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Cu/AlN/Cu功能梯度电极材料的制备及其应用
1
作者 孙静 罗洁 +1 位作者 吕薪羽 张宗仁 《中国陶瓷》 北大核心 2025年第8期31-37,共7页
采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了Cu/AlN/Cu功能梯度电极材料,并成功实现了与CoSb_(3)热电材料的高效连接。通过扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS),在Cu/AlN/Cu与CoSb_(3)的界面处检测到Cu_(3)Sb、Cu_(3.3)Sb、(Ag,In)、Cu、CuIn及Cu2In... 采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了Cu/AlN/Cu功能梯度电极材料,并成功实现了与CoSb_(3)热电材料的高效连接。通过扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS),在Cu/AlN/Cu与CoSb_(3)的界面处检测到Cu_(3)Sb、Cu_(3.3)Sb、(Ag,In)、Cu、CuIn及Cu2In等多种物相,这些相的分布与局部元素分布高度吻合。研究表明,焊接温度显著影响过渡层的结构和均匀性,较低的焊接温度(500℃)有利于形成均匀稳定的过渡层,减少孔洞生成,提升界面连接质量。此外,Cu、Ag、In、Ti等元素在界面区域展现出复杂的扩散行为,尤其是Ti元素的偏析,显著增强了界面的润湿性和结合强度。然而,不对称的扩散速率引发了Kirkendall效应,进一步影响了过渡层的微观结构。X射线衍射(XRD)结果显示,SPS连接后界面处相结构连续,缺乏明显的界面分界线。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 功能梯度材料 Cu/aln/Cu CoSb_(3) 界面连接
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超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展(续)
2
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期453-462,共10页
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al... 以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在AlN功率二极管、AlN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)、AlN增强GaN HEMT和AlN的热管理应用等方面的最新进展,包括AlN异质多层外延结构、超晶格量子阱结构、AlN功率器件新结构设计、AlN新器件工艺、AlN超薄势垒层、AlN缓冲层、AlN钝化层、AlN耦合沟道层、AlN及其合金的热阻和AlN多晶陶瓷热导率等。分析评价了AlN功率电子学的发展、关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 aln aln二极管 aln高电子迁移率晶体管(HEMT) aln增强GaN HEMT 热管理
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超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展
3
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期361-374,共14页
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al... 以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在AlN功率二极管、AlN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)、AlN增强GaN HEMT和AlN的热管理应用等方面的最新进展,包括AlN异质多层外延结构、超晶格量子阱结构、AlN功率器件新结构设计、AlN新器件工艺、AlN超薄势垒层、AlN缓冲层、AlN钝化层、AlN耦合沟道层、AlN及其合金的热阻和AlN多晶陶瓷热导率等。分析评价了AlN功率电子学的发展、关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 aln aln二极管 aln高电子迁移率晶体管(HEMT) aln增强GaN HEMT 热管理
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采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜 被引量：4
4
作者 池华敬 熊凯 +4 位作者 郭帅 许丽 王双 陈革 章其初 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期652-655,共4页
在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷... 在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷混合物增透膜AlNxOy。在3.2 mm厚的低铁玻璃上,溅射沉积厚度为120 nm的Al-AlN金属陶瓷薄膜,沸水氧化8 min,制备的单面增透膜AlNxOy试样的太阳透射比Te达93.5%,可见光透射比Tv达95.2%。制备的双面增透膜AlNxOy试样的Te,Tv进一步提高,Te高达95.6%,与未镀膜玻璃衬底的90.4%相比,增加了5.2%;Tv高达97.0%,与玻璃衬底的91.6%相比,增加了5.4%。 展开更多
关键词 增透膜 反应溅射 沸水氧化 薄膜 金属陶瓷 Al-aln aln AL2O3 alnxOy
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VA族元素修饰对二维AlN电磁性质调控的理论研究
5
作者 莫秋燕 陈广萍 +2 位作者 张颂 荆涛 吴家隐 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期159-166,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VA族元素(N、P、As、Sb、Bi)对二维AlN电磁性质的影响.研究发现,VA族元素修饰后,二维AlN的能带结构发生显著劈裂,表明体系转变为磁性材料.同时,导带底部向低能量区域移动,使得二维AlN... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VA族元素(N、P、As、Sb、Bi)对二维AlN电磁性质的影响.研究发现,VA族元素修饰后,二维AlN的能带结构发生显著劈裂,表明体系转变为磁性材料.同时,导带底部向低能量区域移动,使得二维AlN的吸收阈值从紫外线区域扩展至可见光区域.因此,VA族元素的修饰显著调控了二维AlN的电子结构和磁性,为实现可见光响应的光电子和自旋电子器件提供了新思路和可能性. 展开更多
关键词 二维aln 第一性原理 修饰 电子结构
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AlN介质层对GaN表面生长金刚石钝化膜的影响研究
6
作者 梁礼峰 郁鑫鑫 +4 位作者 李忠辉 刘金龙 李成明 王鑫华 魏俊俊 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1417-1425,共9页
GaN表面生长金刚石钝化膜可用于改善器件传热能力,提升器件功率特性及可靠性。在GaN和金刚石层中间的介质层,对于实现高质量的GaN表面金刚石(Diamond-on-GaN)至关重要。本研究采用原子层沉积(ALD)技术在GaN表面预先沉积了10 nm的晶态/... GaN表面生长金刚石钝化膜可用于改善器件传热能力,提升器件功率特性及可靠性。在GaN和金刚石层中间的介质层,对于实现高质量的GaN表面金刚石(Diamond-on-GaN)至关重要。本研究采用原子层沉积(ALD)技术在GaN表面预先沉积了10 nm的晶态/非晶态混合的AlN介质层,并通过氧终端金刚石悬浮液在AlN层上实现了高密度静电自组装播种;随后通过优化的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)工艺再生长约120 nm厚的纳米晶金刚石(NCD)薄膜。表面氧终端调控的纳米金刚石悬浮液可以在AlN介质层表面实现高密度播种,结合梯度甲烷的MPCVD金刚石生长工艺,制备出了具有高结晶度、低粗糙度(Ra=15.2 nm)和低残余应力(0.84 GPa)的NCD薄膜。时域热反射(TDTR)测量表明,NCD薄膜的热导率约为123.85 W·m^(-1)·K^(-1),GaN与NCD之间的有效界面热阻(TBReff)为(9.78±0.27) m^(2)·K·GW^(-1)。透射电子显微镜(TEM)分析表明,AlN介质层有效保护了GaN免受等离子体刻蚀,并实现了金刚石和GaN之间的光滑界面。本研究表明,采用薄的ALD AlN作为在GaN表面生长金刚石的介质层可以与氧终端金刚石籽晶实现静电自组装,从而提高金刚石形核密度,再通过梯度甲烷金刚石沉积工艺,能够在GaN上沉积出高质量的NCD薄膜并降低金刚石与GaN的界面热阻。 展开更多
关键词 纳米晶金刚石 GAN aln介质层 热导率 界面热阻 原子层沉积 静电自组装播种
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Ti掺杂对AlN(0001)/Mg(0001)界面性质影响的第一性原理计算
7
作者 吴志晨 尧军平 +1 位作者 李勤 周兰民 《中国材料进展》 北大核心 2025年第11期1054-1060,共7页
通过第一性原理计算,研究了不同终端AlN(0001)/Mg(0001)界面模型的稳定性以及Ti添加对AlN(0001)/Mg(0001)界面结合强度和电子结构的影响机理。结果表明,N终端FCC位结构的界面模型最为稳定,粘附功高达10.72 J/m^(2),且N终端的AlN/Mg界面... 通过第一性原理计算,研究了不同终端AlN(0001)/Mg(0001)界面模型的稳定性以及Ti添加对AlN(0001)/Mg(0001)界面结合强度和电子结构的影响机理。结果表明,N终端FCC位结构的界面模型最为稳定,粘附功高达10.72 J/m^(2),且N终端的AlN/Mg界面相较于Al终端的AlN/Mg界面要更稳定。随着Ti元素的引入,N终端FCC位结构的AlN(0001)/Mg(0001)界面的结合强度得到了显著提高。Ti原子的加入使得界面处的原子间电荷转移得到增强,且与界面处的N原子形成了Ti—N的强共价键,从而提高了界面的结合强度和稳定性。 展开更多
关键词 aln/Mg界面 粘附功 Ti掺杂 电子结构 第一性原理计算
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AlN-石墨管复合材料的原位合成及其作为导热填料的应用
8
作者 邓宇强 邹慧娟 +6 位作者 张维斌 吴启煌 刘杰聪 程艳玲 左飞 聂光临 林华泰 《功能材料》 北大核心 2025年第8期8171-8178,共8页
聚合物基导热材料受限于低的热导率,复合填料多维结构能够在聚合物中形成有效的导热通道。有效利用含氮有机物合成氮化铝(AlN)过程中的残余碳,在催化剂的作用下,采用一步合成工艺原位获得了AlN-石墨管复合材料多维结构,并将该材料作为... 聚合物基导热材料受限于低的热导率,复合填料多维结构能够在聚合物中形成有效的导热通道。有效利用含氮有机物合成氮化铝(AlN)过程中的残余碳,在催化剂的作用下,采用一步合成工艺原位获得了AlN-石墨管复合材料多维结构,并将该材料作为导热填料应用于石蜡基复合材料中。结果表明,随着煅烧温度的升高,复合材料的结晶性和碳的石墨化程度明显增加。煅烧温度大于1000℃后,原位获得了结晶性良好的AlN和有序的石墨管复合结构,该结构BET比表面积达到161.17 cm^(2)/g,孔隙主要为介孔结构。随着填料含量的增加,AlN-石墨管/石蜡复合材料的热导率线性增加,丰富的孔隙起到明显的抑制泄露的作用。当填充量达到60%时,热导率为0.745 W·m^(-1)·K^(-1),相对于纯石蜡增长了2倍,同时具有良好的形状稳定性。所制备的AlN-石墨管多维复合材料仅能够有效促进复合材料的热量传输,还能维持良好的形状稳定性,在电子材料的热管理方面具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 aln 复合材料多维结构 石蜡复合材料 热导率
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Invar 36表面脉冲直流磁控溅射制备AlN薄膜的择优取向调控及性能
9
作者 吴熠 唐国梁 +1 位作者 李文举 肖舒 《中国表面工程》 北大核心 2025年第4期233-243,共11页
为提高OLED蒸镀制程中Invar 36合金掩膜板的防护性能,采用反应磁控溅射在Invar 36合金基材表面制备AlN薄膜。因AlN薄膜的性能与择优取向相关,通过探究三种基底转速(0、5和20 r/min)对择优取向的影响以实现性能的调控。采用X射线衍射、... 为提高OLED蒸镀制程中Invar 36合金掩膜板的防护性能,采用反应磁控溅射在Invar 36合金基材表面制备AlN薄膜。因AlN薄膜的性能与择优取向相关,通过探究三种基底转速(0、5和20 r/min)对择优取向的影响以实现性能的调控。采用X射线衍射、扫描电镜和能谱仪分别对AlN薄膜的晶面取向、截面形貌、沉积速率、晶体结构及成分进行表征。结果表明,从0到20 r/min转速的提升会增大薄膜的晶粒尺寸,静止沉积有利于AlN(002)的生长,提升转速则促进AlN(100)的生长。对两种不同择优取向的AlN薄膜进行绝缘性能和耐F−腐蚀性能测试,(002)取向具有更高的表面电阻率(1.3×10^(14)Ω),表现出更优异的绝缘性;在1 mol/L的NaF溶液体系中(100)取向具有更低的腐蚀电流密度(1.62×10^(−9) A/cm2),表现出更优异的耐F−腐蚀性能。阐明转动动能对AlN薄膜择优取向生长的影响机理:①静止及低速条件下的低转动动能有利于吸附原子在基材上的堆叠,具有足够的表面扩散能形成(002)取向;②转速增加可以提高转动动能,使吸附原子偏离原有沉积区域并获得基材表面切向的能量,对表面扩散能存在抵消作用,影响原子重排过程并因此形成(100)取向。针对两种AlN取向进行性能测试,表明不同取向具有不同的优势性能。转动动能对取向影响的机理阐明和不同取向的性能测试结果为实现Invar 36合金表面AlN薄膜的可控制备和防护性能提升提供理论指导。 展开更多
关键词 aln 择优取向 脉冲直流磁控溅射 Invar 36合金
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粉末特性对AlN陶瓷致密化的影响 被引量：5
10
作者 秦明礼 曲选辉 +1 位作者 何新波 段柏华 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期176-180,共5页
以沉淀前驱物和低温燃烧合成前驱物为原料,利用碳热还原法制备出比表面积分别为4.26m2/g和17.4m2/g的两种AlN粉末,以该两种粉末为原料制备AlN陶瓷,研究了粉末比表面积对AlN陶瓷烧结行为的影响。结果表明:粉末比表面积是影响AlN烧结行为... 以沉淀前驱物和低温燃烧合成前驱物为原料,利用碳热还原法制备出比表面积分别为4.26m2/g和17.4m2/g的两种AlN粉末,以该两种粉末为原料制备AlN陶瓷,研究了粉末比表面积对AlN陶瓷烧结行为的影响。结果表明:粉末比表面积是影响AlN烧结行为的关键因素之一,对于燃烧合成前驱物制备的AlN粉末试样,没有添加Y2O3烧结助剂时在1700℃获得致密,添加Y2O3烧结助剂后,试样的烧结致密化温度降低为1600℃;而对于沉淀前驱物合成的AlN粉末试样,添加烧结助剂后仍需要在高于1800℃才能获得致密。探讨了粉末比表面积对AlN陶瓷烧结行为的影响机理,并利用SEM对陶瓷烧结过程中的显微结构变化进行了表征。 展开更多
关键词 aln陶瓷 粉末特性 aln粉末 低温燃烧合成 烧结行为 比表面积 烧结助剂 Y2O3 碳热还原法 烧结致密化 微结构变化 前驱物 表面积分 原料制备 温度降低 影响机理 烧结过程 试样 添加 SEM 沉淀
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AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究 被引量：3
11
作者 王从曾 苏学宽 +3 位作者 高帆 段成军 张连宝 马捷 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期279-283,共5页
将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响。结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷。添加质量分数为... 将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响。结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷。添加质量分数为5.5%的YLC烧结助剂,在1 700℃、保温3h的烧结条件下,获得相对密度为98.9%、热导率为93.8W/(m.K)的AIN烧结体。烧结体断口的SEM照片显示,烧结试样的晶粒生长发育完善,晶粒轮廓清晰,呈尖锐的多面体形状,晶粒大小均匀,孔隙和晶界相少,断裂模式主要为穿晶解理断裂。TEM观测表明,晶界相少,且大部分都缩至三角晶界,AIN晶粒与晶粒接触紧密。 展开更多
关键词 空心阴极 等离子 烧结 氮化铝(aln) 空心阴极效应 aln陶瓷 等离子烧结 工艺研究 晶粒大小 烧结助剂
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Be、Mg掺杂AlN电子结构的第一性原理计算 被引量：4
12
作者 袁娣 黄多辉 罗华锋 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期919-926,共8页
基于密度泛函理论(Density Functional Theory)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表... 基于密度泛函理论(Density Functional Theory)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明:Be和Mg都是良好的p型掺杂剂,但是Be掺杂AlN晶体比Mg提供的空穴更多,Be比Mg更有利于AlN晶体的p型掺杂. 展开更多
关键词 aln p型掺杂aln 电子结构 第一性原理
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Pt修饰AlN单层对C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)吸附和气敏特性的第一性原理研究 被引量：1
13
作者 莫秋燕 吴家隐 荆涛 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期1050-1060,共11页
本文采用第一性原理计算方法系统研究了C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)两种有机气体在氮化铝(AlN)单层及Pt修饰AlN的吸附特性。研究结果表明:对于C_(2)H_(6),当其吸附在本征AlN单层上时,表现出较小的吸附能和电荷转移量,导致AlN单层对C_(2)H_(6... 本文采用第一性原理计算方法系统研究了C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)两种有机气体在氮化铝(AlN)单层及Pt修饰AlN的吸附特性。研究结果表明:对于C_(2)H_(6),当其吸附在本征AlN单层上时,表现出较小的吸附能和电荷转移量,导致AlN单层对C_(2)H_(6)的敏感性较差;在Pt修饰后,AlN单层对C_(2)H_(6)的吸附性能没有明显提高。相比之下,Pt修饰提高了AlN单层对C_(6)H_(6)的吸附能力,Pt修饰AlN对C_(6)H_(6)的吸附能为-0.564 eV,通过带隙和功函数的变化,Pt修饰AlN单层对C_(6)H_(6)表现出更高的灵敏度。此外,适中的吸附能量和在室温下较短的恢复时间(3.45×10^(-4)s)表明,Pt修饰的AlN单层在检测C_(6)H_(6)分子时还具有良好的可重复性。研究为C_(2)H_(6)和C_(6)H_(6)在Pt修饰AlN单层上的吸附行为提供了详细的微观解析,可促进AlN基材料在气敏领域的应用。 展开更多
关键词 氮化铝单层 吸附 Pt修饰 第一性原理 电子结构 乙烷 苯
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闭环控制靶电压直流磁控反应溅射沉积AlN薄膜
14
作者 池华敬 郭帅 +3 位作者 熊凯 王双 陈革 章其初 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1136-1140,共5页
在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN反馈控制。该控制单元由UPC03型控制器和PCV03型压电陶瓷阀组成。控制器实时采集直流电源的Al靶电压信号... 在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN反馈控制。该控制单元由UPC03型控制器和PCV03型压电陶瓷阀组成。控制器实时采集直流电源的Al靶电压信号,与设定电压进行比较计算处理,输出电压控制信号至压电陶瓷阀,调节输出N2流量,实现Al靶电压稳定控制。在靶表面处于过渡态下,成功制备了吸收几乎为零的AlN薄膜。溅射功率14kW,反应溅射沉积AlN的靶电压波动可长时间稳定控制在±2V范围内,沉积速率高达4.5nm/(min·kW),约为Al靶在无反应气体溅射下沉积Al薄膜速率的80%。溅射沉积的AlN薄膜作为减反射层应用到SS-AlN太阳选择性吸收涂层中,使得太阳吸收比高达0.956。 展开更多
关键词 反应溅射 迟滞曲线 闭环控制 aln薄膜 SS-aln金属陶瓷太阳吸收涂层
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基于AlN的体声波滤波器材料、器件与应用研究进展 被引量：5
15
作者 欧阳佩东 衣新燕 +2 位作者 罗添友 王文樑 李国强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1691-1702,共12页
在5G通信时代,体声波(BAW)滤波器件成为实现高性能射频(RF)滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术和专利被少数几家公司持有的大环境下,对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破,形成独有的BA... 在5G通信时代,体声波(BAW)滤波器件成为实现高性能射频(RF)滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术和专利被少数几家公司持有的大环境下,对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破,形成独有的BAW器件技术路线显得尤为重要。本文综述了AlN薄膜的生长、AlN材料在BAW滤波器件的发展、基于AlN的BAW器件的制备及其应用。在国内研究者的努力下,基于单晶AlN的体声波谐振器(SABAR)器件,通过在材料生长方法及制备工艺上的独立自主创新,不仅使BAW滤波器件的性能得到了进一步提升,也给受到国外掣肘的国内射频滤波行业带来了一条摆脱国外“卡脖子”问题的新路线。 展开更多
关键词 aln薄膜 体声波滤波器 材料生长 设备制造 单晶aln的体声波谐振器
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磷酸酸洗对AlN粉体及陶瓷烧结性能的影响 被引量：1
16
作者 龙文进 李阳 +5 位作者 徐维 陈奎 张越嫦 成哲 黄嘉明 洪继宇 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期61-65,共5页
以镁粉和NH_4Cl作为双重辅助添加剂,通过直接氮化法制备出氮化铝粉末,然后通过H_3PO_4酸洗提高粉末的抗水解性能,再高温烧结制备出AlN陶瓷材料。通过XRD和SEM对AlN粉体及陶瓷材料进行物相分析和微观结构表征,并对经磷酸酸洗和未经磷酸... 以镁粉和NH_4Cl作为双重辅助添加剂,通过直接氮化法制备出氮化铝粉末,然后通过H_3PO_4酸洗提高粉末的抗水解性能,再高温烧结制备出AlN陶瓷材料。通过XRD和SEM对AlN粉体及陶瓷材料进行物相分析和微观结构表征,并对经磷酸酸洗和未经磷酸酸洗的粉末的烧结性能进行比对研究。结果表明,磷酸酸洗工艺提高了AlN粉末的抗水解性能和烧结性能,AlN陶瓷具有良好的微观结构和较高的致密度。 展开更多
关键词 aln粉末 aln陶瓷 酸洗 烧结 致密度
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铝灰中AlN的水解行为 被引量：41
17
作者 姜澜 邱明放 +2 位作者 丁友东 苏楠 姚泉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期3555-3561,共7页
通过测定反应后悬浊液pH值和剩余AlN量,考察了反应温度、反应时间等因素对铝灰中AlN水解程度的影响。结果表明:铝灰会与水反应放出氨气;在相同温度下,随着反应时间的延长,溶液pH值会逐渐升高直至达到最大值;温度越高,水解反应越充分;在2... 通过测定反应后悬浊液pH值和剩余AlN量,考察了反应温度、反应时间等因素对铝灰中AlN水解程度的影响。结果表明:铝灰会与水反应放出氨气;在相同温度下,随着反应时间的延长,溶液pH值会逐渐升高直至达到最大值;温度越高,水解反应越充分;在298 K温度下,液固比对水解pH值有一定影响,搅拌在一定程度上能加速反应进程,而粒度对水解反应没有明显影响。与AlN粉末和AlN陶瓷块体相比较,铝灰中的AlN在水解反应活性及生成物等方面均存在差别。 展开更多
关键词 铝灰 aln 水解
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AlN基板材料研究进展 被引量：23
18
作者 孟献丰 陆春华 +1 位作者 倪亚茹 许仲梓 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第3期35-37,共3页
氮化铝基板因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良的物理性能,被誉为新一代理想基板材料。详细综述了AlN板的国内外研究现状及其导热机理;介绍并分析了基片制备的工艺流程和影响因素;概括总结了AlN基板的金属化和... 氮化铝基板因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良的物理性能,被誉为新一代理想基板材料。详细综述了AlN板的国内外研究现状及其导热机理;介绍并分析了基片制备的工艺流程和影响因素;概括总结了AlN基板的金属化和烧结工艺方面的研究进展;展望了AlN基板的发展趋势和前景。 展开更多
关键词 aln基板材料 研究进展 导热机理 金属化 烧结 氮化铝 集成电路 制备
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无压烧结制备高致密度AlN-BN复合陶瓷 被引量：14
19
作者 秦明礼 曲选辉 +2 位作者 段柏华 徐征宙 郭世柏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期245-250,共6页
以低温燃烧合成前驱物制备的比表面积为17.4m2／g的AIN粉末和市售BN粉末为原料,利用无压烧结工艺制备AlN-15BN复合陶瓷,研究了复合陶瓷的烧结行为以及制备材料的性能,结果表明:由于AlN粉末的烧结活性好,复合材料的烧结致密化温度主要集... 以低温燃烧合成前驱物制备的比表面积为17.4m2／g的AIN粉末和市售BN粉末为原料,利用无压烧结工艺制备AlN-15BN复合陶瓷,研究了复合陶瓷的烧结行为以及制备材料的性能,结果表明:由于AlN粉末的烧结活性好,复合材料的烧结致密化温度主要集中在1500-1650℃之间,在1650℃烧结后,AlN-15BN复合陶瓷的相对密度可达95.6％。继续升高烧结温度,材料的致密度变化不大,热导率继续增加.在1850℃烧结3h后,可以制备出相对密度为96.1％,热导率为132.6W·m-1·K-1,硬度为HRA64.2的AIN-15BN复合陶瓷.提出了高比表面积的AlN粉末促进复合陶瓷烧结的机理,利用XRD,SEM等手段对烧结体进行了表征. 展开更多
关键词 aln—BN陶瓷 密度 热导率 硬度
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纳米金属陶瓷Ni-AlN复合层的超声-电沉积制备 被引量：21
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作者 吴蒙华 李智 +1 位作者 夏法锋 傅欣欣 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期548-551,共4页
采用超声-电沉积方法制备纳米金属陶瓷Ni—AlN复合层．研究了超声波机械扰动效用对电解液传质过程的作用，超声波空化效应对纳米粒子团聚的抑制作用，脉冲电参数对控制晶粒成核及生长的作用．采用优选工艺参数，在常用金属表面获得了由... 采用超声-电沉积方法制备纳米金属陶瓷Ni—AlN复合层．研究了超声波机械扰动效用对电解液传质过程的作用，超声波空化效应对纳米粒子团聚的抑制作用，脉冲电参数对控制晶粒成核及生长的作用．采用优选工艺参数，在常用金属表面获得了由镍晶（20～60nm）和纳米粒子AlN构成的纳米级Ni—AlN复合镀层．镀层与基体结合比较牢固，结合力达到89N，厚度11～12μm，平均表面硬度达到HV606． 展开更多
关键词 纳米金属陶瓷 Ni—aln复合层 超声波 脉冲电沉积 复合作用
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