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题名高电压真空断路器温升影响因素的仿真研究
被引量：31
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作者
余小玲
魏义江
刘志远
冯全科
王季梅
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机构
西安交通大学能动学院
西安交通大学电气工程学院
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出处
《高压电器》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期179-182,共4页
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文摘
以一种高电压真空断路器模型为研究对象,对影响真空断路器温升的散热表面对流换热系数、动静触头接触点半径、接触点位置以及导电杆的半径4种因素进行了仿真研究。研究结果表明,在考虑散热表面辐射和不考虑辐射两种情况下,动、静触头接触处的温度差别在5%以内,而考虑散热表面的辐射后,接线端子的温度下降了14%。真空断路器温升随着动静触头接触点半径的增大迅速降低而与接触点位置无关,但当接触点半径增大至2 mm以后,温升降低趋势已不明显。真空断路器温升随着导电杆半径的增大而降低,其中触头接触处温度降低的趋势最为显著,但当导电杆半径增大至25 mm以后,温升降低趋势已不明显。
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关键词
高电压真空断路器
温升
热分析
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Keywords
high voltage vacuum circuit breaker（VCB）
temperature rise
thermal analysis
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分类号
TM561.2
[电气工程—电器]
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