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高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法
被引量：
1
1
作者
潘文宾
黄宇程
+1 位作者
王银海
杨帆
《电子与封装》
2019年第12期46-50,共5页
高压IGBT/FRD管(1200 V以上)用外延片外延厚度通常在100μm以上,远超常规外延材料,使用傅里叶红外光谱法(FTIR)测量时,往往光谱center burst出现变异,对测量结果计算造成误差。实验分析不同因素对光谱的影响,同时确认重掺衬底条件下光...
高压IGBT/FRD管(1200 V以上)用外延片外延厚度通常在100μm以上,远超常规外延材料,使用傅里叶红外光谱法(FTIR)测量时,往往光谱center burst出现变异,对测量结果计算造成误差。实验分析不同因素对光谱的影响,同时确认重掺衬底条件下光谱正向峰型稳定规律,重新定义取值峰,采用正向峰值计算方法避免产生测试误差,提高测试稳定性。
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关键词
高速恢复二极管
硅外延
厚层
FTIR
光谱变异
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职称材料
题名
高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法
被引量：
1
1
作者
潘文宾
黄宇程
王银海
杨帆
机构
南京国盛电子有限公司
出处
《电子与封装》
2019年第12期46-50,共5页
文摘
高压IGBT/FRD管(1200 V以上)用外延片外延厚度通常在100μm以上,远超常规外延材料,使用傅里叶红外光谱法(FTIR)测量时,往往光谱center burst出现变异,对测量结果计算造成误差。实验分析不同因素对光谱的影响,同时确认重掺衬底条件下光谱正向峰型稳定规律,重新定义取值峰,采用正向峰值计算方法避免产生测试误差,提高测试稳定性。
关键词
高速恢复二极管
硅外延
厚层
FTIR
光谱变异
Keywords
fast recovery diode
silicon epitaxy
thick layer
FTIR
spectral variation
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法
潘文宾
黄宇程
王银海
杨帆
《电子与封装》
2019
1
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