β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其...β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其高生长速率、精确的膜厚控制、优异的薄膜质量和大尺寸生长等优势,成为未来β-Ga_(2)O_(3)走向产业化的潜在方法,并已被广泛应用于β-Ga_(2)O_(3)的外延生长研究。本文对几种常见晶向的β-Ga_(2)O_(3) MOCVD同质外延生长的研究成果进行了概述,并在此基础上介绍了极具潜力的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的MOCVD外延生长研究现状。最后,总结了基于MOCVD技术的β-Ga_(2)O_(3)同质外延生长以及β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)生长过程中面临的主要问题,并对未来的发展进行了展望。展开更多
目的探讨血清几丁质酶-3样蛋白1(chitinase 3-like protein 1,CHI3L1)与血液透析患者全因死亡和心脑血管疾病死亡之间的关系。方法本研究为前瞻性队列研究,病例来自2014年9月北京大学第三医院肾内科维持性血液透析患者。测定基线血CHI3L...目的探讨血清几丁质酶-3样蛋白1(chitinase 3-like protein 1,CHI3L1)与血液透析患者全因死亡和心脑血管疾病死亡之间的关系。方法本研究为前瞻性队列研究,病例来自2014年9月北京大学第三医院肾内科维持性血液透析患者。测定基线血CHI3L1水平,并根据中位数将患者分为高CHI3L1组和低CHI3L1组,随访9年。用Kaplan-Meier生存分析高CHI3L1组和低CHI3L1组患者生存率的差异,用限制性立方样条(restricted cubic spline,RCS)曲线描述CHI3L1与全因死亡率的剂量反应关系,用多因素COX比例风险模型分析患者全因死亡或心脑血管疾病死亡的独立危险因素。结果共纳入109例患者,随访时间为80.0(38.2,113.2)个月。Kaplan-Meier生存分析显示高CHI3L1组患者全因死亡率高于低CHI3L1组(χ^(2)=4.720,P=0.030),2组患者心脑血管疾病死亡率无明显差异(χ^(2)=1.954,P=0.162)。当CHI3L1≥199.8 ng/ml时,全因死亡率随着CHI3L1水平的增加有明显增加(HR=1.747,95%CI:1.035~2.947,P=0.037)。COX回归分析结果显示:年龄增加(HR=1.029,95%CI:1.001~1.056,P=0.040)、长透析龄(HR=2.251,95%CI:1.310~3.868,P=0.003)、收缩压高(HR=1.022,95%CI:1.008~1.036,P=0.002)、血肌酐低(HR=0.135,95%CI:0.064~0.283,P<0.001)均为血液透析患者全因死亡的独立危险因素,多种因素校正后高CHI3L1仍然是患者全因死亡的独立危险因素(HR=1.963,95%CI:1.010~3.813,P=0.047)。结论高CHI3L1组患者全因死亡率高于低CHI3L1组患者,血CHI3L1可能是血液透析患者全因死亡的独立预测指标。展开更多
文摘β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其高生长速率、精确的膜厚控制、优异的薄膜质量和大尺寸生长等优势,成为未来β-Ga_(2)O_(3)走向产业化的潜在方法,并已被广泛应用于β-Ga_(2)O_(3)的外延生长研究。本文对几种常见晶向的β-Ga_(2)O_(3) MOCVD同质外延生长的研究成果进行了概述,并在此基础上介绍了极具潜力的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的MOCVD外延生长研究现状。最后,总结了基于MOCVD技术的β-Ga_(2)O_(3)同质外延生长以及β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)生长过程中面临的主要问题,并对未来的发展进行了展望。
