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^(252)Cf随机脉冲源方法测量球形钚系统瞬发中子衰减常数
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作者 周浩军 李建胜 +2 位作者 宋凌莉 张翼 金宇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B09期387-390,共4页
252 Cf随机脉冲源方法由早期的重复脉冲源方法演变而来,是测量核系统瞬发中子衰减常数α的有效方法。采用该方法测量了钚球装配31mm、29mm厚钢反射层核系统的α,在有效信号和噪声的比例为1∶1的情况下,得到的瞬发中子衰减谱信噪比为7∶1... 252 Cf随机脉冲源方法由早期的重复脉冲源方法演变而来,是测量核系统瞬发中子衰减常数α的有效方法。采用该方法测量了钚球装配31mm、29mm厚钢反射层核系统的α,在有效信号和噪声的比例为1∶1的情况下,得到的瞬发中子衰减谱信噪比为7∶1,最小二乘拟合结果依次为2.25μs-1和3.00μs-1,拟合误差为±0.02μs-1。与Rossi-α方法的测量结果进行了比较,两种测量方法的结果差异小于1.3%。 展开更多
关键词 瞬发中子衰减常数 252cf随机脉冲源方法 次临界
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基于Elman神经网络的252Cf源核系统随机中子脉冲信号识别方法 被引量:2
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作者 冯鹏 刘思远 米德伶 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2224-2228,共5页
针对252 Cf自发裂变中子源构成的核信息系统,以实际所测随机中子脉冲数据的自相关函数为研究对象,借助仿真实验,利用Elman神经网络对不同质量核材料进行识别。在实测数据的基础上,通过叠加随机抖动,模拟产生了不同质量核材料的相关函数... 针对252 Cf自发裂变中子源构成的核信息系统,以实际所测随机中子脉冲数据的自相关函数为研究对象,借助仿真实验,利用Elman神经网络对不同质量核材料进行识别。在实测数据的基础上,通过叠加随机抖动,模拟产生了不同质量核材料的相关函数样本,并将其用于神经网络的训练与测试,实验结果表明,训练过的Elman神经网络能够较好地识别相关函数的特征,分辨不同质量的核材料,平均识别率达到85%,综合平均误差为0.04,且具有较高的鲁棒性。 展开更多
关键词 252cf核信息系统 随机中子信号 ELMAN神经网络 核材料识别
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一种仿^(252)Cf中子源随机脉冲信号参数检测系统的FPGA设计与实现
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作者 李鹏程 魏彪 +4 位作者 任勇 张应辉 金晶 冯鹏 米德伶 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1602-1606,共5页
从252Cf自发裂变中子源之裂变中子在时间分布上相互独立的基本原理出发,针对随机核信号在时间上呈泊松分布,在幅度上服从高斯分布这一特征,开展了基于FPGA技术的仿252Cf中子源随机核信号产生及其脉冲参数的检测研究。研究结果表明,仿25... 从252Cf自发裂变中子源之裂变中子在时间分布上相互独立的基本原理出发,针对随机核信号在时间上呈泊松分布,在幅度上服从高斯分布这一特征,开展了基于FPGA技术的仿252Cf中子源随机核信号产生及其脉冲参数的检测研究。研究结果表明,仿252Cf中子源随机核脉冲参数检测系统,在脉冲上升沿或下降沿到达后的第一个时钟周期,便能开始输出检测结果,满足了随机脉冲参数检测的实时性要求。通过观察LabVIEW GUI上显示的参数检测结果,与核脉冲的计数率、幅度统计特性、时间间隔统计特性基本相吻合,表明基于FPGA的仿252Cf源的核信号参数检测系统是切实可行的。 展开更多
关键词 仿252cf随机脉冲 FPGA LABVIEW
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一种仿^(252)Cf中子源脉冲信号频谱分析的FPGA设计与实现
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作者 李鹏程 魏彪 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期847-851,共5页
从252Cf自发裂变中子源之裂变中子在时间分布上相互独立的基本原理出发,针对随机核信号在时间上呈泊松分布,在幅度上服从高斯分布的这一特征,开展了基于FPGA技术的仿252Cf中子源随机核信号产生及其频谱分析系统的研究。通过比较仿252Cf... 从252Cf自发裂变中子源之裂变中子在时间分布上相互独立的基本原理出发,针对随机核信号在时间上呈泊松分布,在幅度上服从高斯分布的这一特征,开展了基于FPGA技术的仿252Cf中子源随机核信号产生及其频谱分析系统的研究。通过比较仿252Cf中子源核信号与核信号的功率谱趋势,验证了仿252Cf中子源随机信号产生机制的可靠性。研究表明,将FPGA技术运用仿核信号频谱分析是可行的,仿核随机信号的频谱分析研究工作为今后将此技术移植于核信号打下了基础。 展开更多
关键词 仿252cf随机脉冲 频谱分析 FPGA
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IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究 被引量:6
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作者 薛玉雄 曹洲 +3 位作者 杨世宇 田恺 郭刚 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期22-27,共6页
为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量... 为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。 展开更多
关键词 IDT6116SRAM 单粒子翻转 单粒子锁定 脉冲激光 重离子 ^252cf
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