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单根镓掺杂氧化锌微米线异质结基高亮黄光发光二极管
被引量：
1
1
作者
徐海英
刘茂生
+4 位作者
姜明明
缪长宗
王长顺
阚彩侠
施大宁
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期1165-1174,共10页
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器...
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器件在发光材料制备、器件结构以及发光器件的“Green/yellow gap”和“Efficiency droop”等方面受到严重限制,极大地影响了低维微纳结构黄绿光发光器件的开发和应用。本文采用单根镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)微米线和p型InGaN衬底构筑了异质结基黄光发光二极管,其输出波长位于580 nm附近,半峰宽大约为50 nm。随注入电流的增加,光谱的峰位和半峰宽几乎没有任何变化,也没有观察到InGaN基光源中常见的量子斯塔克效应。器件相应的色坐标始终处于黄光色域范围。更为重要的是,器件的外量子效率在大电流注入下并没有出现较大的下降。结合单根ZnO∶Ga微米线和InGaN的光致发光光谱,以及n-ZnO∶Ga/p-InGaN异质结能带结构理论,可以推断该制备器件的发光来自于ZnO∶Ga微米线和InGaN结区界面处载流子的辐射复合,器件的Droop效应得到明显抑制。实验结果表明,n-ZnO∶Ga微米线/p-InGaN异质结可用于制备高性能、高亮度的低维黄光发光二极管。
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关键词
黄光发光二极管
镓掺杂氧化锌微米线
铟镓氮
外量子效率
Droop效应
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职称材料
复合成核层对InGaN基黄光LED内量子效率的影响
2
作者
宫丽艳
唐斌
+2 位作者
胡红坡
赵晓宇
周圣军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期1914-1920,共7页
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率。系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能,揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制。分别采用透射...
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率。系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能,揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制。分别采用透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、变温光致发光谱和电致发光谱对黄光LED进行表征分析。结果发现,复合成核层能够诱导产生堆垛层错,可以有效降低外延层中的位错密度和残余应力。在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED外延层中的位错密度分别为5.04×10^(8) cm^(-2)和3.98×10^(8) cm^(-2),压应力分别为482.71 MPa和266.38 MPa。通过变温光致发光谱计算得到在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED的内量子效率(室温295 K)分别为12.5%和29.8%。
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关键词
黄光发光二极管
成核层
内量子效率
堆垛层错
压电极化
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职称材料
题名
单根镓掺杂氧化锌微米线异质结基高亮黄光发光二极管
被引量：
1
1
作者
徐海英
刘茂生
姜明明
缪长宗
王长顺
阚彩侠
施大宁
机构
南京工程学院数理学院
南京航空航天大学物理学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期1165-1174,共10页
基金
国家自然科学基金(11974182,11874220)
中央高校基本科研业务费专项资金(NC2022008)
南京工程学院校级科研基金(CKJB201708,CKJA201807)资助项目。
文摘
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器件在发光材料制备、器件结构以及发光器件的“Green/yellow gap”和“Efficiency droop”等方面受到严重限制,极大地影响了低维微纳结构黄绿光发光器件的开发和应用。本文采用单根镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)微米线和p型InGaN衬底构筑了异质结基黄光发光二极管,其输出波长位于580 nm附近,半峰宽大约为50 nm。随注入电流的增加,光谱的峰位和半峰宽几乎没有任何变化,也没有观察到InGaN基光源中常见的量子斯塔克效应。器件相应的色坐标始终处于黄光色域范围。更为重要的是,器件的外量子效率在大电流注入下并没有出现较大的下降。结合单根ZnO∶Ga微米线和InGaN的光致发光光谱,以及n-ZnO∶Ga/p-InGaN异质结能带结构理论,可以推断该制备器件的发光来自于ZnO∶Ga微米线和InGaN结区界面处载流子的辐射复合,器件的Droop效应得到明显抑制。实验结果表明,n-ZnO∶Ga微米线/p-InGaN异质结可用于制备高性能、高亮度的低维黄光发光二极管。
关键词
黄光发光二极管
镓掺杂氧化锌微米线
铟镓氮
外量子效率
Droop效应
Keywords
yellow light-emitting diode
Ga-doped ZnO microwire
InGaN
external quantum efficiency
Droop effect
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
复合成核层对InGaN基黄光LED内量子效率的影响
2
作者
宫丽艳
唐斌
胡红坡
赵晓宇
周圣军
机构
武汉大学动力与机械学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期1914-1920,共7页
基金
国家自然科学基金(52075394,51775387,51675386)
国家“万人计划”青年拔尖人才支持计划资助项目。
文摘
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率。系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能,揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制。分别采用透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、变温光致发光谱和电致发光谱对黄光LED进行表征分析。结果发现,复合成核层能够诱导产生堆垛层错,可以有效降低外延层中的位错密度和残余应力。在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED外延层中的位错密度分别为5.04×10^(8) cm^(-2)和3.98×10^(8) cm^(-2),压应力分别为482.71 MPa和266.38 MPa。通过变温光致发光谱计算得到在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED的内量子效率(室温295 K)分别为12.5%和29.8%。
关键词
黄光发光二极管
成核层
内量子效率
堆垛层错
压电极化
Keywords
yellow light-emitting diodes
nucleation layers
internal quantum efficiency
stacking faults
piezoelectric polarization
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单根镓掺杂氧化锌微米线异质结基高亮黄光发光二极管
徐海英
刘茂生
姜明明
缪长宗
王长顺
阚彩侠
施大宁
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
复合成核层对InGaN基黄光LED内量子效率的影响
宫丽艳
唐斌
胡红坡
赵晓宇
周圣军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
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职称材料
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