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面向CMOS图像传感器芯片的3D芯粒(Chiplet)非接触互联技术
被引量：
3
1
作者
徐志航
徐永烨
+2 位作者
马同川
杜力
杜源
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第9期3150-3156,共7页
在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利...
在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华(CSMC)0.25μm CMOS工艺和东部高科(DB HiTek)0.11μm CIS工艺,通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明,该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率,收发机通信距离为5~20μm,在数据速率达到200 Mbit/s时,误码率小于10^(-8),接收端功耗为1.09 mW,能效为5.45 pJ/bit。
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关键词
芯粒(Chiplet)
电感耦合
3维芯片集成技术
CMOS图像传感器
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职称材料
题名
面向CMOS图像传感器芯片的3D芯粒(Chiplet)非接触互联技术
被引量：
3
1
作者
徐志航
徐永烨
马同川
杜力
杜源
机构
南京大学电子科学与工程学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第9期3150-3156,共7页
基金
国家重点研发计划(2021YFA0717700)
国家自然科学基金(62211530492,62004096)。
文摘
在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华(CSMC)0.25μm CMOS工艺和东部高科(DB HiTek)0.11μm CIS工艺,通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明,该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率,收发机通信距离为5~20μm,在数据速率达到200 Mbit/s时,误码率小于10^(-8),接收端功耗为1.09 mW,能效为5.45 pJ/bit。
关键词
芯粒(Chiplet)
电感耦合
3维芯片集成技术
CMOS图像传感器
Keywords
Chiplet
Inductive coupling
3
D integrated interconnects
CMOS Image Sensor(CIS)
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
面向CMOS图像传感器芯片的3D芯粒(Chiplet)非接触互联技术
徐志航
徐永烨
马同川
杜力
杜源
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2023
3
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