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MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料
被引量：
1
1
作者
徐静波
杨瑞霞
武一宾
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期28-31,共4页
利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn...
利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns的InP PHEMT外延材料。
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关键词
MBE
外延材料
电子迁移率
2-deg面密度
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职称材料
题名
MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料
被引量：
1
1
作者
徐静波
杨瑞霞
武一宾
机构
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期28-31,共4页
基金
国家预研基金资助项目(51432020103QT4501)
河北省自然科学基金资助项目(F2004000078)
天津市自然科学基金资助项目(203801411)
文摘
利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns的InP PHEMT外延材料。
关键词
MBE
外延材料
电子迁移率
2-deg面密度
Keywords
MBE
epitaxial materials
electron mobility
sheet density of
2
-deg
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料
徐静波
杨瑞霞
武一宾
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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