大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备 被引量：3

1

作者 袁泽锐 窦云巍 +3 位作者 陈莹 方攀 尹文龙 康彬 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1491-1493,共3页

磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZG... 磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备,器件在2.09μm的吸收系数仅为0.03 cm^-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。 展开更多

关键词 中红外非线性光学晶体 ZnGeP2单晶 水平梯度冷凝法 晶体生长

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直径200毫米CaF_2单晶体生长 被引量：1

2

作者 沈永宏 姜国经 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期77-,共1页

我们采用一种特定设计的Bridgman Stockbarger炉 ,已经稳定地生长出直径 2 0 0mm ,高1 70mm的CaF2 晶体 ,晶体初端与终端有时出现较明显的光散射、亮点及包裹体。晶体初始端主要缺陷是零星分布散射亮点 ,而散射光柱则很轻 ;晶体终端出现... 我们采用一种特定设计的Bridgman Stockbarger炉 ,已经稳定地生长出直径 2 0 0mm ,高1 70mm的CaF2 晶体 ,晶体初端与终端有时出现较明显的光散射、亮点及包裹体。晶体初始端主要缺陷是零星分布散射亮点 ,而散射光柱则很轻 ;晶体终端出现 30mm左右的指向终端逐渐变重的散射光柱。进一步试验表明 ,通过改进工艺 ,端部效应影响可以得到有效地改进。大尺寸CaF2 单晶体生长工艺技术的成熟主要表现在晶体结构完整性好 ,其次是低角度晶界处的光学连续性好。大尺寸单晶体的制做中 ,结构完整性无论对晶体光学性能还是对元件制做都是至关重要的。决定结构完整性的关键因素是炉内温场分布 ,其次是工艺参数的选取及合理匹配。在低角度晶界界面上 ,应该不存在杂质沉积或者说杂质沉积甚微 ,无微气泡层出现。界面光学连续性好 ,光波通过此处无明显的波前畸变发生。结构完整性好的晶体 ,通过精密退火 ,应力可达到 5～ 8nm/cm ,保证各种光学元件的加工制做及材料性能的要求。目前这些晶体已经进入国内外市场 ,被加工成1 90mm、1 5 7mm以及98mm光学透镜及窗口。 展开更多

关键词 CaF_2单晶 布里奇曼法 工艺参数

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环境湿度对SiO_2单晶摩擦学行为的影响

3

作者 徐洮 杨生荣 +1 位作者 刘惠文 薛群基 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期518-519,共2页

关键词 环境湿度 SiO2单晶 摩擦学行为 陶瓷材料 摩擦学部件 一元系统陶瓷 摩擦学性能 磨损机理

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用于红外激光传输及光纤传感应用的矩形Y_2O_3-ZrO_2单晶光波导

4

作者 楼静漪 童利民 徐云飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期397-400,共4页

通过精确的切割和良好的抛光 ,从Y2 O3 稳定的ZrO2 块状单晶制得可用于红外激光传输及光纤高温传感的高品质Y2 O3 ZrO2 单晶矩形光波导 .获得的矩形波导截面大于 1mm× 1mm ,长度在 4 5mm～ 6 5mm之间 .波导的光学性能比用常规LHP... 通过精确的切割和良好的抛光 ,从Y2 O3 稳定的ZrO2 块状单晶制得可用于红外激光传输及光纤高温传感的高品质Y2 O3 ZrO2 单晶矩形光波导 .获得的矩形波导截面大于 1mm× 1mm ,长度在 4 5mm～ 6 5mm之间 .波导的光学性能比用常规LHPG系统生长的Y2 O3 ZrO2 单晶光纤优越得多 ,在 90 0nm波长处的光学损耗小于 0 .0 3dB cm ,对 1.0 6 μmNd :YAG激光脉冲的损伤阈值为 0 .98MW cm2 ,并且能耐受 2 30 0℃的高温 .实验结果表明 ,这些波导有望在红外激光传输和 2 0 0 0℃以上的高温光纤传感等领域得到应用 . 展开更多

关键词 Y2O3-ZrO2单晶 抛光 矩形波导 红外激光传输 高温光纤传感

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YbBi_2单晶的磁化特性研究

5

作者 张方辉 姜振益 杨成军 《西北轻工业学院学报》 2000年第2期83-85,共3页

研究了 Yb Bi2 单晶磁化强度和温度的关系以及 Yb Bi2 单晶在 2 K时的磁化特性 .实验发现 Yb Bi2 单晶在 2 K以上没有表现出超导电性 ;在 1 .5 K以上 Yb Bi2 单晶是一种顺磁质 ;它在 5 5

关键词 YbBi2单晶 顺磁质 相变 磁化特性

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TiO_2单晶面负载贵金属Ag形貌及其催化活性 被引量：2

6

作者 欧阳琴 江卓 昝菱 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期984-990,共7页

采用水热法合成90%以上高暴露单晶面TiO_2(001)、(101)和(010),并通过光沉积方法负载贵金属Ag,光照20 min后,由于不同晶面具有不同的原子排布和电子结构,其负载的Ag的粒径不同,TiO_2-101晶面上Ag的粒径为(12.5±5)nm,TiO_2-010晶面... 采用水热法合成90%以上高暴露单晶面TiO_2(001)、(101)和(010),并通过光沉积方法负载贵金属Ag,光照20 min后,由于不同晶面具有不同的原子排布和电子结构,其负载的Ag的粒径不同,TiO_2-101晶面上Ag的粒径为(12.5±5)nm,TiO_2-010晶面上Ag的粒径为(17.5±5)nm,而TiO_2-001晶面上Ag的粒径为(25±15)nm。可见光催化降解罗丹明B(Rh B)实验表明,不同晶面负载Ag后降解能力不同;荧光及瞬态荧光表明,Ag/TiO_2-010的电子空穴复合弱于Ag/TiO_2-001及Ag/TiO_2-101,故其光催化降解速率为1.032 h-1,强于后两者;固体紫外分析显示,Ag的粒径越小,表面等离子体共振(SPR)效应越强,Ag/TiO_2-101的光催化活性强于Ag/TiO_2-001;自由基捕获结果表明,Ag/TiO_2-001、Ag/TiO_2-101和Ag/TiO_2-010降解Rh B的主要活性自由基是空穴(h+)和羟基自由基(·OH)。 展开更多

关键词 TiO2单晶面 贵金属负载 晶面效应 光催化活性 功能材料

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MOCVD法制备SnO2单晶薄膜的结构和光学性质 被引量：1

7

作者 冯先进 马瑾 +1 位作者 杨帆 栾彩娜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期298-299,共2页

用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上制备出高质量的氧化锡（SnO2）单晶薄膜。对制备薄膜的结构和光学性质进行了研究。制备样品具有纯snO2的四方金红石结构，其外延生长方向为SnO2（100）∥Al2O3（0001）。薄... 用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上制备出高质量的氧化锡（SnO2）单晶薄膜。对制备薄膜的结构和光学性质进行了研究。制备样品具有纯snO2的四方金红石结构，其外延生长方向为SnO2（100）∥Al2O3（0001）。薄膜均匀、致密，具有很好的取向性和结晶性。透射谱测量结果表明，在可见光区薄膜的绝对透过率达到了90％以上。 展开更多

关键词 MOCVD SnO2单晶薄膜 蓝宝石衬底

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3~4英寸Fe掺高阻β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备及其性能研究 被引量：1

8

作者 霍晓青 张胜男 +3 位作者 周金杰 王英民 程红娟 孙启升 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期407-413,I0003,共8页

超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)单晶以优异的耐高压性能和低成本的潜力,引起了研究者的广泛关注。本文采用导模法生长出了3~4英寸(1英寸=2.54 cm)Fe掺β-Ga_(2)O_(3)单晶,长度最大可达270 mm,一块晶坯可以获得多块大尺寸氧化镓单晶,有效... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)单晶以优异的耐高压性能和低成本的潜力,引起了研究者的广泛关注。本文采用导模法生长出了3~4英寸(1英寸=2.54 cm)Fe掺β-Ga_(2)O_(3)单晶,长度最大可达270 mm,一块晶坯可以获得多块大尺寸氧化镓单晶,有效降低了晶体生长成本。对生长晶体的电学、光学和高分辨X射线衍射半峰全宽等性能参数进行了测试分析,数据表明晶片电学、光学和XRD半峰全宽一致性佳,晶体质量优异。对系列Fe掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶进行了性能研究,分析了Fe元素对β-Ga_(2)O_(3)单晶质量、带隙、晶格振动的影响。研究发现,不同Fe掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的结晶质量佳,Fe元素可使β-Ga_(2)O_(3)单晶的带隙变宽,同时Fe掺杂使β-Ga_(2)O_(3)单晶产生了轻微的拉伸应力。本文研究为衬底外延和器件验证提供数据支撑。 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3)单晶 电阻率 透过率 RAMAN光谱 XRD半峰全宽

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β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质 被引量：9

9

作者 张俊刚 夏长泰 +5 位作者 吴锋 裴广庆 徐军 邓群 徐悟生 史宏生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期358-360,363,共4页

用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471... 用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。 展开更多

关键词 浮区法 宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶

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导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶 被引量：7

10

作者 练小正 张胜男 +3 位作者 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期622-626,共5页

以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了... 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。（100）面β-Ga2O3单晶的X射线衍射（XRD）摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体（100）面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。 展开更多

关键词 β-Ga2O3单晶 宽带隙半导体 导模(EFG)法 晶体生长 透过率

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添质铝金红石(TiO_2)单晶体焰熔法生长实验及机理 被引量：2

11

作者 毕孝国 孙旭东 赵洪生 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期788-791,共4页

使用添加适量(原子分数为0 4%)Al2O3的金红石粉料,采用焰熔法成功地生长了尺寸为20mm×30mm的透明金红石单晶体,而采用相同工艺使用纯金红石粉料生长的晶体却是蓝黑色不透明的·添质铝在晶体生长过程中有如下作用:Al3+在晶体... 使用添加适量(原子分数为0 4%)Al2O3的金红石粉料,采用焰熔法成功地生长了尺寸为20mm×30mm的透明金红石单晶体,而采用相同工艺使用纯金红石粉料生长的晶体却是蓝黑色不透明的·添质铝在晶体生长过程中有如下作用:Al3+在晶体中取代Ti4+的位置,减少了氧的配位数,因而减少了晶体形成时对氧的需求,从而减少了由于Ti4+还原而形成的Ti3+和非本征氧空位的数量;由于Al3+半径小于Ti4+,因此增加了正离子间距,使氧离子更易于迁移;形成添质后晶体的本征(固有)缺陷对Al′Ti V¨O,提供氧离子扩散通路·因此适量Al2O3的添加从宏观上增加了氧离子在晶体中的扩散速度,避免了大量色心的形成,从而在生长过程中可直接获得透明的金红石单晶体· 展开更多

关键词 金红石(TiQ2)单晶体 晶体生长 添质铝 焰熔法 Verneuil炉 活化处理

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CdGd_2(WO_4)_4单晶的结构与磁性研究 被引量：7

12

作者 侯碧辉 孙桂芳 +2 位作者 刘国庆 孙威 王吉有 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期889-893,共5页

采用提拉法生长尺寸为12mm×50mm的钨酸钆镉单晶,名义组分为CdGd2(WO4)4,研究表明该晶体具有白钨矿结构,属于四方晶系,晶格常数为a=b=0.5203nm,c=1.1359nm。样品的磁性测量质量比磁化强度与温度σ-T曲线,以及室温下磁化曲线σ-H,... 采用提拉法生长尺寸为12mm×50mm的钨酸钆镉单晶,名义组分为CdGd2(WO4)4,研究表明该晶体具有白钨矿结构,属于四方晶系,晶格常数为a=b=0.5203nm,c=1.1359nm。样品的磁性测量质量比磁化强度与温度σ-T曲线,以及室温下磁化曲线σ-H,都表明晶体具有朗之万顺磁性,但又具有磁各向异性,室温下的/χ/=3.5018×10-3,χ┴=3.4403×10-2;电子自旋共振实验也显示出各向异性的特征。a-b平面的两个最近邻Gd3+离子间电子自旋耦合作用较强,沿晶体c轴方向Gd3+离子间电子自旋耦合作用较弱,晶体的磁各向异性体现了晶体的结构特征。 展开更多

关键词 CdGd2(WO4)4单晶 顺磁各向异性 朗之万顺磁性

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MgAl_2O_4单晶双晶格的消除

13

作者 赵启鹏 胡少勤 岑伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期204-,共1页

近年来 ,MgAl2 O4单晶作为体声波器件的最佳传声介质材料及替代蓝宝石而成为GaN外延用的优选衬底材料而倍受关注。通过多年的研究 ,我们发现生长工艺的选择是能否顺利生长出MgAl2 O4单晶的关键 ,而对原料的配制方法 ,多晶料的烧结工艺... 近年来 ,MgAl2 O4单晶作为体声波器件的最佳传声介质材料及替代蓝宝石而成为GaN外延用的优选衬底材料而倍受关注。通过多年的研究 ,我们发现生长工艺的选择是能否顺利生长出MgAl2 O4单晶的关键 ,而对原料的配制方法 ,多晶料的烧结工艺及为保证原料组分不致偏离而采取的工艺处理是能否生长出高质量MgAl2 O4单晶的关键。研究表明 ,在MgAl2 O4晶体中存在双晶格 (即晶胞结构相同而晶格参数不同 )。这在国外报道及我们实测中都得到验证。双晶格的存在对晶体质量有明显的影响。首先是在定向上可造成 1～ 2°的偏差 ;第二 ,作为X衍射时的摇摆曲线出现双峰 ;第三 ,在退火后晶片上有明显的区域分界线 ,各区域颜色有明显差异。我们通过对多晶材料制备工艺的改进 ,消除了晶体中的双晶格共存的现象 ,也就消除了上述双晶格对晶体造成的影响 ,生长出了优质大尺寸的MgAl2 O4单晶。 展开更多

关键词 MgAl_2O_4单晶 双晶格 衬底材料

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单晶α-Al_2O_3镜面加工工艺研究

14

作者 周海 周来水 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期31-34,共4页

通过对单晶α- Al2 O3 磨削、研磨、抛光工艺中的设备、工具、辅料、清洗、环境等方面的研究 ,优化了加工工艺 ,使晶片表面粗糙度降低到 0 .4nm以下 ,成品率由 94%提高到99.5 % ,加工成本降低了 30 %

关键词 单晶α-Al2O3 镜面加工 表面质量 超声波清洗 三氧化二铝 周边磨削 平面磨削

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单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究 被引量：1

15

作者 杨晓峰 谭永胜 +3 位作者 方泽波 冀婷 汪建军 陈太红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B11期318-321,共4页

利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖... 利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。 展开更多

关键词 单晶Tm2O3薄膜 高K栅介质 肖特基发射 Frenkel-Poole发射

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单晶纳米线TiO2光催化反应降解油田采出水中苯系物的研究 被引量：6

16

作者 杨忠平 王占生 +4 位作者 范巍 袁波 来松清 徐东升 余宇翔 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期63-66,共4页

以单晶纳米线TiO2为催化剂,采用光催化氧化方法,对油田采出水进行处理,并对处理过程中苯系物的降解规律进行了研究。结果表明,经处理后废水中的苯、甲苯、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯分别由1276.0、432.3、183.1、1319.4、324.3μg/L... 以单晶纳米线TiO2为催化剂,采用光催化氧化方法,对油田采出水进行处理,并对处理过程中苯系物的降解规律进行了研究。结果表明,经处理后废水中的苯、甲苯、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯分别由1276.0、432.3、183.1、1319.4、324.3μg/L降至70.6、14.6、7.7、24.5、6.3μg/L,出水满足《国家污水综合排放标准》(GB8978—1996)一级标准。 展开更多

关键词 单晶纳米线TiO2 光催化 苯 甲苯 二甲苯

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单晶α-Al2O3纤维规模化制备及应用进展 被引量：5

17

作者 马清 刘仁辰 +1 位作者 刘岩 嵇世山 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第4期316-320,共5页

单晶α-Al2O3纤维作为强韧化关键基础材料,在陶瓷、金属、高分子基等复合材料体系中具有广泛应用前景。为此,详细介绍了可有效规模化制备单晶α-Al2O3纤维的气-液-固机制以及基于该机制的制备工艺、关键装备、应用现状和应用前景。

关键词 单晶α-Al2O3 纤维 陶瓷 气相-液相-固相法

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Si/Mg/Fe掺杂β-Ga2O3单晶拉曼光谱表征及分析 被引量：1

18

作者 张胜男 练小正 +3 位作者 张颖 王健 刘卫丹 程红娟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期158-162,共5页

β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺。采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga2O3单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研... β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺。采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga2O3单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研究不同掺杂元素对拉曼光谱的影响。对β-Ga2O3单晶的声子谱进行计算,并通过拉曼光谱测试进行了验证,对掺杂元素的取代位置进行了分析。结果表明,掺杂元素会对拉曼峰强度产生显著影响,Si、Mg、Fe均倾向于取代GaⅡO6八面体中心的GaⅡ原子。根据电学性能测试结果,Si掺杂会使β-Ga2O3单晶呈n型导电,Mg或Fe掺杂会使β-Ga2O3单晶呈半绝缘态。 展开更多

关键词 β-Ga2O3单晶 拉曼光谱 电学性能 非故意掺杂 Si/Mg/Fe掺杂

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{110}_(cub)切型Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3单晶铁电相变的研究

19

作者 郭益平 罗豪甦 +2 位作者 曹虎 徐海清 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期220-224,共5页

测试了PMNT68/32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的... 测试了PMNT68/32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的正交相是本征亚稳的,它的稳定性不仅取决于所施加的极化电场大小,而且与单晶中PbTiO3含量的变化密切相关. 展开更多

关键词 {110]cub切型Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3单晶 PMNT单晶 铁电相变 铁电体 压电性能 介电性能

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Fe离子注入α-Al_2O_3单晶注入态和还原气氛退火态的微观结构

20

作者 王岩 齐民 +1 位作者 李国卿 李斗星 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期287-292,共6页

本文利用透射电子显微术,研究了注入Fe离子的-αAl2O3单晶(sapphire)在还原气氛退火过程中微观结构的变化。研究表明,在还原气氛退火过程中,先前注入的Fe离子析出为-αFe纳米颗粒。一些-αFe颗粒周围存在空洞,而一些大的-αFe颗粒呈现... 本文利用透射电子显微术,研究了注入Fe离子的-αAl2O3单晶(sapphire)在还原气氛退火过程中微观结构的变化。研究表明,在还原气氛退火过程中,先前注入的Fe离子析出为-αFe纳米颗粒。一些-αFe颗粒周围存在空洞,而一些大的-αFe颗粒呈现出多面体的轮廓。大部分-αFe析出相与-αAl2O3基体具有如下取向关系:(111)-αFe∥(0001)sapphire,[110]-αFe∥[1120]sapphire。只有很少的-αFe析出相偏离该取向关系,而最大的偏离角小于3°。近重位倒易点阵分析表明:在-αFe和-αAl2O3体系中,该取向关系是最有利的;而在该体系中发现的另一取向关系(110)α-Fe∥(0001)sapphire及<111>-αFe∥<5 14 0>sapphire是次有利取向关系。 展开更多

关键词 α-Al2O3单晶 离子注入 透射电子显微术 近重位倒易点阵

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