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题名AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计
被引量：2
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作者
林锡贵
郝跃
冯倩
张进城
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机构
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期52-55,共4页
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基金
国家重大基础研究项目(51327020301)
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文摘
在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小。
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关键词
高电子迁移率场效应晶体管
功率放大器
ads负载牵引
共轭匹配
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Keywords
HEMT
power amplifier
ads load-pull
conjugate match
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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