-
题名高温氩退火对提高Si片质量的研究
被引量：1
- 1
-
-
作者
李宗峰
冯泉林
赵而敬
盛方毓
王磊
李青保
-
机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期302-305,共4页
-
基金
国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401
2009ZX02011)
-
文摘
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。
-
关键词
高温氩退火
空洞型微缺陷
栅氧化层完整性
直拉单晶硅
晶体原生粒子缺陷
-
Keywords
high temperature argon annealing
void defect
gate oxide integrity （GOI）
Czochralski silicon
crystal original particles
-
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
-
