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0.15μm低压CMOS工艺技术改进
1
作者
孙希乐
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期698-700,共3页
0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程。该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用。但是这种特殊制程的工艺稳定性和...
0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程。该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用。但是这种特殊制程的工艺稳定性和兼容性相对较差,最突出的问题就是前段的漏电流较大;同时该制程对晶圆边缘区域与中央区域的线宽一致性提出了更高的要求。介绍了一种通过改进窄沟道氧化物隔离层的制造工艺方法,来降低漏电流,并通过调整晶圆的曝光方式来提高晶圆边缘区域的良率。
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关键词
0.15μm低压
漏电流
窄沟道隔离层
良率提升
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职称材料
题名
0.15μm低压CMOS工艺技术改进
1
作者
孙希乐
汪辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期698-700,共3页
文摘
0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程。该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用。但是这种特殊制程的工艺稳定性和兼容性相对较差,最突出的问题就是前段的漏电流较大;同时该制程对晶圆边缘区域与中央区域的线宽一致性提出了更高的要求。介绍了一种通过改进窄沟道氧化物隔离层的制造工艺方法,来降低漏电流,并通过调整晶圆的曝光方式来提高晶圆边缘区域的良率。
关键词
0.15μm低压
漏电流
窄沟道隔离层
良率提升
Keywords
0.15
μm
low voltage
leakage
STI
yield i
m
prove
m
ent
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
0.15μm低压CMOS工艺技术改进
孙希乐
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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