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高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用被引量：7: 1; 作者穆继亮郭茂香 +3 位作者刘冰陈东红丑修建熊继军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期321-327,共7页; 三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深... 展开更多; 关键词微纳机电系统高深宽比硅微结构刻蚀技术应用; 在线阅读下载PDF 职称材料

微系统关键技术的发展概况被引量：5: 2; 作者沈叔涛《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期936-941,共6页; 微系统技术基于微机械加工技术以及集成电路工艺方法,具有微型化、集成化、智能化、成本低、性能高、可大批量生产等优点。概述了微系统的组成和工作原理,介绍了国内外微系统技术的历史、发展现状和产业分布格局,着重阐述了几种重要的... 展开更多; 关键词微系统固体微加工表面微加工 LIGA技术高深宽比结构制造技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响: 3; 作者张晔陈迪 +2 位作者张金娅朱军刘景全《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期437-440,共4页; 基于UV-LIGA技术采用SU-8光刻胶制备了高深宽比微结构,最高深宽比达20:1.研究了改变光源的波长和曝光量对SU-8光刻胶成形的影响,揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律.从聚合度和聚合所得高分子结构两方面对该变化规律给出... 展开更多; 关键词 UV-LIGA技术 SU-8胶高深宽比微结构倒角; 在线阅读下载PDF 职称材料

原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展被引量：2: 4; 作者李惠琴陈晓勇 +6 位作者王成穆继亮许卓杨杰丑修建薛晨阳刘俊《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期60-67,共8页; 原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。... 展开更多; 关键词原子层沉积薄膜技术高深宽比结构纳米多孔结构微纳结构器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用被引量：7: 1; 作者穆继亮郭茂香刘冰陈东红丑修建熊继军; 机构中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期321-327,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(51075374); 文摘三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。; 关键词微纳机电系统高深宽比硅微结构刻蚀技术应用; Keywords MEMS/NEMS high aspect ratio silicon microstructure etching technology applications; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微系统关键技术的发展概况被引量：5: 2; 作者沈叔涛; 机构天津津航技术物理研究所; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期936-941,共6页; 文摘微系统技术基于微机械加工技术以及集成电路工艺方法,具有微型化、集成化、智能化、成本低、性能高、可大批量生产等优点。概述了微系统的组成和工作原理,介绍了国内外微系统技术的历史、发展现状和产业分布格局,着重阐述了几种重要的微结构加工技术,分析了湿法刻蚀、干法深刻蚀、表面加工技术、键合、LIGA技术、纳米压印技术以及高深宽比制造技术的原理、各自特点以及制造工艺手段,并结合目前微型器件的产品应用分析了各种技术的优势,对于微系统技术的研究具有一定价值。; 关键词微系统固体微加工表面微加工 LIGA技术高深宽比结构制造技术; Keywords microsystem solid micro processing surface micro processing LIGA technology technology of producting high aspect ratio structures; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响: 3; 作者张晔陈迪张金娅朱军刘景全; 机构上海交通大学; 出处《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期437-440,共4页; 基金国家863高技术研究发展计划资助资助项目(2004AA404260); 文摘基于UV-LIGA技术采用SU-8光刻胶制备了高深宽比微结构,最高深宽比达20:1.研究了改变光源的波长和曝光量对SU-8光刻胶成形的影响,揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律.从聚合度和聚合所得高分子结构两方面对该变化规律给出了合理的解释,并基于该变化规律提出了一种新的消除微结构倒角的方法.; 关键词 UV-LIGA技术 SU-8胶高深宽比微结构倒角; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展被引量：2: 4; 作者李惠琴陈晓勇王成穆继亮许卓杨杰丑修建薛晨阳刘俊; 机构中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子测试技术重点实验室; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期60-67,共8页; 基金国家自然科学基金重点支持项目(91123036) 国家自然科学基金杰出青年基金(51225504) 国家自然科学基金(91123016)~~; 文摘原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。; 关键词原子层沉积薄膜技术高深宽比结构纳米多孔结构微纳结构器件; Keywords atomic layer deposition thin-film preparation technology high aspect-ratio structure nano-porous structure micro-nano structure devices; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用	穆继亮郭茂香刘冰陈东红丑修建熊继军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微系统关键技术的发展概况	沈叔涛	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2012	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响	张晔陈迪张金娅朱军刘景全	《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展	李惠琴陈晓勇王成穆继亮许卓杨杰丑修建薛晨阳刘俊	《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料