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题名高纯度α-SiC粉料的合成
被引量：2
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作者
张皓
王英民
陈建丽
孟大磊
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
山西烁科晶体有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第10期779-782,807,共5页
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文摘
为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料。在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径α-SiC粉料。利用X射线衍射(XRD)、辉光放电质谱(GDMS)、二次离子质谱(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)和激光粒度仪等测试手段对合成的粉料进行了表征和分析,并对使用该方法合成的SiC粉料进行了单晶生长验证,通过SIMS和非接触式电阻率测试仪等对SiC单晶的杂质浓度、电阻率等参数进行了测试。结果表明,增加破碎工艺环节后合成的α-SiC粉料N杂质浓度小于1.0×10^(16) cm^(-3),但粒径更大(平均值为1 853μm,中位径为1 851μm)、游离C质量分数更低(<0.01%)。采用高纯度α-SiC粉料减少了晶体内包裹物,有助于提高SiC晶体质量。
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关键词
高纯半绝缘(hpsi)
游离C
α-SiC
自蔓延高温合成(SHS)法
高纯度
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Keywords
high purity semi-insulating(hpsi)
free carbon
α-SiC
self-propagating high temperature synthesis(SHS)method
high purity
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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题名体结构4H-SiC光电导开关光电转换效率研究
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作者
李飞
黄嘉
刘京亮
侯钧杰
陈湘锦
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《强激光与粒子束》
2025年第9期13-19,共7页
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文摘
随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二氧化钛的高反射镜SiC光电导开关封装结构,有效地提高了光电导开关的光能利用率,搭建了基于新封装结构高纯SiC光电导开关的亚纳秒短脉冲产生电路,优化了脉冲形成线与光电导开关的连接方式,设计了开槽型脉冲形成线结构,减小了电路的寄生电感,缩短了电路的响应时间。采用新封装结构和脉冲形成线,在偏置电压为10 kV、激光波长为532 nm、激光脉冲半高宽为500 ps、激光脉冲能量为90μJ和负载为50Ω的工作条件下,实验获得了电压幅值为7.6 kV的亚纳秒短脉冲,脉冲波形的上升沿和半高宽分别为620 ps和2.2 ns,对应的输出峰值功率为1.1 MW,系统的光电功率增益达到7.7 dB。
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关键词
光电导开关
高纯半绝缘碳化硅
光电转换效率
峰值输出功率
光电功率增益
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Keywords
photoconductive semiconductor switch
high-purity semi-insulating 4H-SiC
photoelectric conversion efficiency
peak output power
photoelectric power gain
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分类号
TN36
[电子电信]
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