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高温等静压烧结碳化硅基复相陶瓷的强化与增韧
被引量：
11
1
作者
董绍明
江东亮
+1 位作者
谭寿洪
郭景坤
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期61-65,共5页
本文通过Si3N4、TiC及SiC晶须补强SiC基复相陶瓷的高温等静压烧结，研究了复相陶瓷的显微结构与力学性能，探讨了晶须及第二相颗粒对复相陶瓷的强化与增韧机理．结果表明，不同的补强颗粒及晶须在基体中的作用也不同，Si3N4的引入将在...
本文通过Si3N4、TiC及SiC晶须补强SiC基复相陶瓷的高温等静压烧结，研究了复相陶瓷的显微结构与力学性能，探讨了晶须及第二相颗粒对复相陶瓷的强化与增韧机理．结果表明，不同的补强颗粒及晶须在基体中的作用也不同，Si3N4的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向压应力，阻碍裂纹的扩展，TiC的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向张应力，诱导裂纹的偏转；SiC晶须的引入也将产生阻碍裂纹扩展的机制，从而达到SiC基复相陶瓷强化与增韧，改善其力学性能．
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关键词
高温等静压
增韧
碳化硅
复合陶瓷
烧结
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职称材料
纳米SiC及Si_3N_4/SiC的高温等静压研究
被引量：
11
2
作者
董绍明
江东亮
+1 位作者
谭寿洪
郭景坤
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期191-194,共4页
采用高温等静压（HIP）工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si3N4／SiC复相陶瓷，并通过X射线衍射分析、透射及高分辨电镜对其相组成及结构进行了表征．实验表明，在温度1850℃、压力200MPa条件下保温lh，可获得晶粒尺寸＜100nm、结构均匀...
采用高温等静压（HIP）工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si3N4／SiC复相陶瓷，并通过X射线衍射分析、透射及高分辨电镜对其相组成及结构进行了表征．实验表明，在温度1850℃、压力200MPa条件下保温lh，可获得晶粒尺寸＜100nm、结构均匀、致密的单相SiC纳米结构陶瓷．对于St3N4／SiC复相体系，初始粉末的结晶形态对烧结体的结构有很大的影响.将初始粉末进行预处理后：在温度1750℃、压力150MPa条件下保温1h，可获得晶粒尺寸在50nm左右、结构致密、均匀的复相Si3N4／SiC纳米陶瓷材料．
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关键词
纳米陶瓷
高温等静压
陶瓷
压制成型
碳化硅陶瓷
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职称材料
高温等静压烧结Al_(2)O_(3)-ZrO_(2)纳米陶瓷
被引量：
13
3
作者
高濂
宫本大树
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期495-498,共4页
本工作用化学共沉淀法制备了平均晶粒尺寸约20nm的20mol％Al2O3－ZrO2复合粒体，不含有Y2O3作为四方氧化铝的稳定剂．粉体的煅烧温度为750℃，XRD结果表明，粉体中含100％立方氧化锆相，未发现有Al2O3结晶相存在．该粉体用高温等静压方...
本工作用化学共沉淀法制备了平均晶粒尺寸约20nm的20mol％Al2O3－ZrO2复合粒体，不含有Y2O3作为四方氧化铝的稳定剂．粉体的煅烧温度为750℃，XRD结果表明，粉体中含100％立方氧化锆相，未发现有Al2O3结晶相存在．该粉体用高温等静压方法，在1000℃和200MPa的条件下烧结1h，得到了平均晶粒尺寸为50nm（TEM表征）的致密陶瓷，样品密度为理论密度的98％左右．对样品抛光表面的XRD定量分析结果表明，其抛光表面的相组成为：55％t－ZrO2－39％m-ZrO2－6％α-Al2O3。
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关键词
高温等静压
烧结
氧化铝-氧化锆
纳米陶瓷
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职称材料
题名
高温等静压烧结碳化硅基复相陶瓷的强化与增韧
被引量：
11
1
作者
董绍明
江东亮
谭寿洪
郭景坤
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期61-65,共5页
基金
国家863高技术新材料领域资助!863-715-006-0110
文摘
本文通过Si3N4、TiC及SiC晶须补强SiC基复相陶瓷的高温等静压烧结，研究了复相陶瓷的显微结构与力学性能，探讨了晶须及第二相颗粒对复相陶瓷的强化与增韧机理．结果表明，不同的补强颗粒及晶须在基体中的作用也不同，Si3N4的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向压应力，阻碍裂纹的扩展，TiC的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向张应力，诱导裂纹的偏转；SiC晶须的引入也将产生阻碍裂纹扩展的机制，从而达到SiC基复相陶瓷强化与增韧，改善其力学性能．
关键词
高温等静压
增韧
碳化硅
复合陶瓷
烧结
Keywords
hot isostatic pressing, composite, strengthening and toughening, microstructure,mechanical properties
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
纳米SiC及Si_3N_4/SiC的高温等静压研究
被引量：
11
2
作者
董绍明
江东亮
谭寿洪
郭景坤
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期191-194,共4页
基金
国家"863"计划资助!863-715-2O-01-O2
文摘
采用高温等静压（HIP）工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si3N4／SiC复相陶瓷，并通过X射线衍射分析、透射及高分辨电镜对其相组成及结构进行了表征．实验表明，在温度1850℃、压力200MPa条件下保温lh，可获得晶粒尺寸＜100nm、结构均匀、致密的单相SiC纳米结构陶瓷．对于St3N4／SiC复相体系，初始粉末的结晶形态对烧结体的结构有很大的影响.将初始粉末进行预处理后：在温度1750℃、压力150MPa条件下保温1h，可获得晶粒尺寸在50nm左右、结构致密、均匀的复相Si3N4／SiC纳米陶瓷材料．
关键词
纳米陶瓷
高温等静压
陶瓷
压制成型
碳化硅陶瓷
Keywords
nano-ceramics, monolithic SiC, Si_3N_4/ SiC composite, hot isostatic pressing (HIP)
分类号
TQ174.621 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
高温等静压烧结Al_(2)O_(3)-ZrO_(2)纳米陶瓷
被引量：
13
3
作者
高濂
宫本大树
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
日本大阪府立产业技术综合研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期495-498,共4页
文摘
本工作用化学共沉淀法制备了平均晶粒尺寸约20nm的20mol％Al2O3－ZrO2复合粒体，不含有Y2O3作为四方氧化铝的稳定剂．粉体的煅烧温度为750℃，XRD结果表明，粉体中含100％立方氧化锆相，未发现有Al2O3结晶相存在．该粉体用高温等静压方法，在1000℃和200MPa的条件下烧结1h，得到了平均晶粒尺寸为50nm（TEM表征）的致密陶瓷，样品密度为理论密度的98％左右．对样品抛光表面的XRD定量分析结果表明，其抛光表面的相组成为：55％t－ZrO2－39％m-ZrO2－6％α-Al2O3。
关键词
高温等静压
烧结
氧化铝-氧化锆
纳米陶瓷
Keywords
nano-ceramics
HIP
Al_(2)O_(3)-ZrO_(2)
分类号
TF123.72 [冶金工程—粉末冶金]
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温等静压烧结碳化硅基复相陶瓷的强化与增韧
董绍明
江东亮
谭寿洪
郭景坤
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
11
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
纳米SiC及Si_3N_4/SiC的高温等静压研究
董绍明
江东亮
谭寿洪
郭景坤
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
11
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高温等静压烧结Al_(2)O_(3)-ZrO_(2)纳米陶瓷
高濂
宫本大树
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
13
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