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题名高稀释倍数碱性铜精抛液在Cu CMP中的应用
被引量：4
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作者
曹阳
刘玉岭
王辰伟
高娇娇
陈蕊
蔡婷
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期614-617,628,共5页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
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文摘
采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂(BTA)碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光。研究了高稀释倍数(50倍)的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响,并对65 nm技术节点的300 mm单层铜布线片进行了平坦化研究。结果表明,铜膜的静态腐蚀速率为1.5 nm/min,动态抛光速率为206.9 nm/min,阻挡层Ta/TaN抛光速率仅为0.4 nm/min,Cu/Ta选择比高。此精抛液能够有效去除残余铜,进一步过抛完全去除残余铜时,对阻挡层的去除速率趋于0,而沟槽里的铜布线去除量低,碟形坑和蚀坑大小满足实际平坦化要求。此精抛液可满足65 nm技术节点平坦化的要求。
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关键词
铜布线
精抛液
高稀释倍数
碟形坑
化学机械抛光(CMP)
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Keywords
copper interconnect
clearing slurry
high dilution ratio
dishing
chemical mechanical polishing （CMP）
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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