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高温垂直Bridgman法生长Zn_(1-x)Mg_xTe晶体: 1; 作者刘国和李焕勇 +2 位作者张海洋王小军靳英坤《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期727-732,共6页; 采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀... 展开更多; 关键词高温垂直bridgman法 Zn1-xMgxTe晶体透过率腐蚀坑密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体的数值模拟分析被引量：10: 2; 作者马雁冰刘滔 +4 位作者邹鹏程姜军高文峰罗川旭林文贤《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期240-245,共6页; 利用FIDAP数值软件,详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程,讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布的影响,分析了5 K/cm、10 K/cm、15 K/cm三种不同温度梯度条件对固液界面的影响。结果表明:在所采用的... 展开更多; 关键词 CDZNTE FIDAP 垂直bridgman法数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析被引量：2: 3; 作者谷智刘泉喜介万奇《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期249-254,共6页; 利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场。结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓。在气液(气固)界面、液... 展开更多; 关键词 Hg1-xMnxTe晶体垂直bridgman法数值模拟温度场; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直Bridgman法变速生长Hg_(1-x)Mn_xTe晶体被引量：1: 4; 作者谷智李国强 +1 位作者张龙介万奇《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期137-140,共4页; 在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证。与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分... 展开更多; 关键词垂直bridgman法 Hg1-xMnxTe晶体固液界面迁移变速生长机理组分均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直Bridgman法生长CaF_2单晶传热过程的数值分析被引量：1: 5; 作者姚静周海 +1 位作者卢一民万汉城《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期48-53,共6页; 采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化... 展开更多; 关键词 CAF2 有限元法垂直bridgman法数值模拟传热温度场; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直Bridgman法生长氟化钙晶体的数值分析被引量：1: 6; 作者姚静周海 +3 位作者卢一民万汉城王晓阳李建《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期640-644,共5页; 利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和... 展开更多; 关键词氟化钙(CaF2) Fluent软件垂直bridgman法数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

GdCOB晶体的坩埚下降法生长被引量：1: 7; 作者钟真武罗军 +3 位作者范世 钱国兴林雅芳孙仁英《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期320-324,共5页; 本文报道了非线性光学晶体Ca4 GdO(BO3) 3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长。已获得直径2 5mm的高质量单晶。生长界面处的纵向温度梯度维持在 30～ 4 0℃ /cm ,生长速度 0 .2～ 0 .8mm/h。GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制 ,易出现 (111)... 展开更多; 关键词非线性光学晶体 GDCOB晶体垂直bridgman法; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究: 8; 作者王领航介万奇《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页; 以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对... 展开更多; 关键词碲铟汞晶体生长垂直bridgman法半导体材料近红外光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温垂直Bridgman法生长Zn_(1-x)Mg_xTe晶体: 1; 作者刘国和李焕勇张海洋王小军靳英坤; 机构西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期727-732,共6页; 基金国家自然科学基金(51072164); 文摘采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀的方法分析了晶体的结晶质量。结果表明:所生长的晶体具有立方相结构,晶格常数为0.61585 nm,略大于ZnTe晶格常数,晶锭中质量最好部分的晶片红外和紫外透过率接近60%,室温下其禁带宽度约为2.37 eV。77 K温度下,PL谱中存在A和B两个主要的发光带,位错腐蚀坑密度在105cm-2数量级。; 关键词高温垂直bridgman法 Zn1-xMgxTe晶体透过率腐蚀坑密度; Keywords high temperature vertical bridgman method Zn1-xMgxTe crystal transmittance EPD; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体的数值模拟分析被引量：10: 2; 作者马雁冰刘滔邹鹏程姜军高文峰罗川旭林文贤; 机构云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期240-245,共6页; 基金 973计划前期研究专项(2007CB216405) 国家自然科学基金资助项目(50879074); 文摘利用FIDAP数值软件,详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程,讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布的影响,分析了5 K/cm、10 K/cm、15 K/cm三种不同温度梯度条件对固液界面的影响。结果表明:在所采用的模型计算条件下,潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布有很小的影响;在生长初期和末期,固液界面变化比较剧烈;随着温度梯度的加大,在生长中期,界面凹向固态区的趋势减小,界面凹向液态区的趋势加大。; 关键词 CDZNTE FIDAP 垂直bridgman法数值模拟; Keywords CdZnTe FIDAP vertical bridgman method： numerical simulation; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析被引量：2: 3; 作者谷智刘泉喜介万奇; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室内蒙古科技大学工程训练中心; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期249-254,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(编号:50872111); 文摘利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场。结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓。在气液(气固)界面、液固界面、石英坩埚顶部和底部,轴向温度出现转折。随着晶体的生长,固液界面的轴向温度梯度逐渐减小。当石英坩埚完全处于高温区或低温区时,所在位置的温度分布更均匀,但远离坩埚区域的温度场受到的影响很小。; 关键词 Hg1-xMnxTe晶体垂直bridgman法数值模拟温度场; Keywords Hg1-xMnxTe crystal, vertical bridgman growth, numerical calculation, thermal field; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直Bridgman法变速生长Hg_(1-x)Mn_xTe晶体被引量：1: 4; 作者谷智李国强张龙介万奇; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期137-140,共4页; 基金国家自然科学基金(50336040) 国家杰出青年基金(59825109)资助; 文摘在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证。与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度。; 关键词垂直bridgman法 Hg1-xMnxTe晶体固液界面迁移变速生长机理组分均匀性; Keywords HgMnTe vertical bridgman growth variational withdrawal rate solid/liquid interface shift composition uniformity; 分类号 O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直Bridgman法生长CaF_2单晶传热过程的数值分析被引量：1: 5; 作者姚静周海卢一民万汉城; 机构北京化工大学材料科学与工程学院北京石油化工学院材料科学与工程学院; 出处《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期48-53,共6页; 文摘采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化;晶体生长速率与坩埚下降速率不一致;25 K/cm为合适的梯度区温度梯度;晶体内部辐射传热对单晶生长传热过程有重要影响.计算结果表明,3个时期的固相等温线的曲率小于液相的.根据数值模拟结果进行了晶体生长实验,生长出的晶体完整,透明,无宏观缺陷.; 关键词 CAF2 有限元法垂直bridgman法数值模拟传热温度场; Keywords CaF2 finite element method the vertical bridgman method numerical simulation heat transfer temperature field; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直Bridgman法生长氟化钙晶体的数值分析被引量：1: 6; 作者姚静周海卢一民万汉城王晓阳李建; 机构北京石油化工学院北京化工大学; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期640-644,共5页; 文摘利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度的影响。分析结果表明:熔体对流传热的效果随晶体生长的不断进行逐渐减弱;固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度有重要影响;晶体的结晶速度和坩埚的下降速度存在不一致性。; 关键词氟化钙(CaF2) Fluent软件垂直bridgman法数值模拟; Keywords CaF2 Fluent software the vertical bridgman method numerical simulation; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GdCOB晶体的坩埚下降法生长被引量：1: 7; 作者钟真武罗军范世 钱国兴林雅芳孙仁英; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期320-324,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.59902011); 文摘本文报道了非线性光学晶体Ca4 GdO(BO3) 3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长。已获得直径2 5mm的高质量单晶。生长界面处的纵向温度梯度维持在 30～ 4 0℃ /cm ,生长速度 0 .2～ 0 .8mm/h。GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制 ,易出现 (111)及 (2 0 1)解理面。讨论了影响生长的因素。保证原料配比准确和混料充分 ,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素。; 关键词非线性光学晶体 GDCOB晶体垂直bridgman法; Keywords nonlinear optical crystal GdCOB crystal vertical bridgman method; 分类号 O78 [理学—晶体学] O782.9 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究: 8; 作者王领航介万奇; 机构西安交通大学电子材料研究所西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期863-865,870,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50336040); 文摘以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.; 关键词碲铟汞晶体生长垂直bridgman法半导体材料近红外光电探测器; Keywords mercury indium telluride crystal growth vertical bridgman method semiconductor materials NIR photovohaic detector; 分类号 O782 [理学—晶体学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高温垂直Bridgman法生长Zn_(1-x)Mg_xTe晶体	刘国和李焕勇张海洋王小军靳英坤	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体的数值模拟分析	马雁冰刘滔邹鹏程姜军高文峰罗川旭林文贤	《红外技术》 CSCD 北大核心	2009	10	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析	谷智刘泉喜介万奇	《红外技术》 CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	垂直Bridgman法变速生长Hg_(1-x)Mn_xTe晶体	谷智李国强张龙介万奇	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	垂直Bridgman法生长CaF_2单晶传热过程的数值分析	姚静周海卢一民万汉城	《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	垂直Bridgman法生长氟化钙晶体的数值分析	姚静周海卢一民万汉城王晓阳李建	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	GdCOB晶体的坩埚下降法生长	钟真武罗军范世 钱国兴林雅芳孙仁英	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究	王领航介万奇	《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料