检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：3: 1; 作者李林王勇 +2 位作者刘国军李梅王晓华《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-142,共4页; 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生... 展开更多; 关键词 GaSb薄膜反射式高能电子衍射仪分子束外延低温缓冲层表面结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用被引量：2: 2; 作者王兆阳胡礼中《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页; 反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关... 展开更多; 关键词反射式高能电子衍射仪晶面间距氧化铝; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子束外延技术及其进展被引量：1: 3; 作者周均铭《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第5期281-293,共13页; 由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法已不能满足要求。许多新发展起来的多层异质器件,在某些场合希望组分和掺杂有较陡的分布。; 关键词分子束外延技术液相外延真空淀积共淀积光电子器件薄膜制备单原子汽相外延高能电子衍射仪生长速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究: 4; 作者王兆阳胡礼中 +2 位作者赵杰孙捷王志俊《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1766-1768,共3页; 用PLD方法在S i(1 1 1)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650°C时... 展开更多; 关键词 ZNO薄膜反射高能电子衍射仪 XRD曲线荧光光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计: 5; 作者崔英善张正平《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页; 为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用... 展开更多; 关键词虚拟仪器虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(RHEED)图谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1: 6; 作者曲海成李艳辉 +4 位作者苏栓杨春章谭英高丽华王善力《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期688-692,共5页; 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结... 展开更多; 关键词分子束外延 HGCDTE 反射式高能电子衍射仪脱氧温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子束外延设备被引量：2: 7; 作者分子束外延设备研制组《仪器仪表学报》 EI CAS 1981年第4期96-98,共3页; 分子束外延（简称MBE）技术是近十年来基于真空蒸发技术发展起来的一门晶体生长新技术,它是在超高真空(10-10托)条件下,控制不同束流成分和密度的分子束,打在一定温度的单晶衬底上,按化学配比进行结晶外延生长的。MBE技术具有以下特点;... 展开更多; 关键词分子束外延高能电子衍射仪化学配比晶体生长真空蒸发生长速率四极质谱仪多层薄膜样品架生长晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：3: 1; 作者李林王勇刘国军李梅王晓华; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-142,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.60306004) 高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(No.ZS3603); 文摘采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。; 关键词 GaSb薄膜反射式高能电子衍射仪分子束外延低温缓冲层表面结构; Keywords GaSb film RHEED molecular beam epitaxy （MBE） LT buffer layer surface structure; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用被引量：2: 2; 作者王兆阳胡礼中; 机构沈阳航空工业学院理学院大连理工大学物理与光电工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页; 基金辽宁省教育厅科研基金(20060661) 沈阳航空工业学院博士启动基金资助课题(06yb28); 文摘反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关系,并尝试利用RHEED来分析和计算Al2O3(0001)面上两个重要方向上的晶面间距,得到了理想的结果。由于RHEED是一种原位监测仪器,所以可对薄膜的生长进行实时原位监测。在测晶面间距等常数时,与对样品要求极高的透射电子显微镜相比,RHEED更方便。; 关键词反射式高能电子衍射仪晶面间距氧化铝; Keywords reflection high-energy electron diffraction interplanar distance Al2O3; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子束外延技术及其进展被引量：1: 3; 作者周均铭; 机构中国科学院物理研究所; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第5期281-293,共13页; 文摘由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法已不能满足要求。许多新发展起来的多层异质器件,在某些场合希望组分和掺杂有较陡的分布。; 关键词分子束外延技术液相外延真空淀积共淀积光电子器件薄膜制备单原子汽相外延高能电子衍射仪生长速率; 分类号 TB7-55 [一般工业技术—真空技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究: 4; 作者王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊; 机构大连理工大学三束材料改性国家重点实验室中国科学院半导体研究所; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1766-1768,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60377005) 辽宁省科学技术基金资助项目(20022133); 文摘用PLD方法在S i(1 1 1)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650°C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.; 关键词 ZNO薄膜反射高能电子衍射仪 XRD曲线荧光光谱; Keywords ZnO films RHEED XRD patterns photoluminescence spectra; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计: 5; 作者崔英善张正平; 机构贵州大学电子科学与信息技术学院; 出处《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页; 基金国家自然科学基金贵州省科技厅自然科学基金(No.Z073085)~~; 文摘为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用图形化编程语言,采用数据流编程方式,设计实现了理论情况下的GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使得虚拟RHEED实验系统的研究开发有了突破性进展。; 关键词虚拟仪器虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(RHEED)图谱; Keywords virtual instrument Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench （LabVIEW） Gallium Arsenide （GaAs） Reflection High Energy Electron Diffraction（RHEED） patterns; 分类号 TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术] TH838.9 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1: 6; 作者曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期688-692,共5页; 文摘在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。; 关键词分子束外延 HGCDTE 反射式高能电子衍射仪脱氧温度; Keywords MBE MCT RHEED deoxydation temperature; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子束外延设备被引量：2: 7; 作者分子束外延设备研制组; 出处《仪器仪表学报》 EI CAS 1981年第4期96-98,共3页; 文摘分子束外延（简称MBE）技术是近十年来基于真空蒸发技术发展起来的一门晶体生长新技术,它是在超高真空(10-10托)条件下,控制不同束流成分和密度的分子束,打在一定温度的单晶衬底上,按化学配比进行结晶外延生长的。MBE技术具有以下特点;生长速率慢,可控制在每秒零点几埃至每秒十几埃,因此可以生长几埃到几十埃厚度的超薄单晶膜。; 关键词分子束外延高能电子衍射仪化学配比晶体生长真空蒸发生长速率四极质谱仪多层薄膜样品架生长晶体; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaSb薄膜生长的RHEED研究	李林王勇刘国军李梅王晓华	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用	王兆阳胡礼中	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	分子束外延技术及其进展	周均铭	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD	1991	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究	王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计	崔英善张正平	《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺	曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力	《红外技术》 CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	分子束外延设备	分子束外延设备研制组	《仪器仪表学报》 EI CAS	1981	2	在线阅读下载PDF 职称材料