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铌合金表面(Ta,Mo,W,Zr/Ti)Si_(2)高熵硅化物涂层的微观结构与抗氧化性能
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作者 李智 张平 +3 位作者 郭喜平 陈长玖 何业增 冯培忠 《中国有色金属学报》 北大核心 2025年第8期2751-2762,共12页
以单质金属(Ta,Mo,W,Zr,Ti)粉和Si粉为原料,采用先机械合金化合成高熵合金粉再放电等离子烧结的方法,在铌合金表面反应烧结制备了(Ta,Mo,W,Zr)Si_(2)、(Ta,Mo,W,Ti)Si_(2)和(Ta,Mo,W,Zr,Ti)Si_(2)三种高熵硅化物涂层,对比分析涂层的微... 以单质金属(Ta,Mo,W,Zr,Ti)粉和Si粉为原料,采用先机械合金化合成高熵合金粉再放电等离子烧结的方法,在铌合金表面反应烧结制备了(Ta,Mo,W,Zr)Si_(2)、(Ta,Mo,W,Ti)Si_(2)和(Ta,Mo,W,Zr,Ti)Si_(2)三种高熵硅化物涂层,对比分析涂层的微观结构及其在1600℃下的抗氧化性能。结果表明:在相同工艺条件下,(Ta,Mo,W,Zr)Si_(2)涂层中存在明显的成分偏析,由(Ta,Mo,W,Zr)Si_(2)和(Mo,W,Ta,Zr)Si_(2)组成,(Ta,Mo,W,Ti)Si_(2)和(Ta,Mo,W,Zr,Ti)Si_(2)涂层则主要由单相高熵硅化物构成;Zr元素的添加显著增加了涂层/基体界面处互扩散区的厚度,且高亲氧性使其在涂层中主要以ZrO_(2)的形式存在,而Ti元素完全参与单相硅化物的形成。三种涂层试样经1600℃、20 h氧化后均保持结构完整,氧化动力学曲线呈现抛物线规律,其中(Ta,Mo,W,Ti)Si_(2)涂层表现出最小的氧化增重。 展开更多
关键词 铌合金 高熵硅化物涂层 抗氧化性能 反应烧结
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