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题名化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究
被引量：4
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作者
李紫琪
赵培
刘莎
陈志杰
李哲成
潘天宇
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机构
武汉工程大学材料科学与工程学院
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出处
《武汉工程大学学报》
CAS
2021年第2期181-186,191,共7页
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基金
国家自然科学基金(51972241)。
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文摘
以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al_2O_3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr_3C_2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr_3C_2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响。结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度(130)择优取向的Cr_3C_2薄膜。随着沉积温度的升高,Cr_3C_2薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大。在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的(130)择优取向的最佳Cr_3C_2薄膜。同时,在实验条件下Cr_3C_2薄膜表面存在少量的碳和Cr_2O_3。
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关键词
碳化铬薄膜
化学气相沉积
三(2
2
6
6-四甲基-3
5-庚二酮)化铬
沉积温度
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Keywords
Cr3C2 film
chemical vapor deposition
tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione)chromium
deposition temperature
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分类号
TG144
[金属学及工艺—金属材料]
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