题名 硅通孔内铜电沉积填充机理研究进展(英文)
被引量：2
1
作者
孙云娜 吴永进 谢东东 蔡涵 王艳 丁桂甫
机构
上海交通大学 上海交通大学电子信息与电气工程学院
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期7-22,共16页
基金
supported by the National Key Research and Development Program of China (No. 2021YFB2011800) Consultation and Evaluation Project of the Faculty of the Chinese Academy of Sciences (No. 2020-HX02-B-030)。
文摘
上海交通大学多元兼容集成制造技术团队针对TSV互连的深孔填充电镀难题,借助有限元软件和任意拉格朗日-欧拉算法,完成了方程组的数值解算,实现了TSV填充模式的数值仿真。利用有限元和任意拉格朗日-欧拉算法分析了盲孔的填充机制,通孔的蝴蝶形式的电镀填充过程,以及不同深宽比孔的同时填充模式,并利用仿真数据进行了样品的研制及参数优化。分析了电镀的电流密度和热处理温度对电镀填充TSV-Cu的力学属性的影响。通过原位压缩试验研究了电流密度对TSV-Cu的力学性能和显微组织的影响。利用单轴薄膜拉伸试验分析了热处理工艺对TSV-Cu材料属性的影响。结果表明,随着热处理温度的升高,TSV-Cu的断裂强度和屈服强度明显下降,杨氏模量呈波纹状变化但变化趋势缓慢。基于上述研究结果,研究了热失配应力所导致的互连结构热变形机制,通过自主搭建的原位测试系统,实时观测TSV-Cu随温度变化而产生的变形大小,以研究影响TSV-Cu互连热应力应变的规律。结果表明,TSV-Cu的热变形过程分为弹性变形阶段、类塑性强化阶段以及塑性变形阶段。
关键词
硅通孔 数值模拟 铜电沉积机理 任意拉格朗日-欧拉 2.5d转接板
Keywords
through silicon via numerical simulation Cu electrod eposition mechanism arbitrary lagrange-eulerian 2.5 -d imension interposer
分类号
TQ153.14
[化学工程—电化学工业]
