将原料封装入真空石英管,在873 K进行固相反应制备了Li掺杂的Cu_(1-x)Li_xInSe_2(x=0–0.4)块体材料,并对该材料的结构、电学和光学特性进行了系统性的研究。Li掺杂之后,样品的晶体结构还保持黄铜矿结构,并能得到更大的晶粒。而电阻率从...将原料封装入真空石英管,在873 K进行固相反应制备了Li掺杂的Cu_(1-x)Li_xInSe_2(x=0–0.4)块体材料,并对该材料的结构、电学和光学特性进行了系统性的研究。Li掺杂之后,样品的晶体结构还保持黄铜矿结构,并能得到更大的晶粒。而电阻率从1.98×10~2??cm增大到2.73×10~8??cm。光学能隙也从0.90 e V提高到1.33 e V,增大了光伏开路电压。实验结果表明,Li掺杂的Cu_(1-x)Li_xInSe_2能有效提高光电材料的性能。展开更多
基金National Natural Science Foundation of China(61376056,51402341)Science and Technology Commission of Shanghai(13JC1405700,14520722000)Key Research Program of Chinese Academy of Sciences(KGZD-EW-T06)
文摘将原料封装入真空石英管,在873 K进行固相反应制备了Li掺杂的Cu_(1-x)Li_xInSe_2(x=0–0.4)块体材料,并对该材料的结构、电学和光学特性进行了系统性的研究。Li掺杂之后,样品的晶体结构还保持黄铜矿结构,并能得到更大的晶粒。而电阻率从1.98×10~2??cm增大到2.73×10~8??cm。光学能隙也从0.90 e V提高到1.33 e V,增大了光伏开路电压。实验结果表明,Li掺杂的Cu_(1-x)Li_xInSe_2能有效提高光电材料的性能。
