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高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计: 1; 作者王敏聪刘成《现代电子技术》北大核心 2024年第16期33-38,共6页; 为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级... 展开更多; 关键词基准电压缓冲芯片 CMOS电压缓冲运算放大器 ESD防护电路芯片版图高增益高驱动能力; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高增益高驱动能力的运算放大器被引量：1: 2; 作者周泽坤汪尧邵红《中国集成电路》 2018年第1期45-49,共5页; 运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在... 展开更多; 关键词高增益高驱动能力运算放大器密勒补偿; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有高驱动能力的CMOS级联式电压倍增器设计与实现被引量：2: 3; 作者王浩《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第2期329-334,共6页; 为了提高大负载条件下的驱动能力,提出了一种新的级联式电压倍增器VM(Voltage Multiplier),适用于RF能量采集应用。在传统差分驱动整流器的基础上,首先将输入RF信号进行电平位移。然后,该信号用于驱动由栅极交叉耦合晶体管构成的下一级... 展开更多; 关键词能量采集电压倍增器整流器功率转换效率高驱动能力; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种集成、高速、高驱动能力PIN开关驱动电路: 4; 作者孙丹《信息技术与信息化》 2021年第5期185-187,共3页; 针对目前微波射频电路中广泛使用的PIN开关要求的高速、高驱动能力的需求,提出了一种以MOSFET驱动器LTC4444为核心器件的驱动电路思路。介绍了将其用于PIN开关驱动电路时加速电路设计方法,该方法基于LTspice仿真技术。然后,通过该仿真... 展开更多; 关键词 PIN开关驱动电路高速高驱动能力加速电路开关时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计: 1; 作者王敏聪刘成; 机构上海大学微电子学院; 出处《现代电子技术》北大核心 2024年第16期33-38,共6页; 基金国家重点研发计划项目(2021YFB3200600) 国家重点研发计划项目(2021YFB3200602)。; 文摘为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。芯片面积为2390μm×1660μm。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了前仿真、版图绘制及Calibre后仿真。前仿结果显示:当负载电容为10μF时,电路实现了126 dB的高开环增益和97°的相位裕度,同时PSRR超过131 dB,噪声为448 nV/Hz@100 Hz及1 nV/Hz@100 Hz。后仿结果与前仿结果基本一致。总体结果表明,该电路具有高增益、高电源抑制比及低噪声等特点,同时拥有很高的输出驱动能力。因此,所提出的基准电压缓冲芯片可以用于驱动如像素阵列等具有大电容负载的电路。; 关键词基准电压缓冲芯片 CMOS电压缓冲运算放大器 ESD防护电路芯片版图高增益高驱动能力; Keywords reference voltage buffer chip CMOS voltage buffer operational amplifier ESD protection circuit chip layout high gain high driving ability; 分类号 TN402-34 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高增益高驱动能力的运算放大器被引量：1: 2; 作者周泽坤汪尧邵红; 机构电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学无锡上华华润科技有限公司; 出处《中国集成电路》 2018年第1期45-49,共5页; 基金国家自然科学基金No.61674025、No.61306035 中央高校基础研究基金No.ZYGX2016J 056 “气象信息与信号处理”省高校重点实验室基金No.QXXCSYS201504、No.QXXCSYS201603; 文摘运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在保留高增益的同时,实现高驱动的性能。此外,基于本文提出的跨导增强型推挽输出级结构,可进一步分裂密勒补偿结构产生的极点,从而在使用较小密勒电容的情况下提升运算放大器稳定性。基于0.35μm BCD工艺对提出的运算放大器进行验证,结果表明在静态电流为84uA时,该放大器在3V^5V的供电电压下,低频增益为95dB,-3dB带宽在100Hz,单位增益带宽在14.4MHz附近,输出抽灌电流可分别达到15.6mA和2.4mA。; 关键词高增益高驱动能力运算放大器密勒补偿; Keywords high gain high drive capability operational amplifier Miller compensation; 分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有高驱动能力的CMOS级联式电压倍增器设计与实现被引量：2: 3; 作者王浩; 机构平顶山技师学院教育教学研究室; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第2期329-334,共6页; 基金河南省教育厅高等学校重点科研项目(17A413009); 文摘为了提高大负载条件下的驱动能力,提出了一种新的级联式电压倍增器VM(Voltage Multiplier),适用于RF能量采集应用。在传统差分驱动整流器的基础上,首先将输入RF信号进行电平位移。然后,该信号用于驱动由栅极交叉耦合晶体管构成的下一级,增加了提出架构的负载驱动能力。采用标准的0.18μm CMOS技术对提出架构进行了实现。负载电容为固定值20 pF时,分别在不同ISM频率和负载电阻条件下,对传统级联式VM和提出的VM电路进行了测量。测量结果显示,与传统电路的测量结果相比,在5 kΩ、20 pF的目标负载条件下,当频率值为13.56 MHz、433 MHz和915 MHz时,最大功率转换效率提升了5%(最小)。; 关键词能量采集电压倍增器整流器功率转换效率高驱动能力; Keywords energy acquisition voltage multiplier rectifier power conversion efficiency high drive capability; 分类号 TM933.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种集成、高速、高驱动能力PIN开关驱动电路: 4; 作者孙丹; 机构中国电子科技集团公司第十研究所; 出处《信息技术与信息化》 2021年第5期185-187,共3页; 文摘针对目前微波射频电路中广泛使用的PIN开关要求的高速、高驱动能力的需求,提出了一种以MOSFET驱动器LTC4444为核心器件的驱动电路思路。介绍了将其用于PIN开关驱动电路时加速电路设计方法,该方法基于LTspice仿真技术。然后,通过该仿真技术设计了一款PIN开关驱动,该驱动电路工作电压范围为±5 V,TTL电平控制,典型传输延时为25 ns,输出信号上升、下降时间优于8 ns,可提供2.5 A峰值上拉电流,以及3 A峰值下拉电流,验证了该驱动电路的高速和高驱动能力。; 关键词 PIN开关驱动电路高速高驱动能力加速电路开关时间; 分类号 TM564 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计	王敏聪刘成	《现代电子技术》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种高增益高驱动能力的运算放大器	周泽坤汪尧邵红	《中国集成电路》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	具有高驱动能力的CMOS级联式电压倍增器设计与实现	王浩	《电子器件》 CAS 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种集成、高速、高驱动能力PIN开关驱动电路	孙丹	《信息技术与信息化》	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料