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高性能980nm单模半导体激光器被引量：3: 1; 作者李辉曲轶 +2 位作者高欣薄报学刘国军《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1110-1113,共4页; 采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以... 展开更多; 关键词光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器高功率低发散角; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm半导体激光器n型波导结构优化被引量：3: 2; 作者安宁芦鹏 +3 位作者魏志鹏李占国马晓辉刘国军《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期105-109,共5页; 为了提高980nm半导体激光器的输出功率并获得较小的远场发散角,在非对称波导结构的基础上设计了n型波导结构,即在n型波导中引入高折射率的内波导层。采用理论计算和SimLastip软件模拟对常规非对称波导结构和内波导结构进行了研究。利用... 展开更多; 关键词 980 nm半导体激光器输出功率内波导远场发散角; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析被引量：4: 3; 作者刘斌张敬明 +4 位作者刘媛媛王晓薇方高瞻马骁宇肖建伟《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1-2,共2页; 本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性现状离子辅助镀膜 COD 掺铒光纤放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 4; 作者刘斌张敬明 +1 位作者马骁宇肖建伟《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非... 展开更多; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 COD 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm多量子阱激光器有源层的优化分析被引量：2: 5; 作者叶磊张殿尧 +2 位作者李晓东杨渝川张天《科技创新与应用》 2016年第6期24-25,共2页; 980nm波长量子阱激光器常用的有源层材料体系为InGaAs/AlGaAs体系。理论计算与仿真结果表明当有源层量子阱的个数为三个并且垒层材料的铝组分为0.12时,能够获得较低的阈值电流。; 关键词有源层结构 980nm 多量子阱半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能980nm单模半导体激光器被引量：3: 1; 作者李辉曲轶高欣薄报学刘国军; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1110-1113,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60976044); 文摘采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89W/A.垂直方向远场发散角为28°.器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW.器件在70℃温度下仍可以正常工作。; 关键词光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器高功率低发散角; Keywords optoelectronics and laser 980 nm single mode semiconductor lasers high power low divergence; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm半导体激光器n型波导结构优化被引量：3: 2; 作者安宁芦鹏魏志鹏李占国马晓辉刘国军; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期105-109,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61006039 61370043); 文摘为了提高980nm半导体激光器的输出功率并获得较小的远场发散角,在非对称波导结构的基础上设计了n型波导结构,即在n型波导中引入高折射率的内波导层。采用理论计算和SimLastip软件模拟对常规非对称波导结构和内波导结构进行了研究。利用分子束外延系统生长980nm内波导结构的外延材料,并制作了激光器。对于条宽为100μm、腔长为1000μm的器件,阈值电流为97mA,斜率效率为1.01W/A;当注入电流为500mA时,远场发散角为29°(垂直向)×8°(水平向),与模拟结果相符。理论计算和实验结果表明:较之于常规非对称波导结构,内波导结构可有效降低光场限制因子,提高输出功率,减小远场发散角。; 关键词 980 nm半导体激光器输出功率内波导远场发散角; Keywords 980 nm semiconductor lasers output power inner waveguide far field divergence angle; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析被引量：4: 3; 作者刘斌张敬明刘媛媛王晓薇方高瞻马骁宇肖建伟; 机构中国科学院半导体研究所; 出处《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1-2,共2页; 文摘本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性现状离子辅助镀膜 COD 掺铒光纤放大器; Keywords semi conductor lasers, re 1 iab ility, ion assisted deposition, COD; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 4; 作者刘斌张敬明马骁宇肖建伟; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 文摘报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 COD 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; Keywords 980nm semiconductor lasers,reliability,ion implantation,non-injection regions,COD; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm多量子阱激光器有源层的优化分析被引量：2: 5; 作者叶磊张殿尧李晓东杨渝川张天; 机构重庆邮电大学光电工程学院; 出处《科技创新与应用》 2016年第6期24-25,共2页; 文摘 980nm波长量子阱激光器常用的有源层材料体系为InGaAs/AlGaAs体系。理论计算与仿真结果表明当有源层量子阱的个数为三个并且垒层材料的铝组分为0.12时,能够获得较低的阈值电流。; 关键词有源层结构 980nm 多量子阱半导体激光器; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高性能980nm单模半导体激光器	李辉曲轶高欣薄报学刘国军	《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	980nm半导体激光器n型波导结构优化	安宁芦鹏魏志鹏李占国马晓辉刘国军	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析	刘斌张敬明刘媛媛王晓薇方高瞻马骁宇肖建伟	《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究	刘斌张敬明马骁宇肖建伟	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2003	8	在线阅读下载PDF 职称材料
5	980nm多量子阱激光器有源层的优化分析	叶磊张殿尧李晓东杨渝川张天	《科技创新与应用》	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料