-
题名高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法
被引量：6
- 1
-
-
作者
杨洁
殷中伟
张希军
王振兴
武占成
-
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
河北民族师范学院物理系
-
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期164-169,共6页
-
基金
国家自然科学基金(6087106660971042)~~
-
文摘
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对高频小功率硅双极晶体管静电放电潜在性失效的无损检测方法进行了较为细致的分析研究。通过详细比较后可以确定,高温反偏法和低频噪声法均不能用来检测高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效,也就更不能用来检测判别此类器件的静电放电潜在性失效。最后,通过对多个电参数的测量与对比发现,高频小功率硅双极晶体管集电极-基极反偏结漏电流的大范围变化可以表征此类器件静电放电潜在性失效的存在。
-
关键词
静电放电(ESD)
潜在性失效
硅双极晶体管
检测方法
高频小功率
低频噪声
漏电流
-
Keywords
electrostatic discharge（ESD）
latent damage
Silicon BJT
test method
high-frequency low-power
low frequency noise
leakage current
-
分类号
O441.1
[理学—电磁学]
-
-
题名静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用
- 2
-
-
作者
杨洁
刘升
武占成
张希军
-
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
河北广播电视大学教学指导中心
-
出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2010年第5期590-593,共4页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60871066
60971042)
-
文摘
为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用.
-
关键词
硅双极晶体管
静电放电
潜在性失效
加固
高频小功率
-
Keywords
silicon bipolar transistor
ESD
latent damage
enhance effect
high-frequency low-power
-
分类号
O441
[理学—电磁学]
-
