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0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器 被引量:10
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作者 金杰 冯军 +1 位作者 盛志伟 王志功 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1393-1395,共3页
利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限... 利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限幅放大器在 10Gb/s速率上 ,输入动态范围为 4 2dB(3 2mV~ 5 0 0mV) ,5 0Ω负载上的输出限幅在 2 5 0mV ,小信号输入时的最高工作速率为 12Gb/s.限幅放大器采用 1 8V电源供电 ,功耗 110mW .芯片的面积为0 7mm× 0 9mm . 展开更多
关键词 STm-64 光接收机 限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.18μm CmOS工艺
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采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计
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作者 胡伟 陈金福 +1 位作者 张振勇 杨莲兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期48-50,共3页
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.
关键词 高线性度 降频混频电路 0.18μm CmOS 射频电路 工作原理
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10Gb/s 0.18μm CMOS光接收机前端放大电路 被引量:3
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作者 金杰 冯军 王志功 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第12期44-46,共3页
介绍了利用TSMC 0.18μm CMON工艺设计的应用于SDH STM-64速率级(10Gb/s)光接收机前端放大电路。该电路由前置放大器和作为主放大器的限幅放大器构成,其中前置放大器采用RGC形式的互阻放大器实现,限幅放大器采用改进的Cherry—Hooper结... 介绍了利用TSMC 0.18μm CMON工艺设计的应用于SDH STM-64速率级(10Gb/s)光接收机前端放大电路。该电路由前置放大器和作为主放大器的限幅放大器构成,其中前置放大器采用RGC形式的互阻放大器实现,限幅放大器采用改进的Cherry—Hooper结构。模拟结果表明该电路可以工作在10Gb/s速率上。 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 限幅放大器 CmOS 工艺设计 放大电路 光纤通信系统
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青山遮不住,毕竟“西”流去——看台湾0.18μm半导体技术将首次对大陆开放
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作者 玉龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期713-713,共1页
关键词 半导体技术 0.18μm 流媒体 制造工艺
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高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件 被引量:6
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作者 王巍 陈婷 +5 位作者 李俊峰 何雍春 王冠宇 唐政维 袁军 王广 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1-7,共7页
基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与... 基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与衬底形成的PN结可有效隔离衬底,降低衬底噪声;采用P阱保护环结构以预防过早边缘击穿现象.通过理论分析确定器件的基本结构参数及工艺参数,并对器件性能进行优化设计.实验结果表明,单光子雪崩二极管的窗口直径为10μm,器件的反向击穿电压为18.4V左右.用光强为0.001 W/cm^2的光照射,650nm处达到0.495A/W的响应度峰值;在2V的过偏压下,650~950nm波段范围内光子探测效率均高于30%,随着反向偏压的适当增大,探测效率有所提升. 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 标准0.18μm CmOS工艺 深N阱 保护环 击穿特性 响应度 光子探测效率
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集成CMOS限幅放大器的研究 被引量:1
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作者 李富华 王长清 伍博 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第4期37-40,共4页
提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中芯国际集成电路公司提供的0.18μm器件模型、共面线的分布参数模型,文中分别研究了共面线的频变分布参数... 提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中芯国际集成电路公司提供的0.18μm器件模型、共面线的分布参数模型,文中分别研究了共面线的频变分布参数、负载电阻以及n沟道MOSFET的栅宽对放大器增益、带宽的影响,为高速限幅放大器的优化设计提供了理论指导和设计依据. 展开更多
关键词 高速放大器 0.18μm CmOS工艺 低通网络 CmOS集成电路
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新型CMOS温度传感器的设计 被引量:4
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作者 陈力颖 谭康 +1 位作者 王焱 吕英杰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第11期17-21,共5页
文中设计的温度传感器芯片采用UMC 0.18μm 1P6M工艺,基于PTAT电流源的两个双极性晶体管的基极与发射结之间电压的温度特性,利用输出端处理电路进一步提高精度。针对增益不足采用偏置电路,针对相位失调采用米勒补偿结构,针对人体温度范... 文中设计的温度传感器芯片采用UMC 0.18μm 1P6M工艺,基于PTAT电流源的两个双极性晶体管的基极与发射结之间电压的温度特性,利用输出端处理电路进一步提高精度。针对增益不足采用偏置电路,针对相位失调采用米勒补偿结构,针对人体温度范围所需精度要求采用输出端缓冲再放大结构。芯片工作电压为1.8 V,电源抑制比为-82 dB,直流功耗72μW,可测范围-40~125℃,体温范围以内精度更高,输出电压步长2.65 mV/℃,输出精度为0.01℃。流片之后进行了系统测试,测试结果表明,输出电压与温度具有非常高的线性度,并且在体温范围内具有极高的精度。 展开更多
关键词 温度传感器 UmC 0.18μm 1P6m工艺 偏置电压 米勒补偿 线性度 精度
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基于CMOS工艺毫米波宽带片上天线 被引量:2
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作者 张豪 王磊 刘涓 《雷达科学与技术》 北大核心 2018年第4期451-456,共6页
设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结... 设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结构便于毫米波天线探针台测试系统测试。此外,通过采用全波仿真软件HFSS,对天线衬底尺寸对天线阻抗和辐射性能的影响进行对比分析。所设计的天线工作频带(|S11|≤-10dB)为74~117.6GHz,94GHz频点处的增益为1.35dBi。该天线具有工作频带宽、辐射性能好等特性,可实现天线与IC芯片的一体化片上集成,满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高集成度、小型化的应用需要。 展开更多
关键词 毫米波 硅基片上天线 0.18μm互补金属氧化物半导体 宽带天线
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中芯国际0.18μm Mixed-Signal工艺采用Mentor Graphics的TDK与Design Flow
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期85-85,共1页
关键词 中芯国际公司 0.18μm mIXED-SIGNAL 集成电路 TDK Design FLOW
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低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计 被引量:1
10
作者 肖莹慧 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2018年第4期431-435,共5页
为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输... 为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输入和输出级设计为AB类模式以增大电压摆幅.将输入级用作伪反相器增强了输入跨导,并采用正反馈技术来增强输出跨导,从而增大直流增益.在0.5 V电源电压以及5 pF负载下对放大器进行模拟仿真.仿真结果表明,当单位增益频率为35 kHz时,OTA的直流增益为88 d B,相位裕量为62°.与现有技术相比,所提出的OTA品质因数改善了单位增益频率和转换速率,此外,其功耗仅为0.08μW,低于其他文献所提到的OTA. 展开更多
关键词 低电压低功耗 伪差分两级OTA 0.18μm CmOS技术 AB类模式 米勒补偿 正反馈技术 单位增益频率 转换速率
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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响 被引量:2
11
作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺
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深亚微米工艺低温阈值电压解析模型研究 被引量:1
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作者 刘海峰 何高魁 +3 位作者 刘洋 郝晓勇 宛玉晴 田华阳 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第1期151-157,共7页
现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机... 现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机理出发,通过分段线性化和主项近似积分法结合常温下的边界条件建立4~423 K深亚微米工艺阈值电压解析模型。常温下的边界条件获取过程中,在均匀掺杂长沟道器件阈值电压表达式基础上,分别考虑横向、纵向非均匀掺杂,以及漏致势垒下降效应带来的影响,通过求解简化的耗尽区准泊松方程,得到常温边界条件通式。实际使用过程中,可针对不同工艺通过测试得到通式里包含的4个因子。在SMIC 0.18μm工艺下用该模型与MEDICI软件仿真结果对比发现极其吻合,验证了低温建模方法的可行性。 展开更多
关键词 低温 0.18μm CmOS工艺 阈值电压 解析模型
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业界动态
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期80-82,共3页
科利登推出Sapphire—D10作为消费类芯片量产测试解决方案;中芯国际和SYNOPSYS发布设计参考流程2.0;中强光电在其30英寸LCD平板电视中采用了安捷伦的照明和色彩管理系统;英特尔和康宁达成联合开发极深紫外(EUV)掩模基板的协议;瑞... 科利登推出Sapphire—D10作为消费类芯片量产测试解决方案;中芯国际和SYNOPSYS发布设计参考流程2.0;中强光电在其30英寸LCD平板电视中采用了安捷伦的照明和色彩管理系统;英特尔和康宁达成联合开发极深紫外(EUV)掩模基板的协议;瑞萨论坛2005扬帆起航好用的MCU照耀世界科技前景;环球仪器加强亚洲业务开发力度;传中芯国际0.18μm产能利用率超越台积电。 展开更多
关键词 动态 测试解决方案 色彩管理系统 0.18μm 产能利用率 参考流程 平板电视 联合开发 开发力度 消费类 安捷伦 LCD 深紫外 英特尔 mCU 国际 基板 掩模
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