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探究石墨化温度对石墨烯薄膜结构及性能的影响
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作者 王乾龙 崔佳铭 《化工新型材料》 北大核心 2025年第S1期95-100,共6页
电子元器件工作时会产生热量,对于高频高能耗设备而言,热管理器需及时将热量导出,防止热量积聚。石墨烯作为新型二维碳材料,具有单原子层厚度,其电学、力学与热学性能优异,有望成为电子元器件的高效散热材料。然而,石墨烯内部的缺陷结... 电子元器件工作时会产生热量,对于高频高能耗设备而言,热管理器需及时将热量导出,防止热量积聚。石墨烯作为新型二维碳材料,具有单原子层厚度,其电学、力学与热学性能优异,有望成为电子元器件的高效散热材料。然而,石墨烯内部的缺陷结构会对其性能产生不利影响,故而修复该缺陷结构以制备兼具高导电导热性与高力学性能的石墨烯薄膜十分必要。采用高温热还原法制备高性能石墨烯薄膜,深入研究不同石墨化温度对其微观结构和微晶参数的作用。结果表明:当热还原温度达到3100℃时,石墨烯薄膜的内部缺陷结构得以完全修复,层间距缩小,致密性显著提升。此时,其拉伸强度为(70±5)MPa,层间剥离强度达(77±8)gf/25mm,热导率为1531W/(m·K),电导率为930000S/m,展现出良好的导电导热性能。 展开更多
关键词 石墨烯 高温热还原 微观结构 热导率
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