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题名DC/AC差分信号源变换电路的设计与应用
被引量：2
- 1
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作者
宁敏东
李天超
熊中朝
傅和平
贾国华
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机构
洛阳师范学院物理与电子科学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期862-865,共4页
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基金
河南省高等教育教学改革研究资助项目(2006-102)
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文摘
在直流稳压电源和函数信号源基础上开发了差分信号源变换电路,采取逐个击破、统筹考虑的设计方法,解决了差分信号源的稳定性、带负载能力、弱信号易调节等相关问题,满足了差分信号幅度和极性(或相位)可变的特殊要求,同时给出了几个实用DC,AC5VP差分信号源变换电路。
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关键词
DC信号
ac信号
差分信号源
变换电路
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Keywords
DC signal
ac signal
differential signal source
converter
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分类号
TN709
[电子电信—电路与系统]
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题名GaN发光二极管表观电阻极值分析
被引量：2
- 2
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作者
谭延亮
肖德涛
游开明
陈列尊
袁红志
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机构
衡阳师范学院物电系
南华大学核科学技术学院
湖南天雁机械有限公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期337-341,共5页
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文摘
利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点。通过对相关文献分析,提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQ/dU<0;推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大,当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小,直到随正向偏压的增大而出现负值;正向偏置电压较大时,结电导电流的变化率根据I-V特性曲线取极大值,此时微分电容由于强复合效应已快速变小,表观电阻有极大值;得到了表观电阻极大值表达式。表观电阻与正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。
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关键词
GAN发光二极管
表现电阻
正向交流(ac)小信号方法
Ⅰ-Ⅴ特性曲线
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Keywords
GaN light-emitting diode
apparent resistance
forward alternating current （ac） small signalmethod
current-voltage curve
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分类号
O482.31
[理学—固体物理]
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名GaN发光二极管表观电容极值分析
被引量：1
- 3
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作者
谭延亮
游开明
陈列尊
袁红志
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机构
衡阳师范学院物电系
湖南天雁机械有限公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期237-240,共4页
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基金
湖南省教育厅科学研究基金资助项目
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文摘
利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容。发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。
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关键词
GAN发光二极管
负电容
正向交流(ac)小信号方法
可变电容
极值
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Keywords
GaN light-emitting diode
negative capacitance
forward alternating current （ac） small signal method
variable capacitance
extremum
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名发光二极管中负电容现象分析
- 4
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作者
谭延亮
游开明
陈列尊
袁红志
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机构
衡阳师范学院物电系
湖南天雁机械有限公司
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2007年第12期113-114,117,共3页
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文摘
利用正向交流(ac)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。首次提出测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;首次提出发光二极管P-N结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容,特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容。
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关键词
发光二极管
负电容
正向交流(ac)小信号方法
可变电容
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Keywords
light-emitting diode
negative capacitance
forward alternating current （ac） small signal method
variablecapacitance
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名发光二极管负电容与复合发光关系
- 5
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作者
谭延亮
游开明
袁红志
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机构
衡阳师范学院物电系
南华大学核科学技术学院
湖南天雁机械有限公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期644-648,共5页
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基金
衡阳师范学院科研基金(08D04)资助项目
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文摘
利用正向交流(ac)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。通过对复合发光机理和发光二极管p-n结进行分析,得到了发光二极管在特定的正向电压范围内,由于发光概率复合急剧变化出现了dQ/dU<0的现象;当dQ/dU<0时,分析发光二极管结电容在正向偏压下对交流小信号的响应得到发光二极管表观电容的电流相位落后交流小信号电压相位π2,发光二极管表观电容表现为一个负电容。首次得到了发光二极管负电容与复合发光的关系表达式。
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关键词
发光二极管
负电容
正向交流(ac)小信号方法
复合发光
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Keywords
light-emitting diode
negative capacitance
forward alternating current （ac） small signal method
emitting-recombination
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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