TN215 97042560光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系=Relationshipbetween resistance and detectivity of photoconductiveHgCdTe detectors[刊,中]/姚英,梁宏林(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))//红外与毫米波学报.—1996,15(3).—19...TN215 97042560光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系=Relationshipbetween resistance and detectivity of photoconductiveHgCdTe detectors[刊,中]/姚英,梁宏林(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))//红外与毫米波学报.—1996,15(3).—195—198为描述光导HgCdTe探测器低温与室温不同的导电机构,该文定义了一个易于测量的参数γ-液氮温度与室温电阻之比。实验结果表明,多数情况下,γ与黑体探测率密切相关。图1表2参1(方舟)展开更多
TN364.2 99021144砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析=As<sup>+</sup> implanted HgCdTe photodiodes and equivalentanalysis of the Ⅰ—Ⅴ characteristics[刊,中]/李向阳,陆慧庆,胡晓宁,方家熊（中科院上海...TN364.2 99021144砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析=As<sup>+</sup> implanted HgCdTe photodiodes and equivalentanalysis of the Ⅰ—Ⅴ characteristics[刊,中]/李向阳,陆慧庆,胡晓宁,方家熊（中科院上海技术物理所.上海（200083））//激光与红外.—1998,28（3）.—176-179通过对碲镉汞材料进行As<sup>+</sup>注入以及退火,成功地制备了P—on—N型光伏器件。器件的截止波长为5.5μm,黑体探测率D<sup>*</sup>（500K,1K,100）可达2.1×10<sup>10</sup>cmH<sub>2</sub><sup>1/2</sup>W<sup>-1</sup>。图6参10（李瑞琴）TN364.2 99021145结型光电二极管等效电参数的物理分析与测量=Physical analysis and measurement for the e-展开更多
文摘TN215 97042560光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系=Relationshipbetween resistance and detectivity of photoconductiveHgCdTe detectors[刊,中]/姚英,梁宏林(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))//红外与毫米波学报.—1996,15(3).—195—198为描述光导HgCdTe探测器低温与室温不同的导电机构,该文定义了一个易于测量的参数γ-液氮温度与室温电阻之比。实验结果表明,多数情况下,γ与黑体探测率密切相关。图1表2参1(方舟)
文摘TN364.2 99021144砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析=As<sup>+</sup> implanted HgCdTe photodiodes and equivalentanalysis of the Ⅰ—Ⅴ characteristics[刊,中]/李向阳,陆慧庆,胡晓宁,方家熊（中科院上海技术物理所.上海（200083））//激光与红外.—1998,28（3）.—176-179通过对碲镉汞材料进行As<sup>+</sup>注入以及退火,成功地制备了P—on—N型光伏器件。器件的截止波长为5.5μm,黑体探测率D<sup>*</sup>（500K,1K,100）可达2.1×10<sup>10</sup>cmH<sub>2</sub><sup>1/2</sup>W<sup>-1</sup>。图6参10（李瑞琴）TN364.2 99021145结型光电二极管等效电参数的物理分析与测量=Physical analysis and measurement for the e-
