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工艺参数偏差对纳米压印a-Si太阳电池光学性质的影响 被引量:3
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作者 陆晓东 张鹏 +3 位作者 周涛 赵洋 李媛 吕航 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1247-1253,共7页
先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、Si Nx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响。研究表明:TM模受有... 先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、Si Nx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响。研究表明:TM模受有源层和铝背反镜厚度偏差、Si Nx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差的影响较小,平均光电流密度的变化主要受TE模光电流随工艺偏差的影响;增透膜和压印模板制备过程中,有效控制工艺参数的偏离是获得最优a-Si太阳电池设计性能的关键。 展开更多
关键词 a-si太阳电池 纳米压印 工艺偏差
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a-Si太阳电池p层微晶结构的研究 被引量:1
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作者 郝国强 张德贤 +1 位作者 张延生 张存善 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期459-461,共3页
用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜。通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度... 用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜。通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的掺杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1·cm-1,激活能可达0.2eV左右,接着又用μC Si∶H与传统所用的a SiC∶H分别做电池的p层,比较了二者的I V特征,发现μC Si∶H作为电池的p层有更大的优越性。 展开更多
关键词 a-si太阳电池 p层微晶结构 化学气相沉积法 光透过率 电导率
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a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展 被引量:2
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作者 周冬兰 甘志凯 +1 位作者 廖丹 程彩虹 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期744-746,共3页
a-Si:H薄膜太阳电池由于成本低,适于大规模工业化生产而成为现阶段研究的热点,然而其转换效率低于晶体硅太阳电池。介绍了a-Si:H薄膜太阳电池的结构及原理,总结了目前国内外a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展,并对未来发展前景进行了展望。
关键词 a-si:H薄膜太阳电池 材料 结构
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飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究 被引量:3
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作者 邵珠峰 杨秀娟 +1 位作者 陆晓东 钟敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期608-614,共7页
通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域... 通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成。比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子。结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm^2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9%,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍。同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔"光俘获"微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用。 展开更多
关键词 飞秒激光 非晶硅(a-si)太阳电池 微纳加工 多孔微结构 刻蚀
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光学微腔型a-Si薄膜电池陷光结构设计
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作者 宋扬 陆晓东 +2 位作者 王欣欣 赵洋 王泽来 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期1048-1053,共6页
先基于频域有限差分法和a-Si材料的有效吸收波长范围,利用光场分布、通光效率和有源层吸收谱等优化了有源层厚度为300 nm的a-Si电池用光学微腔陷光结构的缓冲层厚度和光学微腔通光孔尺寸,并对电池光电流密度谱、总电流密度和电池输出参... 先基于频域有限差分法和a-Si材料的有效吸收波长范围,利用光场分布、通光效率和有源层吸收谱等优化了有源层厚度为300 nm的a-Si电池用光学微腔陷光结构的缓冲层厚度和光学微腔通光孔尺寸,并对电池光电流密度谱、总电流密度和电池输出参数进行了计算分析。研究表明:缓冲层厚度为2.6μm,通光孔直径Φ=D×0.8/8时,电池有源层具有最大的吸收效率;优化电池的短路电流为25.9225 m A/cm^2,优于其它陷光结构获得的短路电流。 展开更多
关键词 a-si太阳电池 频域有限差分法 光学微腔 陷光结构
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