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高性能980nm单模半导体激光器被引量：3: 1; 作者李辉曲轶 +2 位作者高欣薄报学刘国军《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1110-1113,共4页; 采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以... 展开更多; 关键词光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器高功率低发散角; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs基红外波段半导体激光器固态源Zn扩散技术研究: 2; 作者石孟杰陈泳屹 +2 位作者宋悦秦莉王立军《光通信技术》北大核心 2025年第4期25-29,共5页; 为优化980 nm波段GaAs基半导体激光器的掺杂工艺并提升性能,研究了以固态Zn化合物薄膜为扩散源的Zn扩散技术,通过真空镀膜和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备ZnO扩散源及SiO_(2)盖层,结合不同退火条件调控Zn在GaAs及InGaAs/GaAs... 展开更多; 关键词半导体激光器杂质扩散 ZNO 980nm GAAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器被引量：8: 3; 作者李毅黄毅泽 +4 位作者王海方俞晓静张虎张伟朱慧群《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1468-1475,共8页; 提出了优化由两个均匀布拉格光纤光栅组成的980nm半导体激光器波长锁定器的方法以满足光纤放大器对半导体激光器的性能要求。运用耦合模理论推导了双布拉格光纤光栅(FBG)的透射率和反射率的解析表达式和波长锁定器增益方程。研究了两光... 展开更多; 关键词 980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器边模抑制比; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm半导体激光器n型波导结构优化被引量：3: 4; 作者安宁芦鹏 +3 位作者魏志鹏李占国马晓辉刘国军《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期105-109,共5页; 为了提高980nm半导体激光器的输出功率并获得较小的远场发散角,在非对称波导结构的基础上设计了n型波导结构,即在n型波导中引入高折射率的内波导层。采用理论计算和SimLastip软件模拟对常规非对称波导结构和内波导结构进行了研究。利用... 展开更多; 关键词 980 nm半导体激光器输出功率内波导远场发散角; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析被引量：4: 5; 作者刘斌张敬明 +4 位作者刘媛媛王晓薇方高瞻马骁宇肖建伟《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1-2,共2页; 本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性现状离子辅助镀膜 COD 掺铒光纤放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展被引量：4: 6; 作者胡雪莹董海亮 +3 位作者贾志刚张爱琴梁建许并社《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第2期381-390,共10页; GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结... 展开更多; 关键词 GaAs基高功率 980 nm半导体激光器应变量子阱结构转换效率光电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 7; 作者刘斌张敬明 +1 位作者马骁宇肖建伟《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非... 展开更多; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 COD 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能980nm单模半导体激光器被引量：3: 1; 作者李辉曲轶高欣薄报学刘国军; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1110-1113,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60976044); 文摘采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89W/A.垂直方向远场发散角为28°.器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW.器件在70℃温度下仍可以正常工作。; 关键词光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器高功率低发散角; Keywords optoelectronics and laser 980 nm single mode semiconductor lasers high power low divergence; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs基红外波段半导体激光器固态源Zn扩散技术研究: 2; 作者石孟杰陈泳屹宋悦秦莉王立军; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院大学; 出处《光通信技术》北大核心 2025年第4期25-29,共5页; 基金吉林省科技发展计划基金项目(20220201072GX)资助。; 文摘为优化980 nm波段GaAs基半导体激光器的掺杂工艺并提升性能,研究了以固态Zn化合物薄膜为扩散源的Zn扩散技术,通过真空镀膜和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备ZnO扩散源及SiO_(2)盖层,结合不同退火条件调控Zn在GaAs及InGaAs/GaAs/GaAsP异质结构中的扩散行为,利用多种测试方法分析其扩散规律及对器件性能的影响。实验结果表明:Zn的扩散深度随退火温度和时间增加而加深,杂质浓度达到约10^(20)cm^(-3)量级,纵向与横向扩散深度比为1∶1,且Zn杂质在多层异质结构中的扩散行为显著影响了激光器的光致发光特性和有源区的完整性。; 关键词半导体激光器杂质扩散 ZNO 980nm GAAS; Keywords semiconductor laser impurity diffusion ZnO 980 nm GaAs; 分类号 TN91 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器被引量：8: 3; 作者李毅黄毅泽王海方俞晓静张虎张伟朱慧群; 机构上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室五邑大学薄膜与纳米材料研究所; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1468-1475,共8页; 基金国家863高科技研究发展计划资助项目(No.2006AA03Z348) 教育部科学技术研究重点项目(No.207033) +1 种基金上海市教委科学技术研究重点项目(No.10ZZ94); 文摘提出了优化由两个均匀布拉格光纤光栅组成的980nm半导体激光器波长锁定器的方法以满足光纤放大器对半导体激光器的性能要求。运用耦合模理论推导了双布拉格光纤光栅(FBG)的透射率和反射率的解析表达式和波长锁定器增益方程。研究了两光栅之间的距离、光栅到激光器前端面的距离、光栅折射率、光栅折射率周期、光栅栅长和温度对激光器增益曲线的影响,并通过优化这些参数来达到最佳的锁模性能。测量了带双FBG波长锁定器的非致冷半导体激光器的输出光谱和出纤功率。实验结果表明:高功率非致冷980nm半导体激光器在0～70℃时的波长漂移为0.5nm,边模抑制比达45dB以上,半峰值全宽度<1nm。经优化设计的980nm半导体激光器FBG波长锁定器可满足光纤放大器对非致冷半导体激光器大功率、长寿命、高可靠性、小尺寸等性能的要求。; 关键词 980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器边模抑制比; Keywords 980 nm semiconductor laser dual Fiber Bragg Grating（FBG） wavelength stabilizer Side Mode Suppression Ratio（SMSR）; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm半导体激光器n型波导结构优化被引量：3: 4; 作者安宁芦鹏魏志鹏李占国马晓辉刘国军; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期105-109,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61006039 61370043); 文摘为了提高980nm半导体激光器的输出功率并获得较小的远场发散角,在非对称波导结构的基础上设计了n型波导结构,即在n型波导中引入高折射率的内波导层。采用理论计算和SimLastip软件模拟对常规非对称波导结构和内波导结构进行了研究。利用分子束外延系统生长980nm内波导结构的外延材料,并制作了激光器。对于条宽为100μm、腔长为1000μm的器件,阈值电流为97mA,斜率效率为1.01W/A;当注入电流为500mA时,远场发散角为29°(垂直向)×8°(水平向),与模拟结果相符。理论计算和实验结果表明:较之于常规非对称波导结构,内波导结构可有效降低光场限制因子,提高输出功率,减小远场发散角。; 关键词 980 nm半导体激光器输出功率内波导远场发散角; Keywords 980 nm semiconductor lasers output power inner waveguide far field divergence angle; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析被引量：4: 5; 作者刘斌张敬明刘媛媛王晓薇方高瞻马骁宇肖建伟; 机构中国科学院半导体研究所; 出处《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1-2,共2页; 文摘本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性现状离子辅助镀膜 COD 掺铒光纤放大器; Keywords semi conductor lasers, re 1 iab ility, ion assisted deposition, COD; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展被引量：4: 6; 作者胡雪莹董海亮贾志刚张爱琴梁建许并社; 机构太原理工大学太原理工大学轻纺工程学院太原理工大学材料科学与工程学院陕西科技大学; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第2期381-390,共10页; 基金国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185) 国家重点研发计划(2016YFB0401803) +1 种基金山西省重点研发项目(201803D31042)。; 文摘 GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。; 关键词 GaAs基高功率 980 nm半导体激光器应变量子阱结构转换效率光电性能; Keywords GaAs based high power 980 nm semiconductor laser strain quantum well conversion efficiency optical-electrical performance; 分类号 O471 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 7; 作者刘斌张敬明马骁宇肖建伟; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 文摘报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 COD 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; Keywords 980nm semiconductor lasers,reliability,ion implantation,non-injection regions,COD; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高性能980nm单模半导体激光器	李辉曲轶高欣薄报学刘国军	《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs基红外波段半导体激光器固态源Zn扩散技术研究	石孟杰陈泳屹宋悦秦莉王立军	《光通信技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器	李毅黄毅泽王海方俞晓静张虎张伟朱慧群	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	980nm半导体激光器n型波导结构优化	安宁芦鹏魏志鹏李占国马晓辉刘国军	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析	刘斌张敬明刘媛媛王晓薇方高瞻马骁宇肖建伟	《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展	胡雪莹董海亮贾志刚张爱琴梁建许并社	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究	刘斌张敬明马骁宇肖建伟	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2003	8	在线阅读下载PDF 职称材料