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14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应: 1; 作者李海松王斌 +3 位作者杨博蒋轶虎高利军杨靓《半导体技术》北大核心 2025年第6期619-624,647,共7页; 随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该... 展开更多; 关键词 14 nm 鳍式场效应晶体管(finfet)工艺组合逻辑时序逻辑总剂量(TID)效应标准单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响被引量：2: 2; 作者金林王菲菲《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期481-487,508,共8页; 基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的... 展开更多; 关键词鳍式场效应晶体管(finfet) 鳍宽敏感面积辐射效应单粒子翻转; 在线阅读下载PDF 职称材料

14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模: 3; 作者陈寿面石艳玲《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页; 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触... 展开更多; 关键词鳍型场效应晶体管(finfet) 非本征寄生源漏寄生电阻建模 TCAD仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

14 nm FinFET器件单粒子瞬态特性研究被引量：2: 4; 作者王斌史柱 +3 位作者岳红菊李海松卢红利杨博《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2209-2215,共7页; 为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性。研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒... 展开更多; 关键词单粒子瞬态鳍式场效应晶体管重离子线性能量传输工艺计算机辅助设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型: 5; 作者张峰源刘凡宇 +5 位作者李博李彬鸿张旭罗家俊韩郑生张青竹《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期438-443,共6页; 建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等... 展开更多; 关键词绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(finfet) 电流模型背栅偏置耦合效应耦合系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化被引量：1: 6; 作者李国荣张洁 +5 位作者赵馗耿振华曹思盛刘志强刘身健张兴《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期691-695,共5页; 由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布... 展开更多; 关键词等离子体刻蚀鳍型场效应晶体管(finfet) 偏置射频频率离子能量分布(IED) 刻蚀选择比离子损伤; 在线阅读下载PDF 职称材料

14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法: 7; 作者史柱王斌 +3 位作者杨博赵雁鹏惠思源刘文平《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3335-3342,共8页; 为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓... 展开更多; 关键词鳍式场效应晶体管单粒子瞬态器件辐射加固工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型高性能FinFET的设计与特性分析: 8; 作者吴頔汤乃云《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期53-58,共6页; 针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极... 展开更多; 关键词短沟道效应鳍式场效应晶体管(finfet) 直肠形器件亚阈值特性 TCAD仿真软件; 在线阅读下载PDF 职称材料

超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展被引量：4: 9; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页; 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 展开更多; 关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍式场效应管(finfet); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应: 1; 作者李海松王斌杨博蒋轶虎高利军杨靓; 机构西安微电子技术研究所; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第6期619-624,647,共7页; 基金中国航天科技集团有限公司第九研究院青年拔尖人才资助项目(YY2023-035)。; 文摘随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该验证电路的静态电流以及环振电路的环振频率和触发器电路的时序特性随辐照总剂量变化的情况,表征了FinFET工艺的本征抗辐射能力。实验结果表明,当辐照总剂量达到1000 krad(Si)时,验证电路静态电流增大了121%,且整个过程基本呈线性趋势增长,增长斜率约为3.14μA/krad(Si);组合逻辑单元时序参数变化绝对值小于0.6%,时序逻辑单元CK到输出端的延迟时间变化绝对值小于1%。这主要归因于TID效应对FinFET的阈值电压和饱和电流影响较小,而对器件的亚阈值漏电流影响较大。该研究结果为先进工艺超大规模集成电路在空间辐射环境中的应用提供了一定的理论指导。; 关键词 14 nm 鳍式场效应晶体管(finfet)工艺组合逻辑时序逻辑总剂量(TID)效应标准单元; Keywords 14 nm fin field-effect transistor(finfet)process combinational logic sequential logic total ionizing dose(TID)effect standard cell; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响被引量：2: 2; 作者金林王菲菲; 机构中国电子科技集团公司第三十八研究所合肥师范学院电子信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期481-487,508,共8页; 基金合肥师范学院校级青年科研基金资助项目(2015QN04); 文摘基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的抗总剂量能力随着鳍宽的变化呈现相反的趋势。SOI FinFET的阈值电压漂移和亚阈值摆幅的退化随着鳍宽减小而减小,而体硅FinFET工艺的漏电流随着鳍宽减小而增大。FinFET工艺由于其自身结构的特点,与相同工艺节点下的平面工艺相比,敏感面积更小,抗单粒子翻转能力更好。从整体趋势来看,随着工艺节点的减小,FinFET工艺的本征抗总剂量能力较为可观,而本征抗单粒子翻转能力较差。; 关键词鳍式场效应晶体管(finfet) 鳍宽敏感面积辐射效应单粒子翻转; Keywords fin field effect transistor（finfet） fin width sensitive area radiation effect single event upset; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模: 3; 作者陈寿面石艳玲; 机构上海集成电路研发中心有限公司华东师范大学信息科学技术学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574056); 文摘随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻（R_（con））、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻（R_（sp））以及源漏与沟道之间的寄生电阻（R_（ext））。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_（con）,R_（sp）和R_（ext）进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。; 关键词鳍型场效应晶体管(finfet) 非本征寄生源漏寄生电阻建模 TCAD仿真; Keywords fin field effect transistor （finfet） extrinsic parasitic source/drain parasitic resistance modeling TCAD simulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名14 nm FinFET器件单粒子瞬态特性研究被引量：2: 4; 作者王斌史柱岳红菊李海松卢红利杨博; 机构西安微电子技术研究所; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2209-2215,共7页; 基金 Supported by Key Research and Development Program of State-owned Assets Supervision and Administration Commission(2020002-047)。; 文摘为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性。研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒子敏感性。SET脉冲宽度随LET值的增大而展宽。此外,SET特性与粒子轰击位置的关系呈现出复杂性。对于低LET值(LET≤1 MeV·cm^(2)/mg),SET特性与重离子的入射位置具有很强的依赖性;对于高LET值(LET>10 MeV·cm^(2)/mg),由于加强了衬底的电荷收集,SET特性与粒子轰击位置的依赖性减弱。; 关键词单粒子瞬态鳍式场效应晶体管重离子线性能量传输工艺计算机辅助设计; Keywords single event transient finfet heavy ion LET TCAD; 分类号 O473 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型: 5; 作者张峰源刘凡宇李博李彬鸿张旭罗家俊韩郑生张青竹; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院大学电子电气与通信工程学院中国科学院硅器件技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期438-443,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874135,11905287)。; 文摘建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。; 关键词绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(finfet) 电流模型背栅偏置耦合效应耦合系数; Keywords fin-on-insulator(FOI) fin field effect transistor(finfet) current model back-gate bias coupling effect coupling coefficient; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化被引量：1: 6; 作者李国荣张洁赵馗耿振华曹思盛刘志强刘身健张兴; 机构北京大学软件与微电子学院中微半导体设备(上海)股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期691-695,共5页; 文摘由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。; 关键词等离子体刻蚀鳍型场效应晶体管(finfet) 偏置射频频率离子能量分布(IED) 刻蚀选择比离子损伤; Keywords plasma etching finfet bias RF frequency ion energy distribution(IED) etching selectivity ratio ion damage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TP273 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法: 7; 作者史柱王斌杨博赵雁鹏惠思源刘文平; 机构西安微电子技术研究所抗辐射集成电路国防科技重点实验室; 出处《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3335-3342,共8页; 基金国家科技重大专项(2020002-047)。; 文摘为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。; 关键词鳍式场效应晶体管单粒子瞬态器件辐射加固工艺; Keywords fin field-effect transistor single-event transient device radiation hardening process; 分类号 V216.51 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型高性能FinFET的设计与特性分析: 8; 作者吴頔汤乃云; 机构上海电力大学电子与信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期53-58,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(52001194)。; 文摘针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极长度控制在10 nm时,新型器件相比于另外两种传统的FinFET具有更小的鳍片尺寸,且鳍片高度不低于抑制短沟道效应的临界值。仿真结果显示,这种新型的FinFET具有更好的开关特性和亚阈值特性。同时,该器件在射频方面的特性参数也显示出该器件具有较高性能,并有一定的实际应用价值。; 关键词短沟道效应鳍式场效应晶体管(finfet) 直肠形器件亚阈值特性 TCAD仿真软件; Keywords short channel effect fin field effect transistor(finfet) rectzoidal device sub-threshold characteristic TCAD simulation software; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展被引量：4: 9; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页; 文摘半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。; 关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍式场效应管(finfet); Keywords Ga2O3 single crystal Ga2O3 epitaxy β-Ga2O3 schottky diode β-Ga2O3 MOSFET β-Ga2O3 finfet; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应	李海松王斌杨博蒋轶虎高利军杨靓	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响	金林王菲菲	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模	陈寿面石艳玲	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	14 nm FinFET器件单粒子瞬态特性研究	王斌史柱岳红菊李海松卢红利杨博	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型	张峰源刘凡宇李博李彬鸿张旭罗家俊韩郑生张青竹	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化	李国荣张洁赵馗耿振华曹思盛刘志强刘身健张兴	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法	史柱王斌杨博赵雁鹏惠思源刘文平	《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	一种新型高性能FinFET的设计与特性分析	吴頔汤乃云	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料