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4英寸高质量GaN单晶衬底制备: 1; 作者齐占国王守志 +11 位作者李秋波王忠新邵慧慧刘磊王国栋孙德福于汇东蒋铠泽张爽陈秀芳徐现刚张雷《人工晶体学报》北大核心 2025年第4期717-720,共4页; 本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自... 展开更多; 关键词 GaN单晶衬底 4英寸氢化物气相外延晶体生长晶体加工; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征被引量：1: 2; 作者任殿胜王志珍 +1 位作者张舒惠王元立《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期487-496,共10页; 本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻... 展开更多; 关键词 GAAS 垂直梯度凝固 8英寸单晶衬底位错密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征被引量：6: 3; 作者娄艳芳巩拓谌 +4 位作者张文郭钰彭同华杨建刘春俊《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页; 使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、... 展开更多; 关键词 8英寸sic单晶衬底物理气相传输法 X射线摇摆曲线微管密度翘曲度和弯曲度位错密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备被引量：2: 4; 作者熊希希杨祥龙 +8 位作者陈秀芳李晓蒙谢雪健胡国杰彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1371-1372,共2页; 碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大... 展开更多; 关键词 4H-sic 8英寸低位错密度单晶衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸导电型4H-SiC单晶的生长被引量：6: 5; 作者杨祥龙陈秀芳 +5 位作者谢雪健彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1745-1748,共4页; 采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的... 展开更多; 关键词 sic单晶衬底 8英寸物理气相传输法微管密度电阻率; 在线阅读下载PDF 职称材料

物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底被引量：1: 6; 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3224-3224,共1页; 碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特... 展开更多; 关键词碳化硅单晶衬底材料大功率电子器件宽禁带半导体材料 sic单晶物理饱和漂移速度肖特基二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响被引量：1: 7; 作者房玉龙张志荣 +4 位作者尹甲运王波芦伟立高楠陈秀芳《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期381-385,共5页; 大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温... 展开更多; 关键词 6英寸 sic衬底摇摆曲线单晶质量均匀性 GaN外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展被引量：9: 8; 作者彭燕陈秀芳 +5 位作者谢雪健徐现刚胡小波杨祥龙于国建王垚浩《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期619-628,共10页; 碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更... 展开更多; 关键词 sic单晶衬底微管密度 6英寸半绝缘; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4英寸高质量GaN单晶衬底制备: 1; 作者齐占国王守志李秋波王忠新邵慧慧刘磊王国栋孙德福于汇东蒋铠泽张爽陈秀芳徐现刚张雷; 机构山东大学山东晶镓半导体有限公司; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第4期717-720,共4页; 基金国家自然科学基金重点项目(62434010,52472010)。; 文摘本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自支撑GaN单晶衬底。该衬底兼具优异的结晶质量与出色的力学稳定性,表面无裂纹,应力分布均匀;阴极荧光光谱(CL)表征位错密度为9.6×10^(5)cm^(-2),高分辨X射线衍射(HRXRD)(002)面摇摆曲线半峰全宽低至57.91″;原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度Ra<0.2 nm,呈现原子级平整表面。制备的衬底开盒即用,能够满足蓝绿激光器及电力电子器件的需求。; 关键词 GaN单晶衬底 4英寸氢化物气相外延晶体生长晶体加工; Keywords GaN single crystal 4-inch hydride vapor phase epitaxy crystal growth crystal processing; 分类号 O734 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征被引量：1: 2; 作者任殿胜王志珍张舒惠王元立; 机构北京通美晶体技术股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期487-496,共10页; 文摘本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明:衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm^(-2),其中,晶体头部平均位错密度为1.7 cm^(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明,所制备的8英寸GaAs衬底质量优异,满足外延器件对高质量衬底的要求。; 关键词 GAAS 垂直梯度凝固 8英寸单晶衬底位错密度; Keywords GaAs vertical gradient freeze 8 inch single crystal substrate dislocation density; 分类号 O785 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征被引量：6: 3; 作者娄艳芳巩拓谌张文郭钰彭同华杨建刘春俊; 机构北京天科合达半导体股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3601100)。; 文摘使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。; 关键词 8英寸sic单晶衬底物理气相传输法 X射线摇摆曲线微管密度翘曲度和弯曲度位错密度; Keywords 8-inch sic single crystal substrate physical vapor transport mehtod X-ray rocking curve micropipe density warp and bow dislocation density; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备被引量：2: 4; 作者熊希希杨祥龙陈秀芳李晓蒙谢雪健胡国杰彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室广州南砂晶圆半导体技术有限公司; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1371-1372,共2页; 基金国家自然科学基金(52022052,62004118) 山东省重点研发计划(2022ZLGX02)。; 文摘碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm^(–2),基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm^(–2)。; 关键词 4H-sic 8英寸低位错密度单晶衬底; Keywords 4H-sic 8-inch low dislocation density single crystal substrate; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸导电型4H-SiC单晶的生长被引量：6: 5; 作者杨祥龙陈秀芳谢雪健彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚; 机构山东大学广州南砂晶圆半导体技术有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1745-1748,共4页; 基金国家自然科学基金(51902182,52022052)。; 文摘采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^(-2);衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。; 关键词 sic单晶衬底 8英寸物理气相传输法微管密度电阻率; Keywords sic single crystal substrate 8 inch physical vapor transport method micropipe density resistivity; 分类号 O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底被引量：1: 6; 机构中国科学院上海技术物理研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3224-3224,共1页; 文摘碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。; 关键词碳化硅单晶衬底材料大功率电子器件宽禁带半导体材料 sic单晶物理饱和漂移速度肖特基二极管; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响被引量：1: 7; 作者房玉龙张志荣尹甲运王波芦伟立高楠陈秀芳; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所山东大学晶体材料国家重点实验室新一代半导体材料研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期381-385,共5页; 文摘大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整。对两个批次的6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC单晶衬底分别进行了(004)面X射线摇摆曲线全图扫描,评价了衬底结晶质量,并在衬底上进行了GaN外延生长。结果表明,采用结晶质量好且均匀的SiC单晶衬底,外延生长的GaN质量更高。; 关键词 6英寸 sic衬底摇摆曲线单晶质量均匀性 GaN外延; Keywords 6-inch sic substrate rocking curve single crystal quality uniformity GaN epitaxy; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展被引量：9: 8; 作者彭燕陈秀芳谢雪健徐现刚胡小波杨祥龙于国建王垚浩; 机构山东大学广州南砂晶圆半导体技术有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期619-628,共10页; 基金广东省重点领域研发计划(2019B010126001)。; 文摘碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为重要的一环。本文针对半绝缘SiC单晶衬底材料国内外发展进行了分析归纳,重点介绍了山东大学半绝缘SiC的研究历程、现状,并对研究和产业发展、存在的挑战做了论述。; 关键词 sic单晶衬底微管密度 6英寸半绝缘; Keywords sic single crystal substrate micropipe density 6 inch semi-insulating; 分类号 TQ163.4 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	4英寸高质量GaN单晶衬底制备	齐占国王守志李秋波王忠新邵慧慧刘磊王国栋孙德福于汇东蒋铠泽张爽陈秀芳徐现刚张雷	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征	任殿胜王志珍张舒惠王元立	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征	娄艳芳巩拓谌张文郭钰彭同华杨建刘春俊	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备	熊希希杨祥龙陈秀芳李晓蒙谢雪健胡国杰彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	8英寸导电型4H-SiC单晶的生长	杨祥龙陈秀芳谢雪健彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底		《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响	房玉龙张志荣尹甲运王波芦伟立高楠陈秀芳	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展	彭燕陈秀芳谢雪健徐现刚胡小波杨祥龙于国建王垚浩	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2021	9	在线阅读下载PDF 职称材料