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激光烧蚀制备纳米Si晶粒的时间飞行动力学分析
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作者 郝忠秀 郭建新 +2 位作者 赵树民 王文丽 王英龙 《河北农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期102-104,共3页
针对采用激光诱导荧光(LIF)技术,对真空或不同气压的He、Ar环境下激光烧蚀产生的Si粒子的时间飞行(TOF)进行了测量,并对试验结果进行了数据分析。结果表明,在真空环境下烧蚀形成的Si粒子的速度近似服从麦克斯韦分布律;在气体环境下,其... 针对采用激光诱导荧光(LIF)技术,对真空或不同气压的He、Ar环境下激光烧蚀产生的Si粒子的时间飞行(TOF)进行了测量,并对试验结果进行了数据分析。结果表明,在真空环境下烧蚀形成的Si粒子的速度近似服从麦克斯韦分布律;在气体环境下,其速度偏离麦克斯韦分布律,并且环境气压越大,偏离越明显;Ar环境比相同气压的He下偏离更明显。烧蚀产生的Si粒子在不同种类、不同压强的环境气氛中所受阻力有所不同,其大小与Si粒子速度有关,从而不同速度的Si粒子受到不同大小的阻力,导致速度偏离麦克斯韦分布律。 展开更多
关键词 激光烧蚀 羽辉 麦克斯韦速度分布 时间飞行测量
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