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有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征
被引量:
22
1
作者
李海蓉
张福甲
郑代顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期44-50,共7页
叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 ...
叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。
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关键词
有机电致发光材料
8
-
羟
基
喹啉
铝
结构表征
alq
3
有机电致发光器件
在线阅读
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职称材料
α-Alq_3与δ-Alq_3的扫描电镜分析
2
作者
王华
郝玉英
+2 位作者
周禾丰
赵兴国
许并社
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2005年第4期309-309,共1页
关键词
扫描电镜分析
有机电致发光材料
8
-
羟
基
喹啉
铝
alq
3
结构观察
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职称材料
热退火对MEH-PPV/Alq3掺杂膜能量转移及光学性质的影响(英文)
3
作者
赵勇
张鹏
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期157-162,共6页
以旋转涂膜技术制备了m(MEH-PPV)∶m(Alq3)为5∶1,5∶2,5∶4,11和1∶2的MEH-PPV/Alq3复合膜.利用紫外可见吸收谱和荧光光谱研究了该复合膜的能量转移和光学性质.结果表明,Alq3的发射谱和MEH-PPV的吸收谱存在较大的重叠,此暗示在复合膜...
以旋转涂膜技术制备了m(MEH-PPV)∶m(Alq3)为5∶1,5∶2,5∶4,11和1∶2的MEH-PPV/Alq3复合膜.利用紫外可见吸收谱和荧光光谱研究了该复合膜的能量转移和光学性质.结果表明,Alq3的发射谱和MEH-PPV的吸收谱存在较大的重叠,此暗示在复合膜发光过程中从Alq3到MEH-PPV的能量转移起着重要作用.此外,在室温到80℃之间,测量了复合膜的发光性质,结果显示复合膜的能量转移和发光性质都严重受热淬灭.总之,复合物发光性质除了依赖掺杂浓度外,还受退火温度的影响.
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关键词
聚(2
-
甲氧
基
-
5
-
(2′
-
乙
基
已氧
基
)
-
1
4
-
对苯乙炔(MEH
-
PPV)
8
-
氢
基
喹啉
铝
(
alq
3)
热退火
能量转移
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职称材料
Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究
被引量:
2
4
作者
郑代顺
李海蓉
+1 位作者
王延勇
张福甲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期351-356,共6页
用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7...
用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV。分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态,C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于 401.0eV,对应于 C-N=C键;而 O原子主要与 H原子成键,其束缚能为532.8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分钟时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、C1s、N1s、O1s、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、C1s和N1s峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。
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关键词
alq
3
/ITO
XPS
结构
表面电子状态
界面电子状态
电致发光器件
8
-
羟
基
喹啉
铝
发光材料
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职称材料
有或没有Alq_3参与情况下LiF和Al的化学反应
5
作者
张寒洁
鲍世宁
+4 位作者
何丕模
王穗东
冯明凯
李振声
李述汤
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期770-773,共4页
利用X光电子能谱(XPS)和高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li1s的峰发生了0.25eV的位移,同时F1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与...
利用X光电子能谱(XPS)和高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li1s的峰发生了0.25eV的位移,同时F1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与的情况下,加热样品至350K后,在Li1s峰的低能端0.85eV处出现了一个伴峰.XPS研究表明,这个伴峰对应的是金属态的Li1s.HREELS的结果也验证了这一结论.
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关键词
alq
3
LIF
AL
化学反应
氟化锂
铝
X光电子能谱
高分辨电子能量损失谱
8
-
羟
基
喹啉
铝
络合物
有机发光器件
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职称材料
题名
有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征
被引量:
22
1
作者
李海蓉
张福甲
郑代顺
机构
兰州大学物理学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期44-50,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 76 0 2 3)
文摘
叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。
关键词
有机电致发光材料
8
-
羟
基
喹啉
铝
结构表征
alq
3
有机电致发光器件
Keywords
alq
3
structure
characterization
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
α-Alq_3与δ-Alq_3的扫描电镜分析
2
作者
王华
郝玉英
周禾丰
赵兴国
许并社
机构
太原理工大学材料科学与工程学院
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2005年第4期309-309,共1页
基金
国家973项目(No.2004CB217808)
国家自然科学基金重大研究计划项目(No.90306014)
+3 种基金
国家自然科学基金(No.50311140138
20271037
20471041)
山西省自然科学基金(No.20041066)资助项目.
关键词
扫描电镜分析
有机电致发光材料
8
-
羟
基
喹啉
铝
alq
3
结构观察
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
热退火对MEH-PPV/Alq3掺杂膜能量转移及光学性质的影响(英文)
3
作者
赵勇
张鹏
机构
西南大学化学化工学院
出处
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期157-162,共6页
基金
西南大学博士基金资助项目(SWUB2006017)
文摘
以旋转涂膜技术制备了m(MEH-PPV)∶m(Alq3)为5∶1,5∶2,5∶4,11和1∶2的MEH-PPV/Alq3复合膜.利用紫外可见吸收谱和荧光光谱研究了该复合膜的能量转移和光学性质.结果表明,Alq3的发射谱和MEH-PPV的吸收谱存在较大的重叠,此暗示在复合膜发光过程中从Alq3到MEH-PPV的能量转移起着重要作用.此外,在室温到80℃之间,测量了复合膜的发光性质,结果显示复合膜的能量转移和发光性质都严重受热淬灭.总之,复合物发光性质除了依赖掺杂浓度外,还受退火温度的影响.
关键词
聚(2
-
甲氧
基
-
5
-
(2′
-
乙
基
已氧
基
)
-
1
4
-
对苯乙炔(MEH
-
PPV)
8
-
氢
基
喹啉
铝
(
alq
3)
热退火
能量转移
Keywords
MEH
-
PPV
aluminum(
alq
3
)
thermal annealing
energy transfer
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究
被引量:
2
4
作者
郑代顺
李海蓉
王延勇
张福甲
机构
兰州大学物理学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期351-356,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60076023)
文摘
用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV。分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态,C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于 401.0eV,对应于 C-N=C键;而 O原子主要与 H原子成键,其束缚能为532.8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分钟时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、C1s、N1s、O1s、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、C1s和N1s峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。
关键词
alq
3
/ITO
XPS
结构
表面电子状态
界面电子状态
电致发光器件
8
-
羟
基
喹啉
铝
发光材料
Keywords
XPS
alq
3
/ITO
electronic states of surface and interface
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
有或没有Alq_3参与情况下LiF和Al的化学反应
5
作者
张寒洁
鲍世宁
何丕模
王穗东
冯明凯
李振声
李述汤
机构
浙江大学物理系
香港城市大学物理与材料科学系超金刚石及先进薄膜中心
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期770-773,共4页
基金
国家自然科学基金(10074054
10274072)~~
文摘
利用X光电子能谱(XPS)和高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li1s的峰发生了0.25eV的位移,同时F1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与的情况下,加热样品至350K后,在Li1s峰的低能端0.85eV处出现了一个伴峰.XPS研究表明,这个伴峰对应的是金属态的Li1s.HREELS的结果也验证了这一结论.
关键词
alq
3
LIF
AL
化学反应
氟化锂
铝
X光电子能谱
高分辨电子能量损失谱
8
-
羟
基
喹啉
铝
络合物
有机发光器件
Keywords
LiF
Al
XPS
HREELS
分类号
O657.62 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征
李海蓉
张福甲
郑代顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
22
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职称材料
2
α-Alq_3与δ-Alq_3的扫描电镜分析
王华
郝玉英
周禾丰
赵兴国
许并社
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2005
0
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职称材料
3
热退火对MEH-PPV/Alq3掺杂膜能量转移及光学性质的影响(英文)
赵勇
张鹏
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
4
Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究
郑代顺
李海蓉
王延勇
张福甲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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职称材料
5
有或没有Alq_3参与情况下LiF和Al的化学反应
张寒洁
鲍世宁
何丕模
王穗东
冯明凯
李振声
李述汤
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
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