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基于S3C4510B网络处理器的系统设计 被引量:2
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作者 黄明键 赵建玉 王伟 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期84-86,共3页
基于ARM内核的32位嵌入式系统,目前已经占有75%以上的32位RISC嵌入式产品市场,在低功耗、低成本的嵌入式应用领域确立了市场领导地位。因此,有必要掌握基于ARM内核的嵌入式系统的开发。文中主要介绍基于S3C4510B的硬件系统的详细设计步... 基于ARM内核的32位嵌入式系统,目前已经占有75%以上的32位RISC嵌入式产品市场,在低功耗、低成本的嵌入式应用领域确立了市场领导地位。因此,有必要掌握基于ARM内核的嵌入式系统的开发。文中主要介绍基于S3C4510B的硬件系统的详细设计步骤、实现细节、硬件系统及软件系统的调试方法等,通过对S3C4510B的分析,能够对嵌入式系统开发有初步的了解。 展开更多
关键词 ARM MMU S3C4510B RISC Sdram SRAM dram
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用于TFT-LCD驱动芯片的内置DRAM设计
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作者 张斌 张盛兵 梁茂 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期581-585,共5页
TFT-LCD驱动芯片中需要较大容量的内置存储器,相对于静态存储电路而言,动态存储电路节省了芯片的面积,有利于芯片成本的降低。文章讨论了用于TFT-LCD驱动芯片内置DRAM的分块设计方法,结合芯片物理特点将其分为左右对称两块。采用改进的... TFT-LCD驱动芯片中需要较大容量的内置存储器,相对于静态存储电路而言,动态存储电路节省了芯片的面积,有利于芯片成本的降低。文章讨论了用于TFT-LCD驱动芯片内置DRAM的分块设计方法,结合芯片物理特点将其分为左右对称两块。采用改进的3-T结构DRAM存储阵列,省去了伪存储单元,节省了面积,降低了功耗。优化了DRAM的刷新电路,省略了判断信号与RAS和CAS先后顺序的仲裁电路。结合芯片本身的特点设计了行、列译码电路。对于芯片的仿真,采用了模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法,同时又采用了结构化抽取寄生参数和建立关键路径的后仿真。 展开更多
关键词 TFT dram 3T 仿真
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