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一种高电隔离度Ka波段上变频SIP模块
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作者 邓学群 王彤 程广智 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1042-1047,共6页
针对传统变频组件体积大、结构复杂等问题,设计并制备了一种高集成、高电隔离度的Ka波段上变频系统级封装(SIP)模块。该模块基于高温共烧陶瓷(HTCC)基板,充分利用垂直方向上的空间,采用扇形枝节电源滤波电路并进行层间走线,既减小了电... 针对传统变频组件体积大、结构复杂等问题,设计并制备了一种高集成、高电隔离度的Ka波段上变频系统级封装(SIP)模块。该模块基于高温共烧陶瓷(HTCC)基板,充分利用垂直方向上的空间,采用扇形枝节电源滤波电路并进行层间走线,既减小了电路面积,又满足了高电隔离度。测试结果表明,在中频为3.8 GHz±200 MHz、输出频率为27.5~31 GHz时,增益≥21 dB,频带内任意400 MHz范围内增益平坦度小于1 dB,1 dB压缩点输出功率≥14.5 dBm,杂散抑制优于60 dBc,隔离度优化了25 dB以上。该SIP模块性能优异,可广泛应用于卫星互联网终端设备。 展开更多
关键词 KA波段 系统级封装(SIP) 上变频 高电隔离度 高集成
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