肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的...肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。展开更多
文摘随着微电子技术的不断发展,MOSFET 的特征尺寸已缩小至100nm 以下,SiO_2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高 K 的介质材料来取代 SiO_2。当今普遍认为 Hf 基栅介质材料是最有希望取代 SiO_2而成为下一代 MOSFET 的栅介质材料。综述了高 K 栅介质材料的意义、Hf 基高 K 栅介质材料的最新研究进展和 Hf 基高 K 栅介质材料在克服自身缺陷时使用的一些技术;介绍了一款由 Hf 基高 K 介质材料作为栅绝缘层制作的 MOSFET。
