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题名7nm半导体的制程技术分析
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作者
张竞扬
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机构
摩尔精英网络科技公司
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出处
《集成电路应用》
2017年第2期47-50,共4页
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文摘
7 nm制程节点将是半导体厂推进摩尔定律(Moore’s Law)的下一重要关卡。半导体进入7 nm节点后,前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战,半导体厂已加紧研发新的元件设计构架,以及金属导线等材料,兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。
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关键词
半导体
摩尔定律
7
NM
鳍式场效晶体管
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Keywords
semiconductor, Moore＇s law, 7 nm, fin field effect transistor
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名FinFET之后的集成电路制造工艺研究
被引量：2
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作者
Mark LaPedus
电姬（译）
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机构
中国台湾电子工程专辑EE Times
不详
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出处
《集成电路应用》
2017年第9期58-63,共6页
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文摘
芯片制造商已经在基于10 nm和/或7 nm Fin FET准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚FinFET还能坚持多长时间、用于高端设备的10 nm和7 nm节点还能延展多久以及接下来会如何。在5 nm、3 nm以及更小节点,半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即使在今天,随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升,传统的芯片尺寸缩减也在放缓。因此,能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少。FinFET之后,集成电路将会怎么发展。
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关键词
芯片制造研究
鳍式场效电晶体管
FINFET
纳米片
纳米线
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Keywords
chipmakers exploring, FinFETs nanosheet, nanoslab
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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