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用于高电荷态离子与表面相互作用研究的原子物理实验平台 被引量:10
1
作者 赵永涛 肖国青 +3 位作者 张小安 杨治虎 陈熙萌 张艳萍 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期23-26,共4页
在重离子加速器国家实验室ECR离子源上,成功组建了用于高电荷态离子与表面相互作用研究的原子物理实验平台;利用该实验平台,研究了用不同电荷态和不同速度的高电荷态离子与不同表面相互作用的可见光和X射线发射的情况,同时还研究了高电... 在重离子加速器国家实验室ECR离子源上,成功组建了用于高电荷态离子与表面相互作用研究的原子物理实验平台;利用该实验平台,研究了用不同电荷态和不同速度的高电荷态离子与不同表面相互作用的可见光和X射线发射的情况,同时还研究了高电荷态Xe离子轰击晶体材料所引起的材料性质和表面结构变化的情况. 展开更多
关键词 高电荷态离子 可见光谱 X射线 表面结构
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高电荷态ECR离子源 被引量:6
2
作者 赵红卫 刘占稳 +5 位作者 张汶 张雪珍 袁平 郭晓虹 张子民 王义芳 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期282-288,共7页
综述了中国科学院近代物理研究所近几年来高电荷态ECR离子源的最新进展。
关键词 ECR离子源 高电荷 束流强度 微波加热 磁镜场
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蒸发冷却技术在高电荷态ECR离子源磁体上的应用——LECR4 被引量:5
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作者 熊斌 阮琳 +2 位作者 顾国彪 卢旺 张雪珍 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第10期219-225,共7页
高电荷态ECR离子源磁体的功率密度高、发热量大,磁体线圈的高效冷却是制约性能进一步提升的关键技术之一,是离子源磁体技术研究的重要内容。本文介绍了基于蒸发冷却技术的近代物理研究所第四代高电荷态ECR离子源(LECR4)的研制工作。该... 高电荷态ECR离子源磁体的功率密度高、发热量大,磁体线圈的高效冷却是制约性能进一步提升的关键技术之一,是离子源磁体技术研究的重要内容。本文介绍了基于蒸发冷却技术的近代物理研究所第四代高电荷态ECR离子源(LECR4)的研制工作。该离子源磁体线圈采用饼式单元结构,利用线饼单元间的窄隙作为冷却工质的流动通道,液态蒸发冷却工质在通道内吸收线圈热量并汽化,气态的工质向上流动进入冷凝器而冷凝。基于冷却工质的相变过程,建立自循环蒸发冷却热力循环,实现对磁体线圈热量的传输。设计制作完成的LECR4离子源进行了系统试验,试验结果表明,采用自循环蒸发冷却方式的离子源磁体线圈长期稳定运行在60℃左右,各项磁场指标均达到设计要求。 展开更多
关键词 高电荷态ECR离子源 蒸发冷却 磁体 线圈 LECR4
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高电荷态离子Ar^(13+)轰击Mo金属表面形成靶原子X射线谱测量 被引量:4
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作者 杨治虎 陈熙萌 +9 位作者 杜树斌 张小安 赵永涛 张艳萍 崔莹 张红强 徐徐 邵剑雄 王立 肖国青 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期189-191,共3页
本工作实验研究低能高电荷态Ar13+离子与金属Mo表面作用过程中Mo原子受激发射X射线和X射线强度随入射能量的变化。实验结果表明,低速高电荷离子与金属表面原子相互作用可有效地激发靶原子或靶离子内壳层电子而发射X射线。
关键词 高电荷态离子 钼金属表面 X射线
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金属筒在ECR2高电荷态离子源中的应用 被引量:2
5
作者 袁平 刘占稳 +7 位作者 张汶 赵红卫 张雪珍 郭晓虹 李锡霞 周嗣信 王义芳 魏宝文 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期392-396,共5页
叙述了用金属筒来增强ECR2离子源的高电荷态离子束流强度。铝筒的增强效果最为显著。与锆简相比,Ar(8+)离子的束流强度从245μA增至330μA,Ar(9+)离子从125μA增至150μA。
关键词 ECR 离子源 金属筒 高电荷态离子 次级电子
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高电荷态重离子束流产生技术的研究 被引量:3
6
作者 高丽娟 史淑廷 +9 位作者 郭刚 刘建成 陈泉 沈东军 惠宁 王贵良 孔福全 范辉 蔡莉 王惠 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1304-1308,共5页
为了提高北京HI-13串列加速器束流的硅中射程和LET值,本文开展了高电荷态束流引出技术及pA级弱束流诊断技术研究。采用电刚度和磁刚度模拟技术,配合pA级弱束流束斑观测和束流强度监测技术,获得能量360MeV、峰总比80%的197 Au离子束流,其... 为了提高北京HI-13串列加速器束流的硅中射程和LET值,本文开展了高电荷态束流引出技术及pA级弱束流诊断技术研究。采用电刚度和磁刚度模拟技术,配合pA级弱束流束斑观测和束流强度监测技术,获得能量360MeV、峰总比80%的197 Au离子束流,其在Si中的表面LET为86.1MeV·cm2·mg-1、射程为30.1μm,满足单粒子效应(SEE)实验的要求,拓展了北京HI-13串列加速器上单粒子效应实验所用离子的能量和LET值范围。 展开更多
关键词 高电荷 北京HI-13串列加速器 单粒子效应
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高电荷态ECR2离子源 被引量:2
7
作者 刘占稳 张汶 +11 位作者 张雪珍 郭晓红 袁平 赵红卫 冯玉成 李锦钰 王辉 高级元 马保华 周嗣信 王义芳 未宝文 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第2期310-312,共3页
介绍了兰州重粒子加速器ECR2离子源的结构特点,给出该离子源的调试结果。
关键词 离子源 高电荷 磁镜场 重粒子 加速器
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高电荷态离子^207Pb^36+与金属Nb表面作用产生的二次离子产额 被引量:2
8
作者 王瑜玉 赵永涛 +2 位作者 房燕 肖国青 王铁山 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期183-185,共3页
本文报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子^207Pb^36+入射到金属Nb表面产生二次离子溅射的实验测量结果,实验发现。二次离子产额Y随入射初动能B的增加有先增加后减小的关系,二次离子产额有一个峰值。理论分... 本文报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子^207Pb^36+入射到金属Nb表面产生二次离子溅射的实验测量结果,实验发现。二次离子产额Y随入射初动能B的增加有先增加后减小的关系,二次离子产额有一个峰值。理论分析认为,这一过程是势能沉积作用与线性级联碰撞过程协同作用的结果。 展开更多
关键词 高电荷态离子 二次离子产额 线性级联碰撞 势能沉积
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高电荷态离子Ar^(q+)入射在金属表面形成靶原子X射线谱 被引量:2
9
作者 杨治虎 陈熙萌 +9 位作者 张艳萍 张小安 赵永涛 杜树斌 崔莹 张红强 徐徐 邵剑雄 王立 肖国青 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期410-413,共4页
本文报道低能高电荷Ar12+、Ar13+、Ar14+离子与金属Mo表面作用过程中Mo原子受激发射X射线和X射线强度随入射能量变化的实验结果。结果表明,低速高电荷离子与金属表面原子相互作用可有效地激发靶原子或靶离子内壳层电子而发射X射线。
关键词 高电荷态离子 金属表面 X射线
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高电荷态Ar^(17+)离子与不同固体表面相互作用的X射线谱研究 被引量:2
10
作者 宋张勇 杨治虎 +6 位作者 陈熙萌 张小安 赵永涛 崔莹 张红强 徐徐 邵健雄 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期787-790,共4页
报道了利用光谱技术研究高电荷态Ar17+离子入射金属Be、Al、Ni、Mo、Au靶表面产生的X射线谱.实验结果发现Ar17+离子与固体表面作用发射的Ar K-αX射线形状与靶材料没有明显的关系,随入射离子能量的增加,K-αX射线强度减小.
关键词 高电荷态离子 固体表面 X射线发射
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低速高电荷态离子^(40)Ar^(16+)与云母表面作用中的电子发射研究 被引量:2
11
作者 房燕 赵永涛 +4 位作者 肖国青 王瑜玉 王铁山 王释伟 彭海波 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期197-200,共4页
报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,... 报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径. 展开更多
关键词 低速高电荷态离子 电子发射 经典过垒模型
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高电荷态金属离子的产生实验研究 被引量:1
12
作者 孙良亭 马雷 +4 位作者 曹云 赵红卫 马保华 张雪珍 张子民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期531-534,共4页
 为满足兰州重离子加速器的实验要求,在14.5GHz高电荷态ECR离子源上做了一系列产生金属离子的实验,尝试了多种方法,包括炉子加热及MIVOC(MetallicIonformVolatileCompounds)两种方法,其中,用炉子做的结果较理想。实验主要研究了铜、锌...  为满足兰州重离子加速器的实验要求,在14.5GHz高电荷态ECR离子源上做了一系列产生金属离子的实验,尝试了多种方法,包括炉子加热及MIVOC(MetallicIonformVolatileCompounds)两种方法,其中,用炉子做的结果较理想。实验主要研究了铜、锌、镍多种电荷态离子的产生,具有代表性的是39euA的Cu13+,30euA的Zn15+和29euA的Ni10+。分别给出了这三种金属离子产生的多电荷态束流峰谱图,以及实验的一些其它现象及结果,并对其进行了讨论与总结。 展开更多
关键词 ECR离子源 金属炉子 高电荷
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ECR高电荷态离子源——CAPRICE的调试 被引量:1
13
作者 刘占稳 张汶 +2 位作者 王云海 欧文智 魏宝文 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1991年第3期303-306,共4页
本文介绍了10GH_z CAPRICE离子源的实验装置结构、工作原理及运行中各参数对引出束流的影响,同时给出了N、O、Ne、Ar四种元素的高电荷态束流大小及其离子束的连续谱。结果是满意的。
关键词 高电荷 离子源 ECR源
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高电荷态离子^(207)Pb^(36+)与金属Nb表面作用产生的二次离子产额 被引量:1
14
作者 王瑜玉 赵永涛 +2 位作者 房燕 肖国青 王铁山 《原子与分子物理学报》 CSCD 北大核心 2006年第3期383-386,共4页
本文报道了利用兰州重离子加速器国家实验室的ECR离子源引出的高电荷态离子207Pb36+入射到金属Nb表面产生的二次离子的实验测量结果.实验发现,二次离子产额Y随入射初动能Ek的增加有先增加后减小的关系,在初动能为576 keV时二次离子产额... 本文报道了利用兰州重离子加速器国家实验室的ECR离子源引出的高电荷态离子207Pb36+入射到金属Nb表面产生的二次离子的实验测量结果.实验发现,二次离子产额Y随入射初动能Ek的增加有先增加后减小的关系,在初动能为576 keV时二次离子产额达到最大.通过对实验点做高斯拟合发现,曲线峰值对应的入射初动能为602 keV.分析表明,这是势能沉积作用与线性级联碰撞过程协同作用的结果.高电荷态离子本身携带的高势能沉积在靶表面引起势能溅射,促进了二次离子的发射;而主导二次离子溅射的过程是动能溅射,它与靶表面的动量沉积(核能损)过程密切相关. 展开更多
关键词 高电荷态离子 二次离子产额 线性级联碰撞 势能沉积
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高电荷态离子^(129)Xe^(q+)激发Au表面产生的X射线谱 被引量:1
15
作者 梁昌慧 张小安 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期547-550,共4页
目的研究高电荷态离子129Xeq+(q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而... 目的研究高电荷态离子129Xeq+(q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加。结论与传统的X射线产生方法不同,高电荷态离子可以激发重原子的内壳层特征X射线谱,其产额高,品质好。 展开更多
关键词 高电荷态离子 X射线 X射线产额
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高电荷态离子轰击Au固体表面激发的特征光谱线
16
作者 张小安 任惠娟 +2 位作者 赵永涛 肖国青 杨治虎 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1405-1408,共4页
报道了高电荷态离子129X6+e和129X30+e轰击金属Au表面激发的200~1000nm波段光谱的实验结果实验结果表明高电荷态离子所激发的靶原子的谱线强度与入射离子的电荷态密切相关。
关键词 高电荷态离子 经典过垒模型 谱线强度 初动能
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高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究
17
作者 彭海波 杨秀玉 +6 位作者 程锐 王释伟 羊佳 韩运成 赵永涛 房燕 王铁山 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期773-776,共4页
高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作... 高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大. 展开更多
关键词 高电荷态离子 溅射 碰撞 势能溅射
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高电荷态氙离子辐照下的6H碳化硅表面纳米结构变形(英文)
18
作者 张丽卿 张崇宏 +2 位作者 韩录会 杨义涛 宋银 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期202-208,共7页
高电荷态离子比普通的离子携带较高的势能,势能在材料表面的瞬间释放,能在材料表面形成nm量级的结构损伤。它在纳米刻蚀、小型纳米器件、纳米材料、超小尺寸半导体芯片制作、固体表面处理和固体结构分析等领域具有广泛应用前景。因此对... 高电荷态离子比普通的离子携带较高的势能,势能在材料表面的瞬间释放,能在材料表面形成nm量级的结构损伤。它在纳米刻蚀、小型纳米器件、纳米材料、超小尺寸半导体芯片制作、固体表面处理和固体结构分析等领域具有广泛应用前景。因此对高电荷态重离子(Xeq+)引起半导体材料表面(6H-SiC)纳米结构变形进行了研究。采用Xe18+和Xe26+离子,选取从1×1014到5×1015 ions·cm-2逐渐递增的剂量,以垂直和倾斜60°角两种入射方式辐照6H-SiC薄膜样品,经原子力显微镜分析表明,辐照后的表面肿胀凸起。对于Xe18+离子辐照的样品,辐照区至未辐照区边界的台阶高度随离子剂量增加而连续增大,而对于Xe26+离子辐照的样品则先增加而后减小。在相同入射角和剂量条件下,Xe26+离子辐照样品形成的台阶高度大于Xe18+离子辐照形成的台阶高度,在相同离子和剂量的条件下,垂直照射时形成的台阶高度大于倾斜照射时形成的台阶高度。根据损伤机理和实验数据,首次初步建立了一个包括势能、电荷态、入射角和剂量等物理量的理论模型来预测高电荷态离子在半导体材料表面形成的纳米结构变形。暗示了高电荷态离子的潜在的应用价值及进一步研究的必要性。 展开更多
关键词 碳化硅表面 高电荷态重离子 表面形变
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低能高电荷态Ar^(q+)(q=12,13)离子诱发钼L壳层X射线强度的研究(英文)
19
作者 徐进章 杜娟 +10 位作者 徐徐 陈熙萌 胡碧涛 邵剑雄 崔莹 杨治虎 张红强 张毅 肖国青 张小安 王博宇 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期858-862,共5页
本文报导了低能高电荷态Arq+(q=12,13)离子诱发的钼L壳层X射线强度随入射粒子能量的变化趋势,研究表明当入射粒子能量高于220 keV时,钼L壳层X射线强度有明显增加的的趋势.同时,我们提出了一个简单的模型去估计这种趋势随入射能量的变化... 本文报导了低能高电荷态Arq+(q=12,13)离子诱发的钼L壳层X射线强度随入射粒子能量的变化趋势,研究表明当入射粒子能量高于220 keV时,钼L壳层X射线强度有明显增加的的趋势.同时,我们提出了一个简单的模型去估计这种趋势随入射能量的变化.模型计算的结果与实验值符合的比较好. 展开更多
关键词 L壳层X射线 氩离子 低能高电荷
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高电荷态离子^(129)Xe^(29+)与不同金属表面作用产生的X射线谱
20
作者 李耀宗 张小安 +1 位作者 梁昌慧 肖国青 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期777-782,共6页
研究了高电荷态离子129~Xe^29+入射金属Au、M0、Be表面产生的特征X射线谱.实验结果表明,在入射离子的动能相同时,Au的M_α1-X射线产额比Mo的L_α1-X、L_α2-X、L_β1-X射线总产额高,特征X射线的产额随入射离子动能的增加而显著增加;不... 研究了高电荷态离子129~Xe^29+入射金属Au、M0、Be表面产生的特征X射线谱.实验结果表明,在入射离子的动能相同时,Au的M_α1-X射线产额比Mo的L_α1-X、L_α2-X、L_β1-X射线总产额高,特征X射线的产额随入射离子动能的增加而显著增加;不同动能的Xe^29+入射金属Au、Mo、Be表面均未产生Xe的特征X射线. 展开更多
关键词 高电荷态离子 X射线 产额
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