为了降低噪声对InAs/GaSb量子阱作为双色电探测器性能的影响,设计性能优良的光电探测器,在InAs/GaSb量子阱中加入AlSb夹层,以减少电子和空穴在界面处的复合,从而抑制由于电子和空穴复合引起的噪声。首先应用转移矩阵方法求解薛定谔方程... 为了降低噪声对InAs/GaSb量子阱作为双色电探测器性能的影响,设计性能优良的光电探测器,在InAs/GaSb量子阱中加入AlSb夹层,以减少电子和空穴在界面处的复合,从而抑制由于电子和空穴复合引起的噪声。首先应用转移矩阵方法求解薛定谔方程得到量子阱中电子和空穴的能级和波函数,研究AlSb夹层对电子和空穴波函数的影响。应用平衡方程方法求解外加光场条件下的玻尔兹曼方程,研究所有电子和空穴跃迁通道对光吸收系数的贡献,重点研究了AlSb夹层厚度对光吸收系数的影响。结果表明:基于In As/GaSb的量子阱体系可以实现双色光吸收,加入AlSb夹层可以有效抑制电子和空穴在界面处的隧穿,从而降低复合噪声,同时AlSb夹层的加入也对吸收峰有影响。AlSb夹层的厚度达到2 nm即可有效降低电子和空穴复合噪声,双色光吸收峰在中远红外波段,为该量子阱作为性能良好的中远红外光电探测器提供理论支撑。 展开更多
关键词 双色光吸收 InAs/alsb/GaSb量子阱 平衡方程方法 电子空穴复合噪声
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共溅射法制备AlSb薄膜及其性质研究
9
作者 常璐 刘竞艳 +1 位作者 王朋伟 田弋纬 《热加工工艺》 北大核心 2022年第12期77-79,共3页
使用Al、Sb单质靶材,采用共溅射法制备Al、Sb薄膜,并进行原位退火处理以获得AlSb薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分别分析了该薄膜的结构和元素的深度剖析及化学价态。结果表明:共溅射制备的AlSb薄膜呈立方相结构,沿(111... 使用Al、Sb单质靶材,采用共溅射法制备Al、Sb薄膜,并进行原位退火处理以获得AlSb薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分别分析了该薄膜的结构和元素的深度剖析及化学价态。结果表明:共溅射制备的AlSb薄膜呈立方相结构,沿(111)晶向择优取向。共溅射制备的AlSb薄膜表面含有Al、C、Sb和O元素,其中Al元素显示电正性,Sb元素显示电负性。 展开更多
关键词 alsb 共溅射 AES
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用几何靶溅射方法制备AISb多晶薄膜
10
作者 杨凯 徐福 +5 位作者 武莉莉 张静全 冯良桓 李卫 蔡亚平 黎兵 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1461-1464,共4页
采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30℃和200℃),然后在N_2气氛下,300～540℃,对沉积的薄膜进行退火。用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形... 采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30℃和200℃),然后在N_2气氛下,300～540℃,对沉积的薄膜进行退火。用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形貌。结果表明:几何靶可以很好地控制薄膜中Al和Sb原子的比例。制备的AlSb薄膜经过退火之后形成了面心立方结构的AlSb半导体化合物,平均晶粒大小约28nm。较高的退火温度有利于AISb薄膜的晶粒生长。 展开更多
关键词 AISb多晶薄膜 磁控溅射 太阳电池
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