期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
荧光光度法直接测定高纯氧化钕中的痕量镨和铈 被引量:5
1
作者 李义久 王光雨 +2 位作者 王雁鹏 曾新平 倪亚明 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期198-199,201,共3页
使用P-E LS 50荧光光谱仪,在盐酸介质中,用同一激发波长(214nm)激发,分别测定 Pr(Ⅲ)(283urn)和Ce(Ⅲ)(356nm)发射峰强度.线性范围Pr_6O_11为0.20~15μg·ml^(-1);CeO_2为0.01~0.25μg·ml^(-1).检出限Pr_6O_(11)为0.008μg&#... 使用P-E LS 50荧光光谱仪,在盐酸介质中,用同一激发波长(214nm)激发,分别测定 Pr(Ⅲ)(283urn)和Ce(Ⅲ)(356nm)发射峰强度.线性范围Pr_6O_11为0.20~15μg·ml^(-1);CeO_2为0.01~0.25μg·ml^(-1).检出限Pr_6O_(11)为0.008μg·ml^(-1);CeO_2为0.0011μg·ml^(-1).讨论了盐酸浓度、仪器带通、荧光稳定性及基体氧化钕对错铈测定的影响.结果表明,仪器带通选择B_(ex)=4.0nm,B_(em)=20.0nm及盐酸浓度为8+92时,Pr(Ⅲ)和Ce(Ⅲ)有较稳定的荧光强度,且基体氧化钛对镨铈测定无影响.用此法直接测定高纯氧化钕样品中痕量镨铈,结果令人满意. 展开更多
关键词 荧光光度法 高纯氧化钕 氧化 分析 测定
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部