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高纯度α-SiC粉料的合成 被引量:2
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作者 张皓 王英民 +1 位作者 陈建丽 孟大磊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第10期779-782,807,共5页
为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料。在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径α-SiC粉料。利用X射线衍射(XRD)、辉光... 为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料。在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径α-SiC粉料。利用X射线衍射(XRD)、辉光放电质谱(GDMS)、二次离子质谱(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)和激光粒度仪等测试手段对合成的粉料进行了表征和分析,并对使用该方法合成的SiC粉料进行了单晶生长验证,通过SIMS和非接触式电阻率测试仪等对SiC单晶的杂质浓度、电阻率等参数进行了测试。结果表明,增加破碎工艺环节后合成的α-SiC粉料N杂质浓度小于1.0×10^(16) cm^(-3),但粒径更大(平均值为1 853μm,中位径为1 851μm)、游离C质量分数更低(<0.01%)。采用高纯度α-SiC粉料减少了晶体内包裹物,有助于提高SiC晶体质量。 展开更多
关键词 高纯绝缘(hpsi) 游离C α-SiC 自蔓延高温合成(SHS)法 高纯
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体结构4H-SiC光电导开关光电转换效率研究
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作者 李飞 黄嘉 +2 位作者 刘京亮 侯钧杰 陈湘锦 《强激光与粒子束》 2025年第9期13-19,共7页
随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二... 随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二氧化钛的高反射镜SiC光电导开关封装结构,有效地提高了光电导开关的光能利用率,搭建了基于新封装结构高纯SiC光电导开关的亚纳秒短脉冲产生电路,优化了脉冲形成线与光电导开关的连接方式,设计了开槽型脉冲形成线结构,减小了电路的寄生电感,缩短了电路的响应时间。采用新封装结构和脉冲形成线,在偏置电压为10 kV、激光波长为532 nm、激光脉冲半高宽为500 ps、激光脉冲能量为90μJ和负载为50Ω的工作条件下,实验获得了电压幅值为7.6 kV的亚纳秒短脉冲,脉冲波形的上升沿和半高宽分别为620 ps和2.2 ns,对应的输出峰值功率为1.1 MW,系统的光电功率增益达到7.7 dB。 展开更多
关键词 光电导开关 高纯绝缘碳化硅 光电转换效率 峰值输出功率 光电功率增益
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