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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型
被引量：
1
1
作者
徐建生
周求湛
张新发
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1192-1195,共4页
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加...
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加时 ,该模型低估了噪声功率的增加 .据此 ,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF) 1/f噪声模型 ,并给出了新MF模型与统一的 1/f噪声模型在线性区的仿真结果 .从仿真结果可以看出 ,新噪声模型更接近于测试的结果 .
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关键词
线性区域
1/f噪声模型
金属氧化物半导体场效应管
迁移率波动
载流子数量波动
MOS
f
ETS
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职称材料
基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型
2
作者
张雪
杜磊
+1 位作者
何亮
陈伟华
《电子科技》
2009年第6期75-77,共3页
在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方...
在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性。结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据。
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关键词
晶体管
辐照损伤
缺陷
1/f噪声模型
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职称材料
题名
基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型
被引量：
1
1
作者
徐建生
周求湛
张新发
机构
吉林大学通信工程学院测控及通信仪器系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1192-1195,共4页
基金
吉林省科委基金 (No 1 9990 530 )
文摘
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加时 ,该模型低估了噪声功率的增加 .据此 ,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF) 1/f噪声模型 ,并给出了新MF模型与统一的 1/f噪声模型在线性区的仿真结果 .从仿真结果可以看出 ,新噪声模型更接近于测试的结果 .
关键词
线性区域
1/f噪声模型
金属氧化物半导体场效应管
迁移率波动
载流子数量波动
MOS
f
ETS
Keywords
1/
f
noise
mobility
f
luctuation
number
f
luctuation
uni
f
ied
1/
f
noise model
MOS
f
ETs
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型
2
作者
张雪
杜磊
何亮
陈伟华
机构
西安电子科技大学技术物理学院
出处
《电子科技》
2009年第6期75-77,共3页
基金
国家部委"十一五"预研项目
文摘
在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性。结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据。
关键词
晶体管
辐照损伤
缺陷
1/f噪声模型
Keywords
radiation
BJTs
de
f
ect
1/
f
noise model
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型
徐建生
周求湛
张新发
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
在线阅读
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职称材料
2
基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型
张雪
杜磊
何亮
陈伟华
《电子科技》
2009
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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